時(shí)間：2023-05-31 09:09:25
開(kāi)篇：寫(xiě)作不僅是一種記錄，更是一種創(chuàng)造，它讓我們能夠捕捉那些稍縱即逝的靈感，將它們永久地定格在紙上。下面是小編精心整理的12篇集成電路，希望這些內(nèi)容能成為您創(chuàng)作過(guò)程中的良師益友，陪伴您不斷探索和進(jìn)步。
單端和全差分輸入微功耗10位150ks/s ADC ASl528是一款10位超低功耗單通道全差分A/D轉(zhuǎn)換器，ASl529是雙通道單端超低功耗A/D轉(zhuǎn)換器。它們?cè)?50ks/s最高采樣速度下功耗也低于350 u A(3V)。自動(dòng)關(guān)斷功能可使器件存轉(zhuǎn)換之間進(jìn)入休眠模式，從而顯著降低較低在采樣速度下的功耗。在采樣速度降至100ks/s時(shí)，功耗可降至245 μA(3V)。如果在幾乎靜止的1ks/s采樣速度時(shí)，功耗僅為2.5/μA，而關(guān)斷期間僅為200nA。
austriamicrosystems
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本地?cái)?shù)字溫度傳感器 TMP102采用SOT563封裝，包含引腳的高度僅為0.6mm。它在工作模式下的最大靜態(tài)電流僅為10 μA，關(guān)斷模式下的最大電流僅為IμA；電源電壓范圍為1.4～3.6V，因此可充分利用目前的1.8V電源總線(xiàn)，有一個(gè)地址引腳，與SDA與SCL配合使用可生成四個(gè)不同地址，這樣就能在同一SMBus上支持多達(dá)四個(gè)TMP102傳感器。該傳感器還具備SMB報(bào)警功能。
通常情況下，TMP102在-25～+85℃溫度范圍內(nèi)的誤差可精確至0.5℃。該傳感器支持12位精度，測(cè)量精度可達(dá)0.0625℃。
Texas Instruments
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2.4GHz與1GHz以下RF片上系統(tǒng)解決方案
CC2510與CC1110集成了RF收發(fā)器(CC2500與CC1101)、業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)增強(qiáng)型8051微控制器、8/16/32KB系統(tǒng)內(nèi)可編程閃存，1/2/4KB RAM以及其他功能一所有這些都包含在6mm×6ram 36引腳QLP封裝中。其他功能還包括最低功耗模式下的300nA睡眠電流、嵌入式128位高級(jí)加密標(biāo)準(zhǔn)(AES)安全協(xié)處理器、良好的接收機(jī)選擇性與阻塞性能、高靈敏度、高達(dá)500kB的可編-程速率以及2.0～3.6V的寬范圍電源供應(yīng)。
Texas Instruments
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支持?jǐn)?shù)字?jǐn)U音器的立體聲音頻編解碼器
四通道TLV320AlC34、TLV320AIC33以及TLV320AIC3106立體聲編解碼器既能接收來(lái)自數(shù)字?jǐn)U音器的數(shù)字位流，也能接收來(lái)自傳統(tǒng)模擬擴(kuò)音器的差動(dòng)或單端輸入。除了能直接連接于數(shù)字?jǐn)U音器外，新型編解碼器還有如下特點(diǎn)：支持8～96ks/s的采樣率；數(shù)模轉(zhuǎn)換與模數(shù)轉(zhuǎn)換的信噪比(sNR)分別達(dá)到了102dB與92dB；集成鎖相環(huán)(PLL)，支持各種音頻時(shí)鐘；支持便攜式系統(tǒng)的低功耗耳機(jī)、揚(yáng)聲器以及回放模式；可編程數(shù)字音效，包括3D音效、低音、高音、EQ以及去加重等。
Texas Instruments
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單芯片TFT液晶顯示驅(qū)動(dòng)器
SSD2220能支持240×432(WQVGA)分辨率的移動(dòng)設(shè)備TFT液晶顯示器。其有多個(gè)獨(dú)特之處，如多次編程以供電壓校準(zhǔn)、分離RGB伽瑪校正以提升顯示表現(xiàn)，以及電荷分配科技。它可提供262K的真彩色及64個(gè)中度電壓水平以產(chǎn)生灰階效果。其他特點(diǎn)：行動(dòng)產(chǎn)業(yè)處理器接口(MIPI)，并只須四條信號(hào)線(xiàn)，動(dòng)態(tài)背光控制(DBC)，支持同樣的WQVGA解像度TFT液晶顯示器；pad坐標(biāo)(pad coordinates)設(shè)計(jì)。
晶門(mén)科技
電話(huà)：0755-8616-9900
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雙穩(wěn)態(tài)顯示驅(qū)動(dòng)控制器
SSD1623支持96段及一個(gè)通用輸出，以直接驅(qū)動(dòng)顯示器，其內(nèi)置的直流電壓轉(zhuǎn)換器可將低電壓升至38V。主要特點(diǎn)：靈活的驅(qū)動(dòng)波形，科應(yīng)對(duì)不同顯示需求；內(nèi)置振蕩器；提供串行(SPI)微控制器(MCu)接口，以供輸入數(shù)據(jù)及指令；供應(yīng)類(lèi)型包括裸芯片、凸出式金屬接點(diǎn)芯片(gold bump die)及COF封裝。
晶門(mén)科技
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DUAL SLANT 45 WlMAX基站天線(xiàn)
這種天線(xiàn)完全符合歐洲電信標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)(ETSI)的EN 301.525 CS圖形規(guī)范的要求，它的性能一致而且可靠。
新型天線(xiàn)的工作頻率范圍是2.3～2.省略
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超高性能立體聲數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器 WM8741可提供128dB的信噪比(單聲道)，獨(dú)有高級(jí)數(shù)字濾波器選擇功能。其通過(guò)低階調(diào)制器和多位數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器(DAC)架構(gòu)，可獲得較低的頻段外噪聲和世界級(jí)的線(xiàn)性度，從而提高聲音質(zhì)量。WM8741采用一個(gè)完全差分市體聲音頻DAC系統(tǒng)，帶有一系列音頻接口選項(xiàng)，可用于SACD和CD回放的連接。該系統(tǒng)包括1個(gè)抖動(dòng)數(shù)字內(nèi)插值濾波器、精細(xì)分辨率音量控制和數(shù)字去加重、1個(gè)多位∑－調(diào)制器以及帶有差動(dòng)電壓輸出的開(kāi)關(guān)電容多位電路級(jí)。 歐勝微電子
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高精度可編程延遲線(xiàn)
DS1124是5.0V、8位可編程延遲線(xiàn)，具有3線(xiàn)串行接口，可級(jí)聯(lián)多個(gè)器件實(shí)現(xiàn)多級(jí)可編程延遲。器件具有0.25ns的標(biāo)稱(chēng)延遲步進(jìn)，O級(jí)的延遲為20ns，而255級(jí)的延遲為83.75ns。在工業(yè)級(jí)溫度范圍內(nèi)，DS1124具有±3ns的積分非線(xiàn)性(INL)―或稱(chēng)為與0級(jí)和255級(jí)兩點(diǎn)所連成的直線(xiàn)的最大偏離值。
DS1124可延遲最高12.5MHz的信號(hào)，工作在4.75～5.25V的電壓下，采用10引腳μMAX封裝，規(guī)定工作在―40~+85℃工業(yè)級(jí)溫度范圍。
Maxim
電話(huà)：010-6211-5199
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超小半/全雙工Rs-485收發(fā)器
MAX13181E和MAXl3184E采用2ram×2ramμDFN封裝，相比現(xiàn)有RS-485收發(fā)器尺寸可節(jié)省50％的電路板空間。其內(nèi)置增強(qiáng)型±15kV ESD保護(hù)(人體保護(hù)模型)、上拉/下拉電阻以及1/8單位負(fù)載接收輸入阻抗，因此可在總線(xiàn)上掛接最多256個(gè)收發(fā)器。MAXl3181E/MAXl3182E具有擺率受限的驅(qū)動(dòng)器，可降低EMI并在強(qiáng)輻射噪聲的環(huán)境中實(shí)現(xiàn)最高500kbps的無(wú)誤碼傳輸。另外，MAX13183E/MAXl3184E還具有全速驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)16Mbps的數(shù)據(jù)速率。該系列可工作在40～+85℃擴(kuò)展級(jí)溫度范圍，器件采用10引腳“DFN封裝。
Maxim
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安全非易失sRAM控制器
當(dāng)檢測(cè)到篡改事件時(shí)，DS3605快速擦除該外部SRAM上的密鑰。為了進(jìn)一步提高安全性，該器件還集成了實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、電池備份控制器、系統(tǒng)電源監(jiān)視器、CPU監(jiān)控器、溫度傳感器以及四路通用篡改檢測(cè)比較器輸入。
DS3605還具有四路通用篡改檢測(cè)比較器輸入，用了連接各種篡改檢測(cè)機(jī)械裝置。發(fā)生主電源掉電時(shí)，DS3605將立刻切換到外部電池供電，以保持篡改電路有效。該器件還可以連續(xù)監(jiān)視基底溫度以及晶體振蕩器。一旦發(fā)生篡改事件，器件隨后將記錄并保存該時(shí)間，以便日后分析。
Maxim
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采用3mm×2mill封裝的PC ADC LTC2453在2.7～5.5V的單一電源范圍內(nèi)工作，能夠測(cè)量高達(dá)±Vcc的差分輸入。性能特點(diǎn)：50nA動(dòng)態(tài)輸入電流：3mm×2mm DFN封裝；2LSBINL、無(wú)漏碼：4LSB滿(mǎn)標(biāo)度誤差；2.7～5.5V單電源工作；1.4 u VRMS轉(zhuǎn)換噪聲；在60Hz輸出變化率時(shí)為800uAt在1Hz輸出變化率時(shí)為15uA,0.省略
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纖巧低成本軌至軌放大器 LTC6087和LTC6088采用纖巧DFN封裝，實(shí)現(xiàn)了最大750uV的失調(diào)電壓、14MHz GBW和lpA偏置電流，同時(shí)每放大器最大僅消耗1.25mA電流。LTC6087和LTC6088還提供最低93dB PSRR，136dB的大信號(hào)電壓增益確保增益線(xiàn)性度。
其他特點(diǎn)：偏壓漂移：最大值為5u/℃；最大輸入偏置：lpA(25℃時(shí)的典型值)。
40pA最大值(TA≤70℃)大信號(hào)電壓增益；典型值為135dB,增益帶寬積為14MHz,CMRR最小值為70dB,PSRR最小值為93dB；0.1～10Hz噪聲：5.8uVp-p；電源電流1.3mAl軌至軌輸入和輸出；單位增益可穩(wěn)定；2.7～5.省略
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針對(duì)802.11n Wi―Fi產(chǎn)品的射頻構(gòu)建模塊SE2537L是一款5GHz功率放大器，而SE258lL則是2.4GHz功放。SE2537L和NSE2581L的組合解決方案集成了一個(gè)數(shù)字接口，可免除昂貴且耗電的模擬參考電壓。SE2581L的集成式功率檢測(cè)器為5GHz輸出線(xiàn)的耦合信號(hào)提供了一個(gè)輸入端口，從而讓雙頻帶可以共享一個(gè)檢測(cè)器輸出端口。 基于SE2537L及SE2581L的系統(tǒng)可達(dá)到+20dBm/2.5GHz和+19.5dBm/5GHz。SE2581L是SE2527L器件之功能增強(qiáng)版本，同樣也包含了一個(gè)動(dòng)態(tài)范圍20dB的集成式功率檢測(cè)器。由于這種高性能可在更大的覆蓋距離內(nèi)優(yōu)化更高數(shù)據(jù)率的傳輸，因此系統(tǒng)可以支持新興的802.lln應(yīng)用。
SiGe Semiconductor
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PcIe交換解決方案
這四款PCIe交換解決方案分別為24通道、6端口，24通道、3端口，6通道、6端口，以及4通道、4端口。每個(gè)交換解決方案都有一個(gè)用于器件測(cè)試和分析，以及系統(tǒng)仿真的專(zhuān)用評(píng)估和開(kāi)發(fā)套件。每個(gè)套件包含一個(gè)代表上行和下行連接的硬件評(píng)估板，以及一個(gè)IDT開(kāi)發(fā)的基于GUI的軟件環(huán)境，有助于設(shè)計(jì)師調(diào)節(jié)系統(tǒng)和器件配置來(lái)滿(mǎn)足系統(tǒng)要求。這些PCIe交換器具有良好的每瓦性能，以及為批量和價(jià)值服務(wù)器市場(chǎng)優(yōu)化的功能。
IDT
電話(huà)：021-6495-8900
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具有溫度切換功能的恒溫輸出IC
該產(chǎn)品有兩個(gè)系列，一個(gè)是檢測(cè)中心溫度及其上+5℃、其下-5℃共3級(jí)可切換的BDEXXXOG系列(漏極開(kāi)路輸出、低電平有效)；另一個(gè)是檢測(cè)中心溫度及其上4級(jí)(每增加25℃為一級(jí))、其下4級(jí)(每降低25℃為一級(jí))，共9級(jí)可切換的BDFXXXOG系列(漏極開(kāi)路輸出、低電平有效)。
性能特點(diǎn)：檢測(cè)溫度中心及+5℃和-5℃共3級(jí)可切換BDEXXXOG系列，檢測(cè)溫度中心及+2.5"C、+5℃、+7.5℃+10℃、2.5℃、-5℃、-7.512、-10℃共9級(jí)可切換BDFXXXOG系列。溫度檢測(cè)精度為±4℃，工作電流為16A；檢測(cè)溫度滯后：標(biāo)準(zhǔn)10℃；漏極開(kāi)路、低電平有效。
羅姆電子
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具有片上CAN和EEPROM的8位MCU系列
SO8D系列是集成了控制器區(qū)域網(wǎng)絡(luò)(CAN)接口、電子可擦拭可編程只讀內(nèi)存(EEPROM)和片上仿真/調(diào)試工具的8位MCU。嵌入式CAN接口為眾多汽車(chē)和工業(yè)控制應(yīng)用提供理想的連通性解決方案，而嵌入式EEPROM則通過(guò)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的輕松寫(xiě)入和擦拭，無(wú)須外部串行EEPROM，從而提高了系統(tǒng)
設(shè)計(jì)靈活性。具有片上調(diào)試功能的集成-開(kāi)發(fā)工具能夠讓設(shè)計(jì)人員進(jìn)行實(shí)時(shí)快速調(diào)試，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品快速面市。每一種集成功能都可以在-40～125℃的整個(gè)汽車(chē)溫度范圍內(nèi)正常使用。 Freescale Semiconductor 電話(huà)：800-990-8188 省略
單電源多路復(fù)用器 ISL5945l和ISL59452是用于高端消費(fèi)視頻產(chǎn)品的單電源、緩沖的三重4:1多路復(fù)用器。ISL59451具有集成的直流恢復(fù)功能，ISL59452專(zhuān)為交流耦合系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 ISL59451和ISL59452的特性包括：帶寬250MHz；針對(duì)要求雙端負(fù)載的多種應(yīng)用，此器件能夠驅(qū)動(dòng)150Ω視頻載荷，減少反射；亞像素轉(zhuǎn)換率可以實(shí)現(xiàn)無(wú)像素?fù)p耗的視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換，輸出增益可在x1或x2之間選擇；可支持高阻抗輸出；采用帶散熱片的緊湊的QFN封裝，非常適于當(dāng)今空間受限的消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品應(yīng)用。
Intersil
電話(huà)：021-6335-1198
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用于移動(dòng)設(shè)備的低功耗HDMI發(fā)射器 VastLane HDMI發(fā)射器Sii9022與Sii9024顯著地降低了功耗，同時(shí)提高了移動(dòng)設(shè)備的可靠性與電池壽命。Sii9022發(fā)射器的特別設(shè)計(jì)可將HDMI的優(yōu)越性能用于更小的移動(dòng)設(shè)備之上。Sii9024發(fā)射器將用于移動(dòng)設(shè)備，進(jìn)行優(yōu)質(zhì)內(nèi)容的傳輸，并與一個(gè)集成的高帶寬數(shù)字內(nèi)容保護(hù)(HDCP)引擎和鑰匙相結(jié)合，從而使內(nèi)容可以在采用了HDMI的設(shè)備間安全傳輸。Sii9022與Sii9024均可提供85MHz與165MHz的速率。
Silicon Image
電話(huà)：0755-8347-5885
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低功耗MCU為便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備提供完整信號(hào)鏈 MSP430FG4270微控制器能為手持式醫(yī)療應(yīng)用提供完整的信號(hào)鏈，同時(shí)促使價(jià)格進(jìn)一步降低。大容量片上存儲(chǔ)器與全系列集成模擬外設(shè)有助于盡可能降低組件成本，縮小系統(tǒng)占用空間，理想適用于多種便攜式應(yīng)用，如個(gè)人血壓監(jiān)控器、肺活量計(jì)、搏動(dòng)器以及心率監(jiān)控器等便攜式應(yīng)用。 MSP430FG4270的16位RISC架構(gòu)能夠優(yōu)化性能，延長(zhǎng)電池使用壽命――這是便攜式應(yīng)用設(shè)計(jì)人員最關(guān)切的問(wèn)題。片上功能集成了多種組件，其中包含一個(gè)支持內(nèi)部參考與5個(gè)差動(dòng)模擬輸入的高性能16位∑一型ADC、一個(gè)12位DAC、兩個(gè)可配置的運(yùn)算放大器、一個(gè)16位計(jì)時(shí)器和多個(gè)16位寄存器等。
Texas Instruments
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內(nèi)含直流轉(zhuǎn)換控制器的單端口PoE接口器件
內(nèi)含直流轉(zhuǎn)換(DC/DC)控制器以支持以太網(wǎng)供電設(shè)備(PSE)的單端口雙功能以太網(wǎng)供電(PoE)控制器Si3460把兩種功能集成至單顆芯片，協(xié)助設(shè)計(jì)人員大幅簡(jiǎn)化開(kāi)發(fā)工作量、降低系統(tǒng)成本和避免兼容性問(wèn)題，適合家庭網(wǎng)關(guān)、機(jī)頂盒和VoIP系統(tǒng)等新出現(xiàn)的PoE應(yīng)用。
Si3460支持高速(10/100Mb/s)和吉比特以太網(wǎng)端點(diǎn)裝置及中跨設(shè)備(midspans)，并能通過(guò)管腳設(shè)置以輸出最大功率(15.4W，Class 0)給PSE設(shè)備，或?qū)⑤敵龉β氏拗圃贗EEE第1到第3類(lèi)設(shè)備的規(guī)定范圍。
Silicon Laboratories
電話(huà)：021-6237-2233
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用于智能卡的90nm內(nèi)置閃存的安全型微控制器
用90nm制造工藝的內(nèi)置閃存的安全型微控制器ST21F384是ST的ST21智能卡平臺(tái)內(nèi)的一款安全型微控制器，是為2.5G和3G移動(dòng)通信優(yōu)化的產(chǎn)品。
ST21 F384的內(nèi)核是一個(gè)8/16位CPU，線(xiàn)性尋址寬度16MB，典型工作頻率21MHz。芯片內(nèi)置7KB用戶(hù)RAM存儲(chǔ)器，以及128字節(jié)頁(yè)而的384KB閃存，耐擦寫(xiě)能力與早期安全微控制器的EEPROM存儲(chǔ)器相當(dāng)。電流消耗完全符合2G和3G的電源規(guī)格，達(dá)到了(U)SIM的應(yīng)用要求。該微控制器含有一個(gè)硬件DES(數(shù)據(jù)加密標(biāo)準(zhǔn))加速器和用戶(hù)可以訪(fǎng)問(wèn)的CRC(循環(huán)冗余代碼)計(jì)算模塊。
STMieroelectronics
電話(huà)：010 5984-6288
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適合智能動(dòng)力傳動(dòng)應(yīng)用的4KbFRAM存儲(chǔ)器
3V、4Kb并具有串行外設(shè)接口(SPI)的FRAM器件FM25L04-GA現(xiàn)符合Grade 1AEC-Q100的規(guī)范要求，可在40~+125℃的汽車(chē)工作溫度范圍內(nèi)工作。
這款Grade 1 FRAM器件是同等EEPROM產(chǎn)品的直接硬件替代產(chǎn)品，但功能更強(qiáng)，具有高速的寫(xiě)入能力、幾乎無(wú)限次的擦寫(xiě)，以及低工作電流。FM25L04-GA可以在高達(dá)10MHz的總線(xiàn)速度下進(jìn)行讀寫(xiě)操作，并具有先進(jìn)的寫(xiě)保護(hù)方案以防止意外的寫(xiě)入與數(shù)據(jù)損壞。在+125℃時(shí)保證數(shù)據(jù)保存9000小時(shí)，在55℃時(shí)數(shù)據(jù)更可保存17年，在汽車(chē)溫度范圍內(nèi)并以3.0V電壓運(yùn)行。
RAMTRON
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超小型RS-485/RS-422單發(fā)射器
ISL329xE系列3.3V電源供電的RS-485/RS 422單發(fā)射器具有出色的±16.5kV ESD保護(hù)和超低電源電流要求。
該系列發(fā)射器的靜態(tài)電源電流(ICC=150uA，最大值)很低，從而在功耗關(guān)鍵型應(yīng)用領(lǐng)域取得了重大改進(jìn)。此外，所有器件均具有Tx使能引腳，該引腳將IC置于低功耗關(guān)閉模式(ICC=luA，最大值)來(lái)在發(fā)射器被禁用的時(shí)候進(jìn)一步將低功耗。
一般暴露在外界的發(fā)射器輸出上的高級(jí)ESD保護(hù)，以及125℃的工作溫度和TDFN封裝選項(xiàng)的增強(qiáng)型散熱性能彰顯了這些器件的強(qiáng)勁性能。加之1SL328xE系列單RS-485/RS-422接收器，用戶(hù)可以構(gòu)建小型、高度可靠的串行通信端口。
Intersil
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便攜設(shè)備用記憶卡接口芯片
高集成度的微型記憶卡接口芯片EMIF06-SD02F3采用IPAD(有源和無(wú)源器件集成)技術(shù)，內(nèi)置可插拔SD(安全數(shù)字)記憶卡接口所需的五個(gè)基本功
能，適用于帶有SD接口的手機(jī)、GPS導(dǎo)航設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)等各種消費(fèi)類(lèi)和工業(yè)類(lèi)產(chǎn)品。該收發(fā)器集成了信號(hào)調(diào)節(jié)，雙向電平轉(zhuǎn)換、ESD(靜電放電)保護(hù)、EMI(電磁干擾)過(guò)濾單元和一個(gè)2.9V穩(wěn)壓器。
該芯片符合標(biāo)準(zhǔn)的和高速SD接口協(xié)議標(biāo)準(zhǔn)，以及MiniSD、MMc和uSD/TransFlash標(biāo)準(zhǔn)。此外，該芯片還提供6個(gè)高速雙向電平轉(zhuǎn)換器，它們的工作頻率50MHz，典型傳播延遲3ns，能夠把2.9V的記憶卡連接到1.8V主處理器。
STMicroelectronics
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省略
用于摩托車(chē)引擎控制的32位MCU
32位的XC2700系列微控制器適合摩托車(chē)電子引擎裝置，并滿(mǎn)足即將頒布的排放標(biāo)準(zhǔn)要求。 XC2700系列以C166SV2高性能微控制器內(nèi)核為基礎(chǔ)，可在80MHz的頻率下，通過(guò)66MHz五級(jí)管線(xiàn)提供單周期執(zhí)行。它還集成了內(nèi)存、穩(wěn)壓器和接口等關(guān)鍵外設(shè)，以降低系統(tǒng)總體成本，而且該全新的微控制器系列可以采用現(xiàn)有的C166SV2開(kāi)發(fā)軟件，使該系列成為經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。 Infineon Technologies 電話(huà)：021 6101 9000 省略
用于北美LCD數(shù)字電視的單芯片LSI RSJ66954BG可以實(shí)現(xiàn)北美LCD數(shù)字電視的主要信號(hào)處理功能的，包括從前端信號(hào)輸入到后端，如LCD面板的信號(hào)輸出。 芯片功能主要包括：MPEG解碼處理電路；降噪電路(從模擬視頻信號(hào)檢測(cè)和提取噪聲成分以防止屏幕閃爍等的電路)；去隔行掃描電路；Y/C分離電路(分離亮度和色度信號(hào)的電路)；數(shù)據(jù)限幅器功能(諸如隱藏式字幕譯碼功能)；作為L(zhǎng)CD面板控制功能的色彩管理NCM。
Renesas Technology
電話(huà)：021-6472-1001
省略.省略
增強(qiáng)性能16位安全MCU
用于需要高級(jí)別安全性智能卡應(yīng)用領(lǐng)域的RS-4系列16位安全MCU可用于銀行或信貸公司發(fā)出的信用卡或借已卡和身份證。
RS-4系列保持了與其上一代產(chǎn)品的CPU指令代碼的兼容，而且可以實(shí)現(xiàn)大約五倍的處理性能，能夠以高速執(zhí)行復(fù)雜的處理，可以更快地運(yùn)行如JavaCard或MULTOS的多應(yīng)用操作系統(tǒng)(OS)，這對(duì)在單張智能卡上實(shí)現(xiàn)多種功能是非常必要的。此外，其低功耗設(shè)計(jì)使之適用了非接觸操作。RS-4系列有助于開(kāi)發(fā)人員使用一個(gè)16位MCU實(shí)現(xiàn)高性能和多功能的接觸式或非接觸式智能卡。
RS-4系列的RS-4CPU內(nèi)核采用一種新開(kāi)發(fā)的用于安全MCU的專(zhuān)有架構(gòu)。它有一個(gè)16位算術(shù)單元和一個(gè)16位內(nèi)部總線(xiàn)。RS-4CPU內(nèi)核支持較早的代碼級(jí)兼容的瑞薩AE-416位CPU內(nèi)核的整個(gè)指令集。與AE-4系列相比，RS-4系列旨在提供更高的性能、增強(qiáng)的安全性，以及改善的靈活性的更多的外設(shè)功能。RS-4系列的特性概括如下。 Renesas Technology 電話(huà)：021-6472-1001 省略.省略
元器件與組件
PPTC電流過(guò)載保護(hù)器件 picoSMD035F器件是最小的PPTC電流過(guò)載保護(hù)器件，尺寸為2012mm，符合EIA標(biāo)準(zhǔn)的要求。它的額定電壓是6V，保持電流為O.35A，觸發(fā)電流為0.75A，最大電阻值為1.4Ω。這種器件符合安全機(jī)構(gòu)頒布的標(biāo)準(zhǔn)，其端子涂敷了鎳金，因而可焊接性極好。它也符合RollS法規(guī)的要求。
泰科電子(上海)有限公司
電話(huà)：021-6485 7333
省略
晶閘管浪涌保護(hù)器件
44款新的NPxxx器件是大浪涌電流TSPD，保護(hù)電壓范圍是64～350V，提供額定浪涌電流為50、80和100A等不同版本；可限制電壓，并將浪涌電流轉(zhuǎn)移至地。它們屬于雙向保護(hù)器件，因此能夠在一個(gè)封裝中提供兩個(gè)器件的功能，節(jié)省出電路板空間?；旧?，這些器件在過(guò)壓發(fā)生時(shí)進(jìn)行“消弧”一將可能帶來(lái)潛在損傷的電能轉(zhuǎn)移出敏感電路或器件。一旦瞬態(tài)過(guò)壓狀況過(guò)去，這些器件就會(huì)恢復(fù)到它們正常的“關(guān)閉”或透明狀態(tài)，并且無(wú)形地在電路正常工作中發(fā)揮功能。這些TSPD沒(méi)有耗損特性，在快速瞬態(tài)情況下提供穩(wěn)定的性能特征，確保設(shè)備可靠持續(xù)地操作。 ON Semiconductor 電話(huà)：021-5131 7168 省略
基于siGec BicMOs工藝的微波NPN昌體管 BFU725F微波NPN晶體管基于SiGeC BiCMOS工藝，具有高開(kāi)關(guān)頻率、高增益和超低噪聲等多重特點(diǎn)，適用于各種RF應(yīng)用。超低噪聲可以改善各種無(wú)線(xiàn)設(shè)備(例如GPS系統(tǒng)、DECT電話(huà)、衛(wèi)星無(wú)線(xiàn)電設(shè)備、WLAN/CDMA應(yīng)用)中靈敏的RF接收器的接收效果，而超高斷開(kāi)頻率則可以很好地滿(mǎn)足運(yùn)行頻率在lO～30GHz內(nèi)的各種應(yīng)用(例如衛(wèi)星低噪聲電路模塊)的需求。BFU725F符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，可達(dá)到極低的噪聲(1.8GHz0.43dB/5.8GHz時(shí)0.7dB)和很高的最大穩(wěn)定增益(1.8GHzN27dB/180Hz時(shí)10dB)。
NXP Semiconductors
電話(huà)：010-6517-2288
SCn.省略
可單獨(dú)控制紅色、綠色及藍(lán)色的LED芯片
高亮度VLMRGB343..提供了高達(dá)285mcd(紅色)、560mcd(綠色)及200mcd(藍(lán)色)的光強(qiáng)度，可針對(duì)苛刻的高效應(yīng)用單獨(dú)控制紅色、綠色及藍(lán)色LED芯片，專(zhuān)門(mén)針對(duì)汽車(chē)與運(yùn)輸、消費(fèi)類(lèi)及普通應(yīng)用中的背光及照明進(jìn)行了優(yōu)化。該器件為黑色表面，可與所有視頻標(biāo)準(zhǔn)兼容，其采用占位面積為3.2mm×2.8mm、厚度僅為1.8mm的小型PLCC-4封裝。 VLMRGB343..省略
省略
電源
低功耗系列電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列
REF33xx是5uA低功耗系列電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品，具備高精度(最大±0.15％)、低溫度失調(diào)(最大30ppm/C)、低噪聲(輸出28uVpp/V)、±5mA的穩(wěn)定輸出驅(qū)動(dòng)電流以及SC70-3封裝(比SOT23小40％)等多種特性。
該系列提供6種輸出電壓：1.25V(REF3312)、1.8V(REF3318)、2.048V(REF3320)、2.5V(REF3325)、3.0V(REF3330)以及3.3V(REF3333)。在具體負(fù)載情況下，這些器件還能在高于輸出電壓110mV的電源電壓下工作，REF3312除外，它要求1.8V的最小電源電壓。該系列的所有型號(hào)均可在40～+125℃的寬泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
Texas Instruments
電話(huà)：800-820-8682
省略
MR16兼容式LED射燈專(zhuān)用芯片組
該芯片組能夠把現(xiàn)有解決方案的元件數(shù)目減少多達(dá)50％，大幅減少燈頸部分印刷電路板的尺寸和重量。這款高集成度的MRl6芯片組可以提供所有相關(guān)的功率整流、LED電流控制和保護(hù)功能。MR16是鹵素反射燈的標(biāo)準(zhǔn)格式，目前在各種家居、零售或辦公室環(huán)境中的方向性照明應(yīng)用中得到了廣泛采用。以L(fǎng)ED制成的不同類(lèi)型電燈設(shè)備，不論在效率和可靠性方面皆得到顯著改善。
Zetex Semiconductors
電話(huà)：852-2610-7932
省略
16位12C LED調(diào)光器
CAT9532為背光和RGB混色應(yīng)用提供驅(qū)動(dòng)16個(gè)并聯(lián)LED的能力，并同時(shí)提供256繳調(diào)光的功能。這個(gè)器件也可以單獨(dú)開(kāi)啟，關(guān)閉或閃爍每個(gè)LED(閃爍頻率有兩種可編程方案可選)，此外，該器伴還可以通過(guò)laC或SMBus接口實(shí)現(xiàn)傳感器控制，電源開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)按鈕和狀態(tài)指示照明等功能。
產(chǎn)品特性：16個(gè)漏極開(kāi)路輸出，每路驅(qū)動(dòng)電流為25mA；兩種可編程閃爍頻率：頻率為0.593～153Hz，占空比為O％～99.6％；I/O町被用做通用I/O口；兼容400kHz I2C總線(xiàn)規(guī)范；24引腳SOIC，TSSOP或者24焊點(diǎn)(pad)TQFN封裝(尺寸為4mm×4mm)。
Catalyst
電話(huà)：021-6249-1349
省略
高度集成照明管理IC MAX8830無(wú)須獨(dú)立的控制IC，內(nèi)置四路10mA電流調(diào)節(jié)器，適合于顯示背光或指示信號(hào)應(yīng)用的LED驅(qū)動(dòng)。LED亮度可通過(guò)VC接口分32級(jí)獨(dú)立調(diào)節(jié)。它還集成了低壓差(75mV，典型值)200mA閃光燈電流調(diào)節(jié)器，允許用戶(hù)通過(guò)I2C接口獨(dú)立編程16級(jí)電影和閃光燈模式?？删幊涕W光燈安全定時(shí)器可防止由于閃光燈長(zhǎng)時(shí)間導(dǎo)通引起的手指燒傷或LED損壞。相機(jī)模塊可以采用簡(jiǎn)單的邏輯引腳直接控制閃光燈模式，而電影模式可以通過(guò)邏輯控制或I2C按口使能。280mA升壓轉(zhuǎn)換器同時(shí)集成了開(kāi)關(guān)MOSFET和整流管。
MAX8830可自動(dòng)檢測(cè)開(kāi)路和短路LED，并可通過(guò)12C接口讀取該狀態(tài)。其他功能還包括DC/DC轉(zhuǎn)換器的過(guò)流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)，同時(shí)還可以工作在－40+85℃擴(kuò)展級(jí)溫度范圍。
Maxim
電話(huà)：010-6211-5199
省略
高電壓、高亮度LED驅(qū)動(dòng)器
MAX16812集成了高壓側(cè)/差分LED電流檢測(cè)放大器以及PWM調(diào)光MOSFET驅(qū)動(dòng)器。此外，該器件還內(nèi)置76V額定、0.2 Ω開(kāi)關(guān)MOSFET，具有寬達(dá)100～500kHz的工作頻率范圍。MAXl6812工作在5.5～76V電源電壓范圍，可滿(mǎn)足冷啟動(dòng)和甩負(fù)載應(yīng)用。它具有過(guò)壓保護(hù)、欠壓鎖定、軟啟動(dòng)以及熱關(guān)斷；規(guī)定工作在-40-+125℃汽車(chē)及溫度范圍，采用熱增強(qiáng)型5mm×5mm、28引腳TQFN封裝。
Maxim
電話(huà)：010-6211-5199
省略
針對(duì)移動(dòng)設(shè)備的低噪聲開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
AAT2120和AAT2158的功率轉(zhuǎn)換效率分別為96％和95％。AAT2120可提供高達(dá)500mA的輸出電流，而AAT2158可為需要更高水平電能的應(yīng)用提供高達(dá)1.5A的輸出電流。兩款器件的輸入電壓范圍均為2.7～5.5V，并支持提供低至0.6V的輸出電壓。為增強(qiáng)保護(hù)性能，這兩款降壓轉(zhuǎn)換器都提供內(nèi)部軟啟動(dòng)、過(guò)溫和限流保護(hù)電路。這兩款新型降壓轉(zhuǎn)換器還通過(guò)增加100％占空比低壓降操作，延長(zhǎng)系統(tǒng)的運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間。
AnalogicTech
電話(huà)：010-5162-7271
省略
雙轉(zhuǎn)換速率可控負(fù)載開(kāi)關(guān)
AAT4282A支持運(yùn)行在1.5-6.5V輸入范圍內(nèi)的3V和5V系統(tǒng)，其靜態(tài)電流僅為1uA。輸入邏輯電平為晶體管晶體管邏輯(TTL)或2.5V到5V互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)兼容。
AAT4282A可提供帶有不同開(kāi)與關(guān)特點(diǎn)的三個(gè)版本。其中，AAT4282A―l是一款帶有轉(zhuǎn)換速率限制的負(fù)載開(kāi)關(guān)，AAT4282A-2具有少于500ns的開(kāi)啟速度和低于3us典型電流值A(chǔ)AT4282A-3添加了最小轉(zhuǎn)換速率限制開(kāi)啟功能和一個(gè)關(guān)閉輸出放電電路，當(dāng)開(kāi)關(guān)損壞時(shí)可迅速關(guān)閉電路。
AnalogieTech
電話(huà)：010-5162-7271
省略
升降型DC/DC微型模塊穩(wěn)壓器 LTM4605在15mm×15mm×2.8mm焊盤(pán)網(wǎng)格陣列(LGA)塑料模制封裝中集成了同步升壓－降壓型DC/DC控制器，4個(gè)N溝道MOSFET、輸入和輸出旁路電容器以及補(bǔ)償電路。該器件只需要一個(gè)電感器、反饋和檢測(cè)電阻以及大容量電容器就可實(shí)現(xiàn)非常扁平、緊湊和高效率的設(shè)計(jì)。性能特點(diǎn)：?jiǎn)坞姼衅鹘祲海龎盒图軜?gòu)；同步4開(kāi)關(guān)工作實(shí)現(xiàn)高效率(高達(dá)98％)寬輸入電壓范圍：4.5～20V；寬輸出電壓范圍：0.省略
省略
單/雙/四/八通道精準(zhǔn)電壓監(jiān)視器
LTC2910，LTC2912、LTC2913和LTC2914在汽車(chē)溫度范圍內(nèi)都具有±1.5％的門(mén)限準(zhǔn)確度，可以準(zhǔn)確監(jiān)視單通道負(fù)載點(diǎn)或多通道應(yīng)用。性能特點(diǎn)：8個(gè)低壓可調(diào)輸入(LTC2910)；4個(gè)UV/OV正/負(fù)可調(diào)輸入(LTC2914)；兩個(gè)UV/OV可調(diào)輸入(LTC2913)；1個(gè)UV/OV可調(diào)輸入(LTC2912)；保證門(mén)限準(zhǔn)確度：±1.省略
省略
共陽(yáng)電流模式高亮度LED驅(qū)動(dòng)器
LM3433可以輸出負(fù)恒定電流來(lái)驅(qū)動(dòng)高功率高亮度的LED，設(shè)有兩種調(diào)節(jié)LED亮度的電流控制模式。模擬電流控制模式可以利用輸入信號(hào)調(diào)節(jié)電流，以便為不同品牌的LED提供補(bǔ)償。另一電流控制模式利用邏輯電平調(diào)光控制輸入信號(hào)，以PWM的控制方式控制LED的亮度。PWM的控制模式利用并行開(kāi)關(guān)將LED連接一起，令PWM調(diào)光控制頻率可以高達(dá)40kHz。這款芯片還具備過(guò)熱停機(jī)保護(hù)、VCC欠壓鎖定及邏輯電平停機(jī)模式等其他功能。
National Semiconductor
電話(huà)：021-5206-2288
省略
內(nèi)置電壓參考電路的微功率比較器
LMP7300的偏置電壓只有300uV，而供電電流只有10uA。其供電電壓為2.7～12V，最適用于3.3V、5V及±5V的系統(tǒng)。此外，這款芯片又可提供2.0～48V的參考電壓，而且誤差不超過(guò)0.25％，這樣準(zhǔn)確的參考電壓最適宜用來(lái)監(jiān)控輸入電壓。這款比較器的傳播延遲時(shí)間不超過(guò)5ms，因此可以快速檢測(cè)信號(hào)，而且準(zhǔn)確度極高，功耗也極低。
National Semiconductor
電話(huà)：021-5206-2288
省略
用于LCD面板的LED驅(qū)動(dòng)器
CAT4139升壓轉(zhuǎn)換器提供高達(dá)750mA的切換電流，可驅(qū)動(dòng)高達(dá)22V的LED串，是數(shù)字相框與其他新興的需要多達(dá)40個(gè)LED作背光的應(yīng)用的理想選擇；使用固定頻率(1MHz)的切換電路架構(gòu)；內(nèi)建高壓CMOS輸出級(jí)，可在低輸入電壓狀態(tài)下精確驅(qū)動(dòng)5個(gè)串聯(lián)的LED(輸出電壓可達(dá)22V)，轉(zhuǎn)換效率高達(dá)87％。
為了抑制上電時(shí)產(chǎn)生的浪涌(in-rush)電流，CAT4139集成了軟啟動(dòng)控制電路。針對(duì)LED開(kāi)路損壞的情況，片內(nèi)的過(guò)壓保護(hù)電路通過(guò)限制芯片的輸出電壓來(lái)強(qiáng)制芯片進(jìn)入低功耗模式，無(wú)須任何額外器件。上述的兩個(gè)特性已被完全整合在芯片內(nèi)，不需增加外部組件和相關(guān)成本，還節(jié)省了電路板空間。
Catalyst
電話(huà)：021-6249-1349
省略
9μVRMS超低噪聲LDO ASl358/59/6l/62系列可在2-5.5V電源F工作，其在150mA時(shí)的低壓降電壓為70mV，在300mA時(shí)為140mV(僅ASl359/62)，工作時(shí)的電流僅為40uA，關(guān)斷時(shí)僅為9nA；可提-供1.4 4.5V范圍的預(yù)設(shè)輸出電壓，在300mA下的輸出電壓精度可達(dá)到1％；具有電源工作正常輸出功能，當(dāng)輸出電壓降至規(guī)定范圍以外時(shí)會(huì)發(fā)出提示信號(hào)，導(dǎo)通時(shí)間僅為300μs的數(shù)字引腳有助干實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)的動(dòng)態(tài)電源管理；具有過(guò)熱和過(guò)電流保護(hù)功能。該系列有150mA(AS1358/61)和300mA(ASl359/62)兩種輸出電流供選擇，可為各種應(yīng)用提供足夠的功率。
ausiriamicrosystems
電話(huà)：0512-6762-2590
省略
具有ESD保護(hù)的DC-AC轉(zhuǎn)換器
MAX4990E高壓、±15kV ESD保護(hù)、DC-AC轉(zhuǎn)換器專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)電致發(fā)光(EL)燈。該器件采用基于電感的boost轉(zhuǎn)換器，可產(chǎn)生250Vp-p(最大值)的高電壓，實(shí)現(xiàn)最大的EL燈亮度。高壓全橋輸出將這一高電壓轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)EL燈所需的交流波形，為實(shí)現(xiàn)最大的設(shè)計(jì)靈活性，MAX4990E具有可減少音頻噪聲的電阻可調(diào)擺率控制，電容可調(diào)的開(kāi)關(guān)頻率，以及多種選項(xiàng)用于控制出電壓。該器件適合用于MP3播放器、PDA、智能電話(huà)以及其他需要照明、高效率其至背光的應(yīng)用。
Maxim
電話(huà)：010-621 1-5199
省略
符合VID標(biāo)準(zhǔn)的PWM控制器
ISL884xA是一系列的六個(gè)獨(dú)特脈寬調(diào)制(PWM)控制器，在30V的電壓下以2MHz的開(kāi)關(guān)頻率進(jìn)行工作。ISL6420BMAEP是一款單獨(dú)同步降壓PWM控制器，它具有寬的輸入電壓范圍-(4.5～28V)，寬輸出電壓范圍(0.6～17.5V)，并能夠處理極寬的極度軍事溫度范圍。
Intersil
電話(huà)：021-6335-1198
省略
帶PWM調(diào)光功能的白光LED驅(qū)動(dòng)芯片系列
SB4251l，SB42520和SB4282的輸入電壓為6～25V，輸出電流可達(dá)1A；內(nèi)置溫度保護(hù)電路，限流保護(hù)電路和PWM調(diào)光電路；在串接多個(gè)LED時(shí)的效率可以達(dá)到95％以上，可以進(jìn)行PWM調(diào)光，通過(guò)外接PWM信號(hào)調(diào)整LED的輸出電流，在100Hz～2kHz范圍內(nèi)可以達(dá)到良好的調(diào)光效果；另外，SB42511、SB42520芯片內(nèi)部的自舉電路采用獨(dú)特的控制方法，不需要外接肖特基，在串接多個(gè)LED時(shí)也可以啟動(dòng)，這相對(duì)干采用自舉方式工作的其他同類(lèi)產(chǎn)品在性能上有了很大的提高。SB42821采用恒關(guān)斷控制技術(shù)，不需要進(jìn)行環(huán)路補(bǔ)償，所需元器件少。此外，SB42821和SB42520內(nèi)部還集成了使能功能，在關(guān)斷狀態(tài)下，靜態(tài)電流只有25μA。
杭州士蘭
電話(huà)：0571-8821 0880
省略
測(cè)試和測(cè)量
萬(wàn)兆以太網(wǎng)線(xiàn)外串?dāng)_測(cè)試套件
萬(wàn)兆以太網(wǎng)(10GbE)線(xiàn)外串?dāng)_測(cè)試
套件LANTEKl0GBKIT符合國(guó)際測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，配合LANTEK 6A和LANTEK7G線(xiàn)纜認(rèn)證測(cè)試儀實(shí)現(xiàn)線(xiàn)外串?dāng)_測(cè)試功能。線(xiàn)外串?dāng)_(Alien Crosstalk)是在利用雙絞線(xiàn)傳輸遞增頻率時(shí)所產(chǎn)生的副作用，需要利用傳統(tǒng)方式以外的方法來(lái)進(jìn)行測(cè)試以確保電纜之間的串?dāng)_不會(huì)妨礙10Gb正數(shù)據(jù)的傳輸。這款LANTEKl0GBKIT由一個(gè)雙接口線(xiàn)外串?dāng)_適配器和12個(gè)專(zhuān)用的線(xiàn)外串?dāng)_終端組成。雙接口線(xiàn)外串?dāng)_適配器支持單機(jī)測(cè)試，無(wú)須接入遠(yuǎn)端機(jī)。利用這個(gè)套件及一個(gè)簡(jiǎn)單的更新軟件，任何LANTEK 6A或LANTEK 7G線(xiàn)纜認(rèn)證測(cè)試儀都可以升級(jí)以提供標(biāo)準(zhǔn)兼容的線(xiàn)外串?dāng)_測(cè)試。
Ideal Industries China LLC
電話(huà)：010-8518"3141
省略
具有MSO混合測(cè)試功能的虛擬示波器
RIGOL VS5000系列虛擬數(shù)字示波器實(shí)時(shí)采樣率高達(dá)400MS/s，等效采樣率50GS/s，存儲(chǔ)深度1M采樣點(diǎn)，可提供40MHz至最高200MHz帶寬的寬泛選擇，VS5000系列采用UltraZoom技術(shù)，結(jié)合16通道邏輯分析功能，可實(shí)現(xiàn)MSO混合測(cè)試。
RIGOL VS5000系列虛擬數(shù)字示波器突破了傳統(tǒng)示波器以硬件為主體的模式，將日益普及的計(jì)算機(jī)技術(shù)與傳統(tǒng)的儀器儀表技術(shù)結(jié)合起來(lái)，使用戶(hù)在操作計(jì)算機(jī)時(shí)，可以全屏幕清晰顯示數(shù)據(jù)/波形，可以方便靈活地完成對(duì)被測(cè)設(shè)備的采集、分析、判斷、顯示及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等工作。
VS5000系列虛擬數(shù)字示波器設(shè)計(jì)優(yōu)秀，體積小巧，凈重僅0.7kg。采用鋁鎂合金精密加工的外殼結(jié)實(shí)、耐用，更完全解決了普通塑料外殼抗干擾性差的缺點(diǎn)。與一些常見(jiàn)的工業(yè)板卡式虛擬儀器不同，Vs5000系列支持通用USB2.0高速接口和LAN接口，即插即用，可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程控制，讓用戶(hù)的測(cè)試更加方便。
RIGOL
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PXI Exptess定時(shí)與同步控制器
PXI Express系統(tǒng)定時(shí)擰制器PXIe-6672可以同步具有納秒精度的多個(gè)PXI Express系統(tǒng)。該控制器還便于同步配備GPIB、VXI和其他測(cè)量和儀器系統(tǒng)的PXI Express系統(tǒng)。該系統(tǒng)定時(shí)控制器生成的高精度的DC～105MHz時(shí)鐘能夠?qū)x器定時(shí)在精確的時(shí)鐘頻串上，并具有高穩(wěn)定性的TCXO參考時(shí)鐘。工程師可通過(guò)控制器中內(nèi)外部時(shí)鐘和觸發(fā)的板載路由，完全控制PXI觸發(fā)總線(xiàn)、星狀觸發(fā)線(xiàn)和系統(tǒng)參考時(shí)鐘。該控制器還可用于實(shí)現(xiàn)單個(gè)PXIExpress機(jī)箱中的復(fù)雜同步方案，是高通道數(shù)和高性能測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用的重要功能。
NI
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具備集成化GPS收發(fā)器的PXI同步模塊
PXI-6682能夠在GPS，IRIG(Inter-Range Instrumentation Group)和IEEE 1588上同步PXI系統(tǒng)。PXI-6682可提供GPS的時(shí)間、場(chǎng)所和速度，IRIG-B解碼和IEEE 1588同步。該模塊的設(shè)計(jì)針對(duì)大型物理對(duì)象(如：飛機(jī)和橋梁)和地理分布式系統(tǒng)(如：電源網(wǎng)絡(luò)和加速器)中測(cè)量或事件的時(shí)間標(biāo)記和觸發(fā)。工程師還能將該模塊用做IEEE 1588網(wǎng)絡(luò)中的總開(kāi)關(guān)。IEEE1588精度時(shí)間協(xié)議(P了P)的標(biāo)準(zhǔn)方式能夠同步以太網(wǎng)上的PXI、LXI和其他基于IEEE 1588的設(shè)備。另外，PXI-6682具有完整的PXI系統(tǒng)定時(shí)控制器功能，包括：控制PXI觸發(fā)總線(xiàn)、星狀觸發(fā)線(xiàn)和系統(tǒng)參考時(shí)鐘等能力。
NI
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覆蓋波長(zhǎng)超過(guò)2μm的光譜分析儀
AQ6375光譜分析儀利用衍射光柵測(cè)量光譜，波長(zhǎng)范圍覆蓋1200～2400nm，波長(zhǎng)分辨率在0.05～2.0nm之間，最小接收靈敏度為-70dBm，并可在1s內(nèi)完成對(duì)100nm的掃描。它可以對(duì)主要用于環(huán)境監(jiān)測(cè)領(lǐng)域2μm波段半導(dǎo)體激光器進(jìn)行測(cè)量，對(duì)改善近紅外半導(dǎo)體激光器的性能與擴(kuò)展它的應(yīng)用提供有效幫助，從而有助于解決環(huán)境監(jiān)測(cè)過(guò)程中測(cè)量分辨率、測(cè)量速度、可操作性與維護(hù)等問(wèn)題。1200～2400nm的波長(zhǎng)覆蓋范圍使它不僅可以對(duì)激光吸收譜進(jìn)行測(cè)量，也可以對(duì)1310mm、1550nm通信波段進(jìn)行測(cè)量，不僅可以用于半導(dǎo)體激光器測(cè)量，還可以用于超連續(xù)譜(SC)光源的測(cè)量。
YOKOGAWA
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省略/cn-ysh
臺(tái)式數(shù)字萬(wàn)用表
Fluke 8808A型臺(tái)式數(shù)字萬(wàn)用表提供了5.5位的分辨率和多種測(cè)量能力，它具有一個(gè)雙參數(shù)顯示屏，用戶(hù)能夠同時(shí)測(cè)量?jī)蓚€(gè)不同但相關(guān)的參數(shù)，其測(cè)量功能包括電壓、電阻、電流和頻率，其直流電壓基本準(zhǔn)確度為0.01％。儀表采用了低阻抗輸入測(cè)量電路，能夠以100nA的分辨率測(cè)量小于200μA的小電流，并且被測(cè)電路不產(chǎn)生負(fù)載電壓。Fluke 8808A的2×4四線(xiàn)歐姆功能采用了專(zhuān)有的分隔端子插頭，用戶(hù)僅利用2根而非4根測(cè)試引線(xiàn)即可進(jìn)行四線(xiàn)歐姆測(cè)量。通過(guò)可選的2×4測(cè)試線(xiàn)，就可以對(duì)微型表面貼裝元件進(jìn)行精密的四線(xiàn)歐姆測(cè)量。
Fluke 8808A在前面板上提供了6個(gè)專(zhuān)用的功能設(shè)置按鍵，其功能類(lèi)似于汽車(chē)收音機(jī)上的“預(yù)選”按鈕，操作人員可快速、簡(jiǎn)單地執(zhí)行測(cè)試程序。該儀器提供了具有“合格/不合格”指示的“高/低”限值比對(duì)模式，提供了測(cè)試一致性，可提高制造測(cè)試應(yīng)用中的質(zhì)量和效率。
Fluke
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面向高速串行數(shù)據(jù)的13GHz測(cè)試方案
該13GHz測(cè)試系統(tǒng)由SDAl3000串行數(shù)據(jù)分析儀、D13000PS有源差分探頭和一套創(chuàng)新的調(diào)試和分析工具組成，由于13GHz的帶寬、40GS/s的采樣率及]OOMpts/ch的內(nèi)存，SDAl3000可以在開(kāi)發(fā)過(guò)程中調(diào)試極具挑戰(zhàn)性的物理層問(wèn)題，為針對(duì)下一代串行數(shù)據(jù)標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行一致性測(cè)試提供了完美的解決方案，如FB-DIMM、光纖通道、SAS、SATA、InfiniBand和PCI-Express。調(diào)試工具包括眼圖違規(guī)定位程序和1SI(碼間干擾)曲線(xiàn)，可以了解哪個(gè)位或哪種位組合導(dǎo)致的錯(cuò)誤最多，其他工具包括PJ(周期性抖動(dòng))分類(lèi)功能，幫助工程師了解給總
抖動(dòng)帶來(lái)的周期性抖動(dòng)最多的來(lái)源，Eye Doctor、Wavescan和8b/10b解碼和搜索等功能進(jìn)一步增強(qiáng)了SDAl3000的串行數(shù)據(jù)解決方案。
LeCroy
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Agilent UsB DAQ家族推出更多獨(dú)立型和模塊化解決方案
Agilent DAQ家族集多功能DAQ和數(shù)字輸入/輸出裝置于一體，既可獨(dú)立使用，也可作為模塊使用。當(dāng)在Agilent U2781A模塊化主機(jī)中使用時(shí)，可擴(kuò)展到384個(gè)通道。主機(jī)能裝入不同功能的模塊，從而幫助用戶(hù)實(shí)現(xiàn)各種裝置和應(yīng)用的同步。
Agilent USB DAQ家族包括：Agilent U2500A系列同時(shí)采樣多功能DAQ裝置，它最適合對(duì)相位敏感的應(yīng)用，Agilent U2300A系列多功能DAQ裝置，它提供每通道達(dá)3Mpts/s的高采樣率，最適合要求電參數(shù)和物理參數(shù)測(cè)量的機(jī)電應(yīng)用，Agilent U2100A和U2600A系列隔離數(shù)字=輸入/輸出裝置，它最適合與各種傳感器及執(zhí)行器一起工作，以實(shí)現(xiàn)完美的機(jī)器控制與自動(dòng)化；Agilent U2781A6槽模塊化儀器主機(jī)為U2300，U2500和U2800系列模塊提供通道擴(kuò)展，Agilent U 2802A熱偶輸入裝置與U2355A/U2356A DAQ模塊一起進(jìn)行溫度測(cè)量。
Agilent Technologies
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M-Type 1GHz示波器使設(shè)計(jì)驗(yàn)證更快捷
新推出的這兩款M-Type 1GHz示波器在1GHz帶寬儀器中提供了極高的信號(hào)保真度、完整的測(cè)量功能和優(yōu)異的原始性能。每臺(tái)示波器標(biāo)配完善的一系列分析工具，包括WaveScan高級(jí)搜索和分析功能、WaveStream快速查看模式和獨(dú)特的文件管理和報(bào)告編制工具LabNotebook。
M-Type示波器分成兩種型號(hào)：WaveSurfer 104 MXs和WaveRunner104MXi。WaveRunner MXi具有10GS/s的最高采樣率及12.5Mpts/ch的標(biāo)配存儲(chǔ)器(采用通道復(fù)用時(shí)可以達(dá)到25Mpts/ch)WaveSurfer MXs在每條通道上提供了5GS/s的采樣率及10Mpts/ch的存儲(chǔ)器，此外，所有M-Type示波器都兼容選配的低速串行觸發(fā)，其解碼軟件可以幫助工程師使用易讀的透明重疊、搜索/放大功能和表格顯示功能，迅速分析I2C、SPI、UART、RS-232、CAN、LIN和FlexRay協(xié)議。
LeCroy
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計(jì)算機(jī)及外設(shè)
PIC Express接口高速圖像采集卡PCle-RTV24
PCIe-RTV24是基于PCI Express技術(shù)的高速圖像采集卡，能提供PCIExpress×1傳輸速度、4通道輸出，與現(xiàn)有PCI接口完全兼容的軟件層。它具備4個(gè)獨(dú)立的圖像處理IC，模擬方式的圖像采集速度達(dá)到每通道每秒30幀，支持彩色RGB24、RGBl6與灰階圖像數(shù)字輸出格式，可讀取一般混合式模擬彩色(如：PAL、NTSC)或黑白(如：CCIR、EIA)視訊信號(hào)，并提供4CIF、CIF及QCIF等圖像分辨率格式，畫(huà)面不失真。在圖像功能之外，凌華PCIe-RTV24圖像采集卡還提供4個(gè)TTL(數(shù)字集成電路)輸出、輸入及Watch dog定時(shí)器，可用于燈源控制。
凌華科技
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寬溫級(jí)微型主板
FixBoard-800E能夠在-40～+80℃寬溫級(jí)的環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。其支持1.8GHz的Intel Pentium M uFCPGA478CPU，也可搭配板載IGIIz的Intel超低電壓Celeron M CPU，F(xiàn)SB400MHz或1.4GHz的Intel低電壓Pentium M CPU；芯片組采用了Intel852GM+Intel ICH4，支持DDR200/266 SDRAM，最高IGB。
FixBoard-800E支持獨(dú)立雙顯示功能，顯示芯片為Intel852GM集成，最大支持64MB UMA顯存。LCD顯示可支持18/36 bit LVDS，最高分辨率為1400×1050，CRT顯示可支持分辨率1920×1440。
FixBoard-800E帶有6個(gè)USB2，0接口，2×RS-232/422/485接口，4×RS-232(通過(guò)子板SCDB-1293)，1×PCI，1×PC/104&PC/104Plus接口，方便用戶(hù)自行擴(kuò)展多種外接功能組件。
ARBOR中國(guó)
電話(huà)：0755-8343-8567
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基于InteL core2 Duo的ETX模塊
ETX-NR667符合最新ETX3.02規(guī)格，增加了兩個(gè)SATA端口連接器，可以與早期ETX版本完全兼容。ETX-NR667的CPU可以為ULV IntelCeleron或者Intel Core2 Duo，ETX-NR667具備可支持高達(dá)2GB DDR2內(nèi)存模塊的SODIMM插槽。圖形支持功能包括單或雙通道24位LVDS，AnalogCRT和電視輸出(SDTV and HD7V)，ETX-NR667提供一個(gè)雙端口SA了A控制器，同時(shí)支持一個(gè)10/100BASE-T以太網(wǎng)絡(luò)端口，一個(gè)PATA EIDE控制器，4個(gè)USB 2.0端口，2個(gè)串行端口，1個(gè)并行端口(SPP/ECP/EPP)，1個(gè)PS/2鍵盤(pán)，鼠標(biāo)，1個(gè)AC97音效，以及電源管理功能。ETX-NR667可以支持PCI和ISA，其他嵌入式功能包含Watchdog控制器，RS-232終端以及CMOS EEPROM備份，以防BIOS設(shè)定在電力不足時(shí)數(shù)據(jù)失。
此外，ETX-NR667可支持windows XP，Windows XPEmbedded，Linux和Vxworks等軟件平臺(tái)。
凌華科技
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軟件
面向DSP設(shè)計(jì)的ESL綜合流程技術(shù)
DSP軟件現(xiàn)在可支持FPGA器件，提供高級(jí)建模和硬件抽象，能轉(zhuǎn)為RTL的約束限制(constraint-driven)算法綜
合，以及為性能、占用面積和多通道化等特性提供系統(tǒng)性?xún)?yōu)化功能。DSP和FPGA架構(gòu)的結(jié)合有助于設(shè)計(jì)人員輕松快速地捕獲多速率DSP算法。DSP還適用于無(wú)線(xiàn)算法設(shè)計(jì)，數(shù)字RF/IF處理、FEC(正向糾錯(cuò))與數(shù)字多媒體(音頻和視頻)加密以及高性能計(jì)算等開(kāi)發(fā)FPGA應(yīng)用。DSP的矢量支持功能可顯著簡(jiǎn)化多通道無(wú)線(xiàn)算法，以及MIMO、視頻、雷達(dá)和安全應(yīng)用等多天線(xiàn)算法的創(chuàng)建。通過(guò)這些新功能，用戶(hù)可以將復(fù)雜的無(wú)線(xiàn)算法(例如WiMAX、802.11a/b/g/n和DVB等標(biāo)準(zhǔn))快速地描述、驗(yàn)證以及實(shí)施到硬件當(dāng)中。
Synplicity
電話(huà)：021-6426-7766
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用于高亮度LED設(shè)計(jì)的在線(xiàn)設(shè)計(jì)工具
WEBENCH在線(xiàn)設(shè)計(jì)工具可協(xié)助工程師快速篩選二百多款高亮度LED。采用這一系統(tǒng)設(shè)計(jì)工具，工程師鍵入設(shè)計(jì)所要求的大小和效率，就能模擬有關(guān)電路的動(dòng)態(tài)特性進(jìn)行模擬測(cè)試，例如啟動(dòng)、穩(wěn)態(tài)、脈沖寬度調(diào)制(PWM)光暗控制以及線(xiàn)路瞬態(tài)等。經(jīng)過(guò)幾分鐘的最后微調(diào)之后，“建?？炀€(xiàn)”功能便會(huì)為用戶(hù)編列一份有關(guān)LED系統(tǒng)所需的物料清單，而且還可快速完成包含LED，個(gè)人電腦電路板、驅(qū)動(dòng)器集成電路及無(wú)源元件在內(nèi)的客戶(hù)定制化模型套件。
National Semiconductor
電話(huà)：021-5206-2288
省略
下一代Wind Rivet商用級(jí)Linux平臺(tái)
面向嵌入式設(shè)備軟件優(yōu)化的下，代Wind River Linux平臺(tái)基于2.6.21Linux內(nèi)核，為用戶(hù)提供一個(gè)采用eross-build架構(gòu)環(huán)境的基于標(biāo)準(zhǔn)的Linux平臺(tái)，還專(zhuān)門(mén)為用戶(hù)提供了對(duì)64位應(yīng)用的支持，包括能夠支持各種架構(gòu)下用于內(nèi)核和用戶(hù)空間調(diào)試的工具等，新的Wind River Linux平臺(tái)還增加了更多的BSP (B0ard supportPackages)支持，包括用于Wind RiverReal-Time Core for Linux的各種BSP等，新的平臺(tái)將提供一整套適用于未來(lái)商用級(jí)嵌入式Linux參考的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
Wind River
電話(huà)：010-6439-8185
httpp://省略
互聯(lián)網(wǎng)收音機(jī)參考設(shè)計(jì)
RadioPro是一款Wi-Fi互聯(lián)網(wǎng)收音機(jī)參考設(shè)計(jì)，它基于UniFi單芯片Wi-Fi技術(shù)。RadioPro無(wú)須PC即可通過(guò)Wi-Fi提供互聯(lián)網(wǎng)無(wú)線(xiàn)電廣播，并通過(guò)一個(gè)專(zhuān)門(mén)的互聯(lián)網(wǎng)無(wú)線(xiàn)電廣播門(mén)戶(hù)網(wǎng)站支持10000多個(gè)無(wú)線(xiàn)電臺(tái)，另外其軟件可升級(jí)。
RadioPro基于CSR公司的兩種低功耗芯片：一個(gè)是UniFi，它是CSR公司的單芯片Wi-Fi解決方案，另一個(gè)是多媒體應(yīng)用處理器(MAP)，它是由RISe處理器、DSP和立體聲編解碼器高度集成的芯片。RadioPro利用CSR公司的UniFi-I芯片并通過(guò)Wi-Fi接入點(diǎn)來(lái)連接專(zhuān)門(mén)的互聯(lián)網(wǎng)無(wú)線(xiàn)電廣播門(mén)戶(hù)網(wǎng)站。RadioPro的低功耗設(shè)計(jì)可使一塊1500mAH的電池實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)達(dá)25小時(shí)的使用時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)真正的便攜式互聯(lián)網(wǎng)無(wú)線(xiàn)電產(chǎn)品。
CSR
Emaii：sales＠
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晶圓廠(chǎng)設(shè)計(jì)工具包FDK
Cadence Virtuoso技術(shù)有助于加速模擬、混合信號(hào)和RF器件的精確芯片設(shè)計(jì)。FDK能夠在設(shè)計(jì)中發(fā)揮UMe65nm工藝和Cadence Virtuoso平臺(tái)的高級(jí)功能，Cadence Virtuoso解決方案5和UMC的65nmRF FDK能夠?qū)Ω咚侔l(fā)展的IC市場(chǎng)中的設(shè)計(jì)師提供支持，例如無(wú)線(xiàn)通信等。這些技術(shù)為時(shí)下數(shù)字和混合信號(hào)設(shè)計(jì)前所未有的緊密結(jié)合提供了高級(jí)工藝。
Cadence公司
電話(huà)：010-8287-2200
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AMIS-49200參考設(shè)計(jì)和評(píng)估工具包
AMIS-49200參考設(shè)計(jì)和評(píng)估工具包使Fieldbus H1及Profibus PA用戶(hù)能夠?qū)MIS-49200介質(zhì)連接單元(MAU)輕松整合進(jìn)他們的設(shè)計(jì)中。
AMIS-49200參考設(shè)計(jì)和評(píng)估工具包符合基金會(huì)現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)(FF)要求，在總線(xiàn)布線(xiàn)和實(shí)際測(cè)量裝置之間提供物理接口，針對(duì)工業(yè)流程自動(dòng)化應(yīng)用，尤其是基于FF規(guī)格FF-816(31.25Kb/s物理層輪廓規(guī)范)的FF H1設(shè)備Type 11l和Type112。FF是一種全數(shù)字雙向通信系統(tǒng)，用于本質(zhì)性安全傳感器率計(jì)算機(jī)的應(yīng)用。此種應(yīng)用中，數(shù)據(jù)分布和傳輸、控制環(huán)路的完整及整合不同控制系統(tǒng)的能力非常關(guān)鍵。典型應(yīng)用包括閉環(huán)連續(xù)控制、序批、高速流程自動(dòng)化、信息整合、配方管理，數(shù)據(jù)采集、系統(tǒng)兼容及網(wǎng)絡(luò)整合。
AMI Semiconductor
Email：021-5407-6116
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低成本的CAP可定制微控制器入門(mén)級(jí)開(kāi)發(fā)工具包
AT91CAP是一種基于微控制器的系統(tǒng)級(jí)芯片，內(nèi)置了高速內(nèi)存，帶有眾多外設(shè)和接口以及一個(gè)金屬可編程(MP)模塊。AT91CAP9A-STK入門(mén)包基于單一的PCB板，含有以AT9lCAP9SARM926EJ-S為基礎(chǔ)的微控制器，64MB SDRAM應(yīng)用內(nèi)存、512MBNAND閃存、高達(dá)8MB的DataFlash(選件)，并提供支持以太網(wǎng)、USB控制器和USB器件、帶觸屏功能的1/4 VGALCD顯示屏、SD卡，4個(gè)模擬輸入和耳機(jī)等的各種外部接口，以及一塊作為承載主體的Altera Stratix 2EP2S15F484FPGA和配套的EPCSl6串行配置存儲(chǔ)器。板卡上的AT91CAP9S具有64個(gè)通用I/O連接，而其卜的FPGA則有兩組64個(gè)I/O的外設(shè)組件。此外，通過(guò)ICE-JTAG接口和USB-Blaster-JTAG接口，就可以進(jìn)行調(diào)試。CAP入門(mén)工具包還含有AT73C224和AT73C239芯片，用于電源和電池管理。
Atmel Corporation
[關(guān)鍵詞]集成電路；失效分析；技術(shù)
中圖分類(lèi)號(hào)：TN43 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1009-914X（2014）24-0105-01
1.集成電路失效分析步驟
集成電路的失效分析分為四個(gè)步驟。在確認(rèn)失效現(xiàn)象后，第一步是開(kāi)封前檢查。在開(kāi)封前要進(jìn)行的檢查都是無(wú)損失效分析。開(kāi)封前會(huì)進(jìn)行外觀檢查、X光檢查以及掃描聲學(xué)顯微鏡檢查。第二步是打開(kāi)封裝并進(jìn)行鏡檢。第三步是電性分析。電性分析包括缺陷定位技術(shù)、電路分析以及微探針檢測(cè)分析。第四步是物理分析。物理分析包括剝層、聚焦離子束（FIB）、掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）以及VC定位技術(shù)。通過(guò)上述分析得出分析結(jié)論，完成分析報(bào)告，將分析報(bào)告交給相關(guān)技術(shù)人員。相關(guān)技術(shù)人員根據(jù)相應(yīng)的缺陷進(jìn)行改進(jìn)，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)集成電路失效分析的意義。
2.無(wú)損失效分析技術(shù)
所謂無(wú)損失效分析，就是在不損害分析樣品，不去掉芯片封裝的情況下，對(duì)該樣品進(jìn)行失效分析。無(wú)損失效分析技術(shù)包括外觀檢查、X射線(xiàn)檢查和掃描聲學(xué)顯微鏡檢查。在外觀檢查中，主要是憑借肉眼檢查是否有明顯的缺陷，如塑脂封裝是否開(kāi)裂，芯片的管腳是否接觸良好等等。X射線(xiàn)檢查則是利用X射線(xiàn)的透視性能對(duì)被測(cè)樣品進(jìn)行X射線(xiàn)照射，樣品的缺陷部分會(huì)吸收X射線(xiàn)，導(dǎo)致X射線(xiàn)照射成像出現(xiàn)異常情況。X射線(xiàn)檢測(cè)主要是檢測(cè)集成電路中引線(xiàn)損壞的問(wèn)題，根據(jù)電子器件的大小及電子器件構(gòu)造情況選擇合適的波長(zhǎng)，這樣就會(huì)得到合適的分辨率。而掃描聲學(xué)顯微鏡檢測(cè)是利用超聲波探測(cè)樣品內(nèi)部的缺陷，主要原理是發(fā)射超聲波到樣品內(nèi)部，然后由樣品內(nèi)部返回。根據(jù)反射時(shí)間以及反射距離可以得到檢測(cè)波形，然后對(duì)比正常樣品的波形找出存在缺陷的位置。這種檢測(cè)方法主要檢測(cè)的是由于集成電路塑封時(shí)水氣或者高溫對(duì)器件的損壞，這種損壞常為裂縫或者是脫層。相對(duì)于有損失效分析方法的容易損壞樣品、遺失樣品信息的缺點(diǎn)，無(wú)損失效分析技術(shù)有其特有的優(yōu)勢(shì)，是集成電路失效分析的重要技術(shù)。
3.有損失效分析技術(shù)
3.1 打開(kāi)封裝
有損失效分析首先是對(duì)集成電路進(jìn)行開(kāi)封處理，開(kāi)封處理要做到不損壞芯片內(nèi)部電路。根據(jù)對(duì)集成電路的封裝方式或分析目的不同，采取相應(yīng)的開(kāi)封措施。方法一是全剝離法，此法是將集成電路完全損壞，只留下完整的芯片內(nèi)部電路。缺陷是由于內(nèi)部電路和引線(xiàn)全部被破壞，將無(wú)法進(jìn)行通電動(dòng)態(tài)分析。方法二是局部去除法，此法是利用研磨機(jī)研磨集成電路表面的樹(shù)脂直到芯片。優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)封過(guò)程中不損壞內(nèi)部電路和引線(xiàn)，開(kāi)封后可以進(jìn)行通電動(dòng)態(tài)分析。方法三是全自動(dòng)法，此法是利用硫酸噴射來(lái)達(dá)到局部去除法的效果。
3.2 電性分析
3.2.1 缺陷定位
定位具體失效位置在集成電路失效分析中是一個(gè)重要而困難的項(xiàng)目，只有在對(duì)缺陷的位置有了明確定位后，才能繼而發(fā)現(xiàn)失效機(jī)理以及缺陷的特性。缺陷定位技術(shù)的應(yīng)用是缺陷定位的關(guān)鍵。Emission顯微鏡技術(shù)、OBIRCH（Optical Beam Induce Resistance Change）技術(shù)以及液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)為集成電路失效分析提供了快捷準(zhǔn)確的定位方法。Emission顯微鏡具有非破壞性和快速精準(zhǔn)定位的特性。它使用光子探測(cè)器來(lái)檢測(cè)產(chǎn)生光電效應(yīng)的區(qū)域。由于在硅片上發(fā)生損壞的部位，通常會(huì)發(fā)生不斷增長(zhǎng)的電子-空穴再結(jié)合而產(chǎn)生強(qiáng)烈的光子輻射。因而這些區(qū)域可以通過(guò)Emission顯微鏡技術(shù)檢測(cè)到。OBIRCH技術(shù)是利用激光束感應(yīng)材料電阻率變化的測(cè)試技術(shù)。對(duì)不同材料經(jīng)激光束掃描可測(cè)得不同的材料阻值的變化；對(duì)于同一種材料若材料由于某種因素導(dǎo)致變性后，同樣也可測(cè)得這一種材質(zhì)電阻率的變化。我們就是借助于這一方法來(lái)探測(cè)金屬布線(xiàn)內(nèi)部的那些可靠患。液晶熱點(diǎn)檢測(cè)是一種非常有效的分析手段，主要是利用液晶的特性來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。但液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)的要求較高，尤其是對(duì)于液晶的選擇，只有恰當(dāng)?shù)囊壕Р拍苁箼z測(cè)工作順利進(jìn)行。液晶熱點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備一般由偏振顯微鏡、可以調(diào)節(jié)溫度的樣品臺(tái)以及控制電路構(gòu)成。在由晶體各向異性轉(zhuǎn)變?yōu)榫w各向同性時(shí)所需要的臨界溫度的能量要很小，以此來(lái)提高靈敏度。同時(shí)相變溫度應(yīng)控制在30-90攝氏度的可操作范圍內(nèi)，偏振顯微鏡要在正交偏振光下使用，這樣可以提高液晶相變反應(yīng)的靈敏度。
3.2.2 電路分析
電路分析就是根據(jù)芯片電路的版圖和原理圖，結(jié)合芯片失效現(xiàn)象，逐步縮小缺陷部位的電路范圍，最后是利用微探針檢測(cè)技術(shù)來(lái)定位缺陷器件，從而達(dá)到對(duì)于缺陷器件定位的要求。
3.2.3 微探針檢測(cè)技術(shù)
微探針的作用是測(cè)量?jī)?nèi)部器件上的電參數(shù)值，如工作點(diǎn)電壓、電流、伏安特性曲線(xiàn)等。微探針檢測(cè)技術(shù)一般是伴隨電路分析配合使用的，兩者的結(jié)合可以較快的搜尋失效器件。
3.3 物理分析
3.3.1 聚焦離子束（FIB）
聚焦離子束就是利用電透鏡將離子束聚焦成為微小尺寸的顯微切割器，聚焦離子束系統(tǒng)由離子源、離子束聚焦和樣品臺(tái)組成。聚焦離子束的主要應(yīng)用是對(duì)集成電路進(jìn)行剖面，傳統(tǒng)的方法是手工研磨或者是采用硫酸噴劑，這兩種方法雖然可以得到剖面，但是在日益精細(xì)的集成電路中，手工操作速度慢而且失誤率高，所以這兩種方法顯然不適用。聚焦離子束的微細(xì)精準(zhǔn)切割結(jié)合掃描電子顯微鏡高分辨率成像就可以很好的解決剖面問(wèn)題。聚焦離子束對(duì)被剖面的集成電路沒(méi)有限制，定位精度可以達(dá)到0.1um以下，同時(shí)剖面過(guò)程中集成電路受到的應(yīng)力很小，完整地保存了集成電路，使得檢測(cè)結(jié)果更加準(zhǔn)確。
3.3.2 掃描電子顯微鏡（SEM）
掃描電子顯微鏡作為一種高分辨率的微觀儀器，在集成電路的失效分析中有著很好的運(yùn)用。掃描電子顯微鏡是由掃描系統(tǒng)和信號(hào)檢測(cè)放大系統(tǒng)組成，原理是利用聚焦的電子束轟擊器件表面從而產(chǎn)生許多電子信號(hào)，將這些電子信號(hào)放大作為調(diào)制信號(hào)，連接熒光屏便可得到器件表面的圖像。對(duì)于不同層次的信號(hào)采集可以選用不同的電子信號(hào)，那樣所得到的圖像也將不同。
3.3.3 透射電子顯微鏡（TEM）
透射電子顯微鏡的分辨率可以達(dá)到0.1nm，其大大優(yōu)于掃描電子顯微鏡。集成電路的器件尺寸在時(shí)代的發(fā)展中變得越來(lái)越小，運(yùn)用透射電子顯微鏡可以更好的研究產(chǎn)品性能，在集成電路失效分析中，透射電子顯微鏡可以清晰地分析器件缺陷。透射電子顯微鏡將更好地滿(mǎn)足集成電路失效分析對(duì)檢測(cè)工具的解析度要求。
3.3.4 VC定位技術(shù)
前文講述的利用Emission/OBIRCH/液晶技術(shù)來(lái)定位集成電路中的失效器件，在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中熱點(diǎn)的位置往往面積偏大，甚至?xí)x失效點(diǎn)幾十個(gè)微米，這就需要一種更精確的定位技術(shù)，可以把失效范圍進(jìn)一步縮小。VC（VoltageContrast）定位技術(shù)基于SEM或FIB，可以把失效范圍進(jìn)一步縮小，很好地解決了這一難題。VC定位技術(shù)是利用SEM或者FIB的一次電子束或離子束在樣品表面進(jìn)行掃描。硅片表面不同部位具有不同電勢(shì)，表現(xiàn)出來(lái)不同的明亮對(duì)比度。VC定位技術(shù)可以通過(guò)檢測(cè)不同的明亮對(duì)比度，找出異常亮度的點(diǎn)，從而定位失效點(diǎn)的位置。
4.總結(jié)
我們認(rèn)識(shí)了常用的集成電路失效分析技術(shù)和方法，而更深刻地了解各種技術(shù)的應(yīng)用還需要在實(shí)際的分析工作當(dāng)中積累經(jīng)驗(yàn)，再認(rèn)識(shí)再提高。
半導(dǎo)體技術(shù)極其豐富多彩，身陷其景，會(huì)有“不識(shí)廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細(xì)微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領(lǐng)悟到一些哲理。
本演講根據(jù)半導(dǎo)體技術(shù)“由簡(jiǎn)入繁”、又“化繁為簡(jiǎn)”的螺旋式發(fā)展史事，探討主流半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展哲理，供大家參考討論。
發(fā)展歷程
根據(jù)IC Knowledge的歸納，可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個(gè)階段：即奠定基礎(chǔ)、激情創(chuàng)新、昂首闊步和走向成熟，每階段大約20年。
“奠定基礎(chǔ)”發(fā)生于上世紀(jì)四五十年代，此階段發(fā)明或提出了晶體管、集成電路、平面工藝以及Si材料、CMOS等涉及器件“物理基礎(chǔ)”、“基本結(jié)構(gòu)”、“制造工藝”和“集成方法”等一系列基礎(chǔ)技術(shù)和方法。
“激情創(chuàng)新”發(fā)生于上世紀(jì)六七十年代，主要是產(chǎn)業(yè)技術(shù)擴(kuò)散階段。誕生了EPKOM、DSP、DRAM、MPU等。當(dāng)時(shí)有兩個(gè)非常重要的發(fā)現(xiàn)，一個(gè)是等比例縮小，推動(dòng)器件小型化；另一個(gè)是摩爾定律，推動(dòng)器件集成化；這兩個(gè)堪稱(chēng)是半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展引擎。這時(shí)候制造裝備(可視為晶圓制造的“基因”)業(yè)開(kāi)始興起，設(shè)計(jì)工具也涌現(xiàn)了出來(lái)。
“昂首闊步”發(fā)生于上世紀(jì)八九十年代，在此之前，大方向都已經(jīng)定了，這時(shí)晶圓尺寸、集成規(guī)模、產(chǎn)業(yè)規(guī)?！鹊戎皇琼樌m(xù)擴(kuò)大，而產(chǎn)業(yè)技術(shù)則按“路線(xiàn)圖”發(fā)展，即在已知規(guī)律下推測(cè)未來(lái)的發(fā)展，是一種邏輯的延伸。這里要指出的是，雖然第一代CMOS DRAM是在1983~1984年間推出的，但是CMOs罩在奠定基礎(chǔ)階段就已經(jīng)“發(fā)明”了。
“走向成熟”階段大致從2000年開(kāi)始到CMOs技術(shù)的“終結(jié)”。近年來(lái)，在認(rèn)識(shí)上大多共識(shí)到硅技術(shù)壽限大約在2020年前：而在實(shí)踐中則從“拜速度論”向“應(yīng)用為王”思路轉(zhuǎn)移，發(fā)生了一些重大事件，例如出現(xiàn)了“雙核年”，F(xiàn)abless(無(wú)生產(chǎn)線(xiàn)的公司)模式由懷疑到肯定并成為產(chǎn)業(yè)亮點(diǎn)等等。
發(fā)展哲理
從發(fā)展的前兩個(gè)歷程，我們可以看到IC產(chǎn)業(yè)“確定了器件縮小(等縮比)、集成做大(摩爾定律)兩大引擎，即如何做到又小又好!”而后兩個(gè)歷程則“全部基于馮?諾依曼范式和固體能帶論”，“抬頭拉車(chē)”，闊步向前，“即如何化繁為簡(jiǎn)，做得規(guī)則、標(biāo)準(zhǔn)!”
因此，從純產(chǎn)業(yè)技術(shù)這個(gè)角度看，我們可以把這個(gè)產(chǎn)業(yè)的“發(fā)展哲理”歸納為：“小”就是美(目標(biāo))，崇尚“簡(jiǎn)約”(使命)，倚重“左腦”(思路)三大特點(diǎn)。
“小”就是美
可從機(jī)制、性能、成本、功能、融合等五個(gè)角度來(lái)看。機(jī)制是比例縮小，體現(xiàn)了“小(尺寸)與大(規(guī)模)螺旋式前進(jìn)，低(價(jià)格)與高(性能)辯證統(tǒng)一”。成本無(wú)論從每MIPS成本，或每個(gè)晶體管的成本看，都在大幅度下降。芯片功能越來(lái)越豐富，尤其是現(xiàn)在的移動(dòng)多功能裝置，具有通信以外、越來(lái)越多的功能。融合的前景巨大，現(xiàn)在是硬件與軟件融合，今后將是產(chǎn)業(yè)的融合。
崇尚“簡(jiǎn)約”
體現(xiàn)在材料、結(jié)構(gòu)、制程、設(shè)計(jì)和應(yīng)用五個(gè)方面。大自然恩賜了人類(lèi)一種奇異的材料，它既便宜又豐富，既簡(jiǎn)單又復(fù)雜。在MOS結(jié)構(gòu)中，“兩點(diǎn)一線(xiàn)”構(gòu)成了一個(gè)有源器件，并兼具“低進(jìn)高出”的優(yōu)異特性：而CMOS結(jié)構(gòu)則具有“功”盡其用，“耗”節(jié)其盡的特點(diǎn)。制程采用基于平臺(tái)的“印刷”。產(chǎn)品則是基于平臺(tái)的設(shè)計(jì)，即把數(shù)以萬(wàn)計(jì)的以“實(shí)”元件為基礎(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化為按某些約束條件下的“虛”元件的“即插即用”“堆積”。應(yīng)用方面，由于IC集成的深度、廣度與成熟度的演進(jìn)，使得終端產(chǎn)品和應(yīng)用本身都大大地“簡(jiǎn)約化”了，例如手機(jī)集成度越來(lái)越高，并把“方案”都“集成”進(jìn)去，不僅僅做手機(jī)簡(jiǎn)單一出現(xiàn)了“山寨”現(xiàn)象，而且使用也“傻瓜”化了。
倚重“左腦”
左腦負(fù)責(zé)理性推理，屬于普通腦；右腦負(fù)責(zé)感性跳躍，是天才腦。IC發(fā)展倚重的是“左腦”，按照邏輯推理思路發(fā)展，可以體現(xiàn)在核心結(jié)構(gòu)、核心工具和核心應(yīng)用(計(jì)算模式)三部分。核心結(jié)構(gòu)就是如何把晶體管的特征尺寸做小，原來(lái)認(rèn)為32nm是一個(gè)坎，但I(xiàn)BM在E22nm時(shí)仍然采用傳統(tǒng)的平面柵結(jié)構(gòu)；而把晶體管尺寸縮小的核心工具(圖形轉(zhuǎn)移工具)依然依賴(lài)于光學(xué)方法，遵循簡(jiǎn)單的瑞利公式：至于核心應(yīng)用則涉及到計(jì)算模式問(wèn)題，由于馮，諾依曼范式積累了太多的人類(lèi)知識(shí)，不會(huì)被輕易拋棄，所以一定會(huì)繼續(xù)延用。
當(dāng)然，技術(shù)革新仍然沒(méi)有停止，只是這些革新都是在原有“基本模式”中的螺旋前進(jìn)。例如核心結(jié)構(gòu)沒(méi)有突破MOS結(jié)構(gòu)，過(guò)去是金屬鋁柵，現(xiàn)在是金屬鉿柵，是一種在原有模式上的螺旋式上升。其他也類(lèi)似，都是基于舊原理上的邏輯延伸和傳承更新。
幾點(diǎn)啟示
從發(fā)展哲理中看成功的訣竅。即基于最普通的材料、最完美的匹配：采用最巧妙的“縮擴(kuò)”實(shí)現(xiàn)了最辨證的技術(shù)與經(jīng)濟(jì)“輪回”。
從發(fā)展哲理中思考顛覆性突破。Si-CMOS由于本身的物理限制。當(dāng)它在縮小進(jìn)程中變得愈來(lái)愈繁而又不能“化簡(jiǎn)”時(shí)，就意味著基于CMOs結(jié)構(gòu)在邏輯上不能延伸了，這時(shí)就要發(fā)揮天才腦(右腦)的作用，尋找顛覆性突破。但是，目前已涌現(xiàn)的“新興器件”既不成熟又難與Si-CMOS性／價(jià)全面匹敵，短時(shí)期內(nèi)還看不到全面替代Si-CMOS的可能。而馮?諾依曼范式也仍將主導(dǎo)SoC設(shè)計(jì)，這就是說(shuō)，我們現(xiàn)在還要盡力延伸并充分運(yùn)用硅技術(shù)。主要體現(xiàn)在下面兩點(diǎn)。
第一，嵌入設(shè)計(jì)成為延伸創(chuàng)新主流。長(zhǎng)期以來(lái)，設(shè)計(jì)業(yè)的增速是整個(gè)IDM(集成設(shè)備制造商)的4倍，整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)的3倍。即使在半導(dǎo)體業(yè)非常簫條時(shí)期，設(shè)計(jì)業(yè)仍然是正增長(zhǎng)，這就使得Fabless成了2008年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最大亮點(diǎn)，有3家Fabless公司進(jìn)入了半導(dǎo)體的前20名，高通則進(jìn)入了前8名。
幾年前有人認(rèn)為，CPU和DSP作為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品將要死亡，而實(shí)際上從數(shù)量上看，CPUSgDSP等通用產(chǎn)品確實(shí)比嵌入式芯片的數(shù)量少得非常多。因此有人大膽預(yù)測(cè)，到2028年，整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1萬(wàn)億美元，其中絕大部分的芯片將用于嵌入式系統(tǒng)。
第二，“嵌入”應(yīng)用離不開(kāi)SiP／3D封裝。就電子裝置小型化而言，包括我們現(xiàn)在的手機(jī)，IC／SoC只占整個(gè)體積的很小一部分，其他的大多數(shù)零件(如傳感器件、光學(xué)元件等)的小型化都要靠封裝來(lái)解決。因此，2005年國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖提出了在“More Moore(延伸摩爾定，律)”的同時(shí)，要關(guān)注“More than Moore(超越摩爾定律)”即SiP(系統(tǒng)封裝)／3D(三維封裝)的發(fā)展。
【摘要】：微電子技術(shù)是建立在以集成電路為核心的各種半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)上的高新電子技術(shù)，特點(diǎn)是體積小、重量輕、可靠性高、工作速度快，微電子技術(shù)對(duì)信息時(shí)代具有巨大的影響。微電子產(chǎn)業(yè)是基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè),微電子技術(shù)是高科技和信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)。微電子技術(shù)具有極強(qiáng)的滲透性,發(fā)展速度非?？?與其他學(xué)科相結(jié)合后會(huì)產(chǎn)生出一系列嶄新的學(xué)科和重大的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn),對(duì)科技發(fā)展和國(guó)民經(jīng)濟(jì)都做出巨大的貢獻(xiàn)。本文簡(jiǎn)單分析微電子發(fā)展過(guò)程及集成電路的發(fā)展前景。
【關(guān)鍵詞】：微電子集成電路納米電子
中圖分類(lèi)號(hào)： TN4 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼： A
隨著科技的迅猛發(fā)展，信息技術(shù)，電子技術(shù)，自動(dòng)化技術(shù)及計(jì)算機(jī)技術(shù)日漸融合，成為當(dāng)今社會(huì)科技領(lǐng)域的重要支柱技術(shù)，任何領(lǐng)域的研發(fā)工作都與這些技術(shù)緊密聯(lián)系，而他們的相互交叉，相互滲透，也越來(lái)越密切。
微電子技術(shù)是現(xiàn)代電子信息技術(shù)的直接基礎(chǔ)，它的發(fā)展有力推動(dòng)了通信技術(shù)，計(jì)算機(jī)技術(shù)和網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的迅速發(fā)展，成為衡量一個(gè)國(guó)家科技進(jìn)步的重要標(biāo)志。美國(guó)貝爾研究所的三位科學(xué)家因研制成功第一個(gè)結(jié)晶體三極管，獲得1956年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。晶體管成為集成電路技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，現(xiàn)代微電子技術(shù)就是建立在以集成電路為核心的各種半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)上的高新電子技術(shù)。集成電路的生產(chǎn)始于1959年，其特點(diǎn)是體積小、重量輕、可靠性高、工作速度快。衡量微電子技術(shù)進(jìn)步的標(biāo)志要在三個(gè)方面：一是縮小芯片中器件結(jié)構(gòu)的尺寸，即縮小加工線(xiàn)條的寬度；二是增加芯片中所包含的元器件的數(shù)量，即擴(kuò)大集成規(guī)模；三是開(kāi)拓有針對(duì)性的設(shè)計(jì)應(yīng)用。
大規(guī)模集成電路指每一單晶硅片上可以集成制作一千個(gè)以上的元器件。集成度在一萬(wàn)至十萬(wàn)以上元器件的為超大規(guī)模集成電路。國(guó)際上80年代大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路光刻標(biāo)準(zhǔn)線(xiàn)條寬度為0．7一0．8微米，集成度為108 。90年代的標(biāo)準(zhǔn)線(xiàn)條寬度為0．3一0．5微米，集成度為109。集成電路有專(zhuān)用電路(如鐘表、照相機(jī)、洗衣機(jī)等電路)和通用電路。通用電路中最典型的是存貯器和處理器，應(yīng)用極為廣泛。計(jì)算機(jī)的換代就取決于這兩項(xiàng)集成電路的集成規(guī)模。
存貯器是具有信息存貯能力的器件。隨著集成電路的發(fā)展，半導(dǎo)體存貯器已大范圍地取代過(guò)去使用的磁性存貯器，成為計(jì)算機(jī)進(jìn)行數(shù)字運(yùn)算和信息處理過(guò)程中的信息存貯器件。存貯器的大小(或稱(chēng)容量)常以字節(jié)為單位，字節(jié)則以大寫(xiě)字母B表示，存貯器芯片的集成度已以百萬(wàn)位(MB)為單位。目前，實(shí)驗(yàn)室已做出8MB的動(dòng)態(tài)存貯器芯片。一個(gè)漢字占用2個(gè)字節(jié)，也就是說(shuō)，400萬(wàn)漢字可以放入指甲大小的一塊硅片上。動(dòng)態(tài)存貯器的集成度以每3年翻兩番的速度發(fā)展。
中央處理器(CPU)是集成電路技術(shù)的另一重要方面，其主要功能是執(zhí)行“指令”進(jìn)行運(yùn)算或數(shù)據(jù)處理。現(xiàn)代計(jì)算機(jī)的CPU通常由數(shù)十萬(wàn)到數(shù)百萬(wàn)晶體管組成。70年代，隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，促使一個(gè)完整的CPU可以制作在一塊指甲大小的硅片上。度量CPU性能最重要的指標(biāo)是“速度”，即看它每秒鐘能執(zhí)行多少條指令。60年代初，最快的CPU每秒能執(zhí)行100萬(wàn)條指令（常縮寫(xiě)成MIPS)。1991年，高檔微處理器的速度已達(dá)5000萬(wàn)一8000萬(wàn)次?，F(xiàn)在繼續(xù)提高CPU速度的精簡(jiǎn)指令系統(tǒng)技術(shù)(即將復(fù)雜指令精減、減少)以及并行運(yùn)算技術(shù)(同時(shí)并行地執(zhí)行若干指令)正在發(fā)展中。在這個(gè)領(lǐng)域，美國(guó)硅谷的英特爾公司一直處于領(lǐng)先地位。此外，光學(xué)與電子學(xué)的結(jié)合，成為光電子技術(shù)，被稱(chēng)為尖端中的尖端，為微電子技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展找到了新的出路。美國(guó)《時(shí)代》雜志預(yù)測(cè)：“21世紀(jì)將成為光電子時(shí)代?！逼渲饕I(lǐng)有激光技術(shù)、紅外技術(shù)、光纖通信技術(shù)等。
微電子學(xué)給人類(lèi)帶來(lái)了半個(gè)世紀(jì)的繁榮。目前國(guó)際上集成電路生產(chǎn)線(xiàn)已普遍采用8圓片，0.35um工藝。我國(guó) 集成電路集成電路的大生產(chǎn)水平發(fā)展也很快。1995年已經(jīng)達(dá)到了6'1.2um的水平，IC產(chǎn)量到2000年可望達(dá)到年產(chǎn)10億塊。1995年4月，中科院微電子中心已開(kāi)發(fā)出0.8um的CMOS工藝，在5.0×5.7mm 面積上集成了26000只晶體管、輸出管腳數(shù)為72，制成了通用的模糊控制集成塊。
集成電路IC實(shí)際上完成了芯片級(jí)的電子組裝，有著極高的互聯(lián)密度。那么，能不能將高集成鵲胨SI/VLSI/ULSI（大規(guī)模/超大規(guī)模/特大規(guī)模集成電路）和ASIC/FPGA/EPLD（專(zhuān)用IC/現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列/電可擦除可編程的邏輯器件）等組裝在一起實(shí)現(xiàn)集成電路的功能集成呢？這就是SMT（表面安裝技術(shù)）、HWSI（混合大圓片規(guī)模集成技術(shù)）和3D（三維組裝技術(shù)）。這些技術(shù)，推動(dòng)著電子設(shè)備和產(chǎn)品繼續(xù)向薄輕短小發(fā)展，在片狀元件的小型化和自動(dòng)安裝設(shè)備所能處理的元件尺寸已瀕臨極限的今天，起著關(guān)鍵的作用。進(jìn)入90年代，代表性技術(shù)則輪到了MCM，人稱(chēng)多芯片組裝時(shí)代，到2000年即下世紀(jì)初，將是WSI/HWSI/3D時(shí)代！WSI是將復(fù)雜的電子電路集成在一個(gè)大圓片上。將IC芯片，MCM和WSI進(jìn)行三維迭裝的3D組裝突破了二維的限制，使組裝密度更上一層樓。
近幾十年來(lái)，電子計(jì)算機(jī)已歷經(jīng)了幾代的更迭，而代代更迭都是以存儲(chǔ)或處理信息的基本電子學(xué)單元的尺度變化為標(biāo)志的。從80年代開(kāi)始，科學(xué)家開(kāi)始探索特征尺寸為納米量級(jí)的電子學(xué)，納米電子學(xué)主要研究以?huà)呙杷淼里@微鏡為工具的單原子或單分子操縱技術(shù)。這些技術(shù)都有可能在納米量級(jí)進(jìn)行加工，目前已形成納米量級(jí)的、信息存儲(chǔ)器，存儲(chǔ)狀態(tài)已維持一個(gè)月以上，希圖用此技術(shù)去制作16GB的存儲(chǔ)器。德國(guó)的福克斯博士等制出了原子開(kāi)關(guān)，達(dá)到了比現(xiàn)今芯片高100萬(wàn)倍的存儲(chǔ)容量，獲得了莫里斯獎(jiǎng)。量子力學(xué)告訴我們，電子與光同時(shí)都具有粒子波的特性，今天的微電子學(xué)和光電子器件將縮到。0.1線(xiàn)寬，電子的波動(dòng)性質(zhì)再也不能忽視，把電子視為一種純粹粒子的半導(dǎo)體理論基礎(chǔ)已經(jīng)動(dòng)搖。這時(shí)電子所表現(xiàn)出來(lái)的波動(dòng)特征和擁有的量子功能就是納米電子學(xué)的任務(wù)。納米電子學(xué)有更多誘人之處?？茖W(xué)家們已經(jīng)預(yù)言，納米電子學(xué)將導(dǎo)致一場(chǎng)電子技術(shù)的革命！
關(guān)鍵詞：集成電路；布圖設(shè)計(jì)；保護(hù)
現(xiàn)代信息技術(shù)以計(jì)算機(jī)技術(shù)為基礎(chǔ)，分為軟件技術(shù)和硬件技術(shù)。在硬件技術(shù)中,集成電路技術(shù)則是最為重要的核心技術(shù)。早在20世紀(jì)70年代末,美國(guó)就曾有人斷言："像現(xiàn)在OPEC(石油輸出國(guó)組織)左右世界一樣,將來(lái)掌握了半導(dǎo)體技術(shù)的國(guó)家將左右整個(gè)世界。"正因?yàn)槿绱?各國(guó)對(duì)于集成電路的開(kāi)發(fā)都給予了足夠的重視。但與此同時(shí),也有一些廠(chǎng)商采取非法手段獲取他人技術(shù)秘密或者仿制他人產(chǎn)品,以牟取暴利。我國(guó)政府曾積極參與起草世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織《關(guān)于集成電路的知識(shí)產(chǎn)權(quán)條約》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)條約）,并努力促成了該條約通過(guò)。中國(guó)加入世界貿(mào)易組織后,《與貿(mào)易有關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)協(xié)議》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)TRIPS）就對(duì)中國(guó)有了約束力,其中也包括集成電路知識(shí)產(chǎn)權(quán)的法律保護(hù)。
一、條約的主要內(nèi)容
1、保護(hù)對(duì)象
保護(hù)對(duì)象為集成電路布圖設(shè)計(jì)。受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)必須具備原創(chuàng)性。條約中所規(guī)定的原創(chuàng)性不同于著作權(quán)法中的原創(chuàng)性，條約就此作了專(zhuān)門(mén)解釋。具有原創(chuàng)性的布圖設(shè)計(jì)，即"該布圖設(shè)計(jì)是創(chuàng)作者自己的智力勞動(dòng)成果，并且在其創(chuàng)作時(shí)在布圖設(shè)計(jì)的創(chuàng)作者和集成電路制造者中不是常規(guī)設(shè)計(jì)"。
2、布圖設(shè)計(jì)權(quán)利人的有關(guān)權(quán)利
（1）復(fù)制權(quán)
復(fù)制受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)的全部或其任何部分，無(wú)論是否將其結(jié)合到集成電路中。
（2）進(jìn)口、銷(xiāo)售或者以其它方式供銷(xiāo)
為商業(yè)目的進(jìn)口、銷(xiāo)售或者以其它方式供銷(xiāo)受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)或者其中含有受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)的集成電路。
3、布圖設(shè)計(jì)權(quán)利人的有關(guān)權(quán)利的限制
（1）合理使用
為私人目的或?yàn)榱朔治?、評(píng)價(jià)、研究或者教學(xué)而復(fù)制受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)，或者在此基礎(chǔ)上創(chuàng)作出新的具有原創(chuàng)性的布圖設(shè)計(jì)的行為不視為侵權(quán)，也不需要權(quán)利人許可。
（2）反向工程
第三者在評(píng)價(jià)或分析受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，創(chuàng)作符合第三條第（二）款規(guī)定的原創(chuàng)性條件的布圖設(shè)計(jì)（拓樸圖）（"第二布圖設(shè)計(jì)（拓樸圖"））的，該第三者可以在集成電路中采用第二布圖設(shè)計(jì)（拓樸圖），或者對(duì)第二布圖設(shè)計(jì)（拓樸圖）進(jìn)行第（一）款所述的行為，而不視為侵犯第一布圖設(shè)計(jì)（拓樸圖）權(quán)利持有人的權(quán)利。
（3）非自愿許可
《關(guān)于集成電路知識(shí)產(chǎn)權(quán)條約》規(guī)定，任何締約方均可在其立法中規(guī)定其行政或者司法機(jī)關(guān)有可能在非通常的情況下，對(duì)于第三者按商業(yè)慣例經(jīng)過(guò)努力而未能取得權(quán)利持有人許可并不經(jīng)其許可而進(jìn)行復(fù)制、進(jìn)口、銷(xiāo)售等行為，授予非獨(dú)占許可（非自愿許可）。
（4）善意侵權(quán)
《條約》規(guī)定，對(duì)于采用非法復(fù)制的布圖設(shè)計(jì)（拓?fù)鋱D）的集成電路而進(jìn)行的該款所述的任何行為，如果進(jìn)行或者指示進(jìn)行該行為的人在獲得該集成電路時(shí)不知道或者沒(méi)有合理的依據(jù)知道該集成電路包含有非法復(fù)制的布圖設(shè)計(jì)（拓?fù)鋱D），任何締約方?jīng)]有義務(wù)認(rèn)為上述行為是非法行為。
（5）權(quán)利用盡
《條約》的權(quán)利用盡條款規(guī)定，任何締約方可以認(rèn)為，對(duì)由權(quán)利持有人或者經(jīng)其同意投放市場(chǎng)的受保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)（拓?fù)鋱D）或者采用該布圖設(shè)計(jì)（拓?fù)鋱D）的集成電路，未經(jīng)權(quán)利持有人的許可而進(jìn)行該款所述的任何行為是合法行為。
4、國(guó)民待遇原則
即任何一個(gè)締約國(guó)在布圖設(shè)計(jì)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)方面給予與國(guó)國(guó)民待遇，也同樣給予其他締約國(guó)的國(guó)民。
5、布圖設(shè)計(jì)保護(hù)期限
條約規(guī)定保護(hù)集成電路布圖設(shè)計(jì)的最低期限為8年。
6、保護(hù)形式
締約國(guó)可以通過(guò)專(zhuān)門(mén)法律或者通過(guò)關(guān)于著作權(quán)法、專(zhuān)利法，禁止不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)的法律，或者通過(guò)上述法律的結(jié)合來(lái)保護(hù)集成電路布圖設(shè)計(jì)。
7、爭(zhēng)議的解決
通過(guò)協(xié)商或者其他方式使有爭(zhēng)議的締約國(guó)之間達(dá)成和解，若不能和解，則由締約國(guó)大會(huì)召集專(zhuān)家小組，由該小組起草解決爭(zhēng)議的參考性報(bào)告，大會(huì)基于小組報(bào)告和對(duì)條約的解釋?zhuān)驙?zhēng)議各方提出建議。
8、保留
條約第13條規(guī)定：對(duì)本條約不得做任何保留。
二、TRIPS有關(guān)集成電路布圖設(shè)計(jì)的規(guī)定
與條約相比，TRIPS對(duì)集成電路布圖設(shè)計(jì)的保護(hù)更加嚴(yán)格，主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：
1、保護(hù)范圍擴(kuò)大
締約方應(yīng)將未經(jīng)權(quán)利人同意而進(jìn)行的下述行為認(rèn)作是非法行為 ，即為了商業(yè)目的而進(jìn)口、出售、或銷(xiāo)售受到保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)，一種采用了受到保護(hù)的布圖設(shè)計(jì)的集成電路，或者一種采用了上述集成電路的產(chǎn)品，只要它仍然包括一個(gè)非法復(fù)制的布圖設(shè)計(jì)。
2、善意侵權(quán)要付費(fèi)
善意侵權(quán)人接到足夠清楚的通知，被告知該布圖設(shè)計(jì)是非法復(fù)制的之后，侵權(quán)人對(duì)于在此之前已經(jīng)獲得的庫(kù)存件或預(yù)定件可以進(jìn)行上述行為中的任何一種，但是卻有義務(wù)向權(quán)利所有者支付一定的費(fèi)用。
3、保護(hù)期限延長(zhǎng)
布圖設(shè)計(jì)的保護(hù)期限不得短于自注冊(cè)申請(qǐng)日起或者自在世界上任何地方進(jìn)行的首次商業(yè)性使用之日起的10年。
如果締約方不要求以注冊(cè)作為提供保護(hù)的條件，對(duì)布圖設(shè)計(jì)的保護(hù)期限不得短于自在世界上任何地方進(jìn)行的首次商業(yè)性使用之日起的10年。
三、集成電路布圖設(shè)計(jì)不能用專(zhuān)利法、著作權(quán)法保護(hù)的原因
1、集成電路布圖設(shè)計(jì)不能用專(zhuān)利法保護(hù)的原因
無(wú)論在哪個(gè)國(guó)家,其專(zhuān)利法都要求受保護(hù)的技術(shù)方案必須具備實(shí)用性、新穎性和創(chuàng)造性。集成電路產(chǎn)品對(duì)于實(shí)用性和新穎性要求都不會(huì)有太大問(wèn)題,問(wèn)題的癥結(jié)在于創(chuàng)造性。
（1）集成電路的制造者和使用者,在通常情況下最為關(guān)心的是集成電路的集成度或者集成規(guī)模的大小，如果就這種產(chǎn)品作為一個(gè)整體去申請(qǐng)專(zhuān)利,未必都能通過(guò)創(chuàng)造性審查。
（2）在集成電路設(shè)計(jì)中常常采用一些現(xiàn)成的單元電路進(jìn)行組合。而在專(zhuān)利審查中,組合發(fā)明要通過(guò)創(chuàng)造性審查,必須取得對(duì)該發(fā)明創(chuàng)造所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是預(yù)先難以想到的效果。
確實(shí)具備創(chuàng)造性的集成電路產(chǎn)品仍可申請(qǐng)專(zhuān)利以尋求保護(hù)。
2、集成電路布圖設(shè)計(jì)不能用著作權(quán)法保護(hù)的原因
用著作權(quán)法保護(hù)集成的電路布圖設(shè)計(jì)的難度有：
（1）集成電路布圖設(shè)計(jì)的價(jià)值主要體現(xiàn)在實(shí)用功能上,這已超出著作權(quán)法所保護(hù)的范圍。
（2）著作權(quán)法對(duì)所保護(hù)的對(duì)象沒(méi)有新穎性和創(chuàng)造性要求,這種保護(hù)模式不利于技術(shù)進(jìn)步和創(chuàng)新。
（3）依照著作權(quán)法,實(shí)施"反向工程"的行為將被禁止。未經(jīng)著作權(quán)人同意,任何人不得隨意復(fù)制他人作品。
3、集成電路布圖設(shè)計(jì)不能用其它知識(shí)產(chǎn)權(quán)法保護(hù)的原因
在現(xiàn)有的知識(shí)產(chǎn)權(quán)法框架中,還有實(shí)用新型法、外觀設(shè)計(jì)法、商標(biāo)法、反不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)法、商號(hào)或企業(yè)名稱(chēng)保護(hù)法、原產(chǎn)地名稱(chēng)保護(hù)法等，在現(xiàn)有的諸多知識(shí)產(chǎn)權(quán)法律門(mén)類(lèi)中,實(shí)用新型法雖然是保護(hù)技術(shù)產(chǎn)品的法律,但是絕大多數(shù)國(guó)家和地區(qū)(法國(guó)、澳大利亞等國(guó)除外)的法律都要求受保護(hù)的實(shí)用新型都必須是具備固定形狀或者結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品；有的還要求實(shí)用新型也必須具備創(chuàng)造性。而集成電路產(chǎn)品的創(chuàng)新點(diǎn)往往并不體現(xiàn)在產(chǎn)品的外在結(jié)構(gòu)和形狀上，故從總體上看實(shí)用新型法似乎并不適合集成電路的保護(hù)。
外觀設(shè)計(jì)法所保護(hù)的是產(chǎn)品的新穎外觀。外觀設(shè)計(jì)法的保護(hù)對(duì)象決無(wú)任何技術(shù)成分可言。
商標(biāo)法所保護(hù)的只是特定標(biāo)記與特定產(chǎn)品間的聯(lián)系。很顯然這不是集成電路保護(hù)所討論的問(wèn)題。對(duì)于集成電路而言,權(quán)利人還可將其商標(biāo)使用在布圖設(shè)計(jì)上。
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近幾年，中國(guó)集成電路市場(chǎng)的發(fā)展情況呈現(xiàn)出增速放緩的跡象。以2011年和2012年為例，中國(guó)集成電路市場(chǎng)增速分別為9.7%和6.1%，已大大低于2010年之前年均兩位數(shù)的增長(zhǎng)速度。進(jìn)入2013年，雖然在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)復(fù)蘇和國(guó)內(nèi)電子信息制造業(yè)增速回升的影響下，中國(guó)集成電路市場(chǎng)也呈現(xiàn)出一定程度的上揚(yáng)，但是上揚(yáng)勢(shì)頭并不十分顯著。
目前，中國(guó)已是全球最大的集成電路市場(chǎng)，在全球所占份額已超過(guò)了40%。在如此高的基數(shù)下，中國(guó)集成電路市場(chǎng)增長(zhǎng)速度放慢亦屬正常。與此同時(shí)，中國(guó)集成電路市場(chǎng)新的熱點(diǎn)正不斷涌現(xiàn)，市場(chǎng)格局與競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)也隨之正在發(fā)生劇烈變化，中國(guó)集成電路市場(chǎng)正處在重新洗牌的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上。
回顧2013年展望2014年，中國(guó)集成電路市場(chǎng)將繼續(xù)圍繞以下幾大熱點(diǎn)領(lǐng)域進(jìn)行劇烈的變革。
一、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的普及。隨著智能終端、寬帶網(wǎng)絡(luò)以及應(yīng)用服務(wù)的不斷完善，移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)正日益普及，國(guó)內(nèi)的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程也隨之不斷加快。
2013年12月4日，工業(yè)和信息化部正式發(fā)放4G牌照，這標(biāo)志著中國(guó)4G時(shí)代的真正到來(lái)。而此前，國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)的“組織移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)及第四代移動(dòng)通信產(chǎn)業(yè)化專(zhuān)項(xiàng)的通知”，對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)化做了整體部署。綜觀國(guó)內(nèi)外，半導(dǎo)體市場(chǎng)中表現(xiàn)靚麗的企業(yè)，如高通、博通、展訊、銳迪科等，大多已投身于移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域?？梢灶A(yù)測(cè)，2014年移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)仍將是中國(guó)集成電路市場(chǎng)中表現(xiàn)最搶眼的領(lǐng)域。
二、智慧城市的建設(shè)。隨著國(guó)家城鎮(zhèn)化與信息化融合戰(zhàn)略的不斷推進(jìn)，“智慧城市”建設(shè)正在成為國(guó)內(nèi)各級(jí)政府關(guān)注與投資的熱點(diǎn)。
2013年，國(guó)家住房和建設(shè)部已經(jīng)確定了兩批共計(jì)193個(gè)地區(qū)入選“國(guó)家智慧城市建設(shè)試點(diǎn)名單”，隨著各地在智能醫(yī)療、智能環(huán)保、智能交通、智能物流、智能安放、智能社區(qū)、智能市政等智慧城市各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域重點(diǎn)工程建設(shè)的逐步展開(kāi)，對(duì)各類(lèi)有關(guān)信息獲取、控制與存儲(chǔ)、通信與傳輸?shù)确矫娴男酒枨髮⒀杆僭鲩L(zhǎng)。
三、智能制造的興起。放眼全球，“新工業(yè)革命”正悄然興起。智能制造作為新工業(yè)革命的核心，目前正呈現(xiàn)爆發(fā)式發(fā)展的態(tài)勢(shì)。3D打印、工業(yè)機(jī)器人、數(shù)控機(jī)床、智能儀器儀表和工業(yè)控制等諸多領(lǐng)域均成為當(dāng)前工業(yè)與信息產(chǎn)業(yè)界關(guān)注的熱點(diǎn)。智能制造對(duì)芯片的需求也已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了工控機(jī)的范疇，正向各類(lèi)嵌入式系統(tǒng)延伸。代表兩化深度融合方向的智能制造，無(wú)疑將是未來(lái)國(guó)內(nèi)外集成電路市場(chǎng)需求中新的亮點(diǎn)。
四、對(duì)信息安全的重視。2013年爆發(fā)的“棱鏡門(mén)”事件，無(wú)疑將信息安全問(wèn)題提升到了一個(gè)前所未有的高度。目前，信息安全對(duì)軟硬件的要求不僅僅局限于加密芯片與加密軟件，也正向全面建設(shè)國(guó)家自主可控的信息化體系過(guò)渡。在此背景下，中國(guó)集成電路企業(yè)不僅能夠在信息安全相關(guān)芯片市場(chǎng)獲得獨(dú)一無(wú)二的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，更能夠在立足于國(guó)產(chǎn)的信息化軟硬件應(yīng)用中獲得更大的市場(chǎng)份額。信息安全無(wú)疑將成為2014年推動(dòng)國(guó)內(nèi)企業(yè)集成電路企業(yè)發(fā)展的重要契機(jī)。
在以上幾大熱點(diǎn)領(lǐng)域的帶動(dòng)下，2014年中國(guó)集成電路市場(chǎng)預(yù)計(jì)仍將保持整體增長(zhǎng)的勢(shì)頭。同時(shí)，市場(chǎng)的結(jié)構(gòu)性變化也將更加顯著，由技術(shù)驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)向應(yīng)用牽引、由聚集消費(fèi)轉(zhuǎn)向面向工業(yè)的市場(chǎng)特征將凸顯。廠(chǎng)商內(nèi)部發(fā)展方向的重新調(diào)整和廠(chǎng)商之間合縱連橫的重組舉措將成為2014年國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體業(yè)界的主旋律。
為滿(mǎn)足集成電路方面教學(xué)和科研的需要，同濟(jì)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系以985三期實(shí)驗(yàn)室建設(shè)、教育部修購(gòu)計(jì)劃兩項(xiàng)經(jīng)費(fèi)所購(gòu)置的設(shè)備為主體，充分整合利用本系目前已有的設(shè)備，完成了一個(gè)覆蓋完整的集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)的構(gòu)建。依托同濟(jì)大學(xué)第8期實(shí)驗(yàn)教改項(xiàng)目的支持，電子科學(xué)與技術(shù)系在平臺(tái)的應(yīng)用方面進(jìn)行了有益的探索：針對(duì)本科生實(shí)驗(yàn)教學(xué)完成了集成電路設(shè)計(jì)系列實(shí)驗(yàn)課程開(kāi)設(shè)；在集成電路相關(guān)科研項(xiàng)目中進(jìn)行了實(shí)際應(yīng)用，為科研工作提供了良好的支撐。
【關(guān)鍵詞】
集成電路；設(shè)計(jì)平臺(tái)；實(shí)驗(yàn)教學(xué)；科研
進(jìn)入21世紀(jì)之后，集成電路在我國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)及教育領(lǐng)域的重要性日益凸顯。2000年6月，國(guó)務(wù)院了綱領(lǐng)性文件《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》（國(guó)發(fā)2000〔18號(hào)〕）[1]，明確了集成電路作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的地位。在其后的國(guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃等文件中，均將集成電路列為重要的發(fā)展方向，自此我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了蓬勃發(fā)展的時(shí)期。產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展必然需要科技和教育的配合?；诖嗽?，國(guó)務(wù)院科教領(lǐng)導(dǎo)小組批準(zhǔn)實(shí)施國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)—集成電路與軟件重大專(zhuān)項(xiàng)，其后教育部、科技部決定在國(guó)內(nèi)有相對(duì)優(yōu)勢(shì)的高等院校建立國(guó)家集成電路人才培養(yǎng)基地，分別于2003年、2004年及2009年分3批批準(zhǔn)和支持20所高校進(jìn)行人才培養(yǎng)基地的建設(shè)工作。筆者所在的同濟(jì)大學(xué)為第2批建設(shè)的6所高校之一。
同濟(jì)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系成立于2002年，歷史較短，在集成電路方面的基礎(chǔ)較為薄弱。但自成立之初便將集成電路設(shè)計(jì)列為最重要的教學(xué)與科研方向之一，參考國(guó)際知名高校以及國(guó)內(nèi)兄弟院校的先進(jìn)經(jīng)驗(yàn)[2-4]，在課程設(shè)置等人才培養(yǎng)環(huán)節(jié)進(jìn)行了積極的探索[5]。但是，集成電路設(shè)計(jì)強(qiáng)調(diào)工程設(shè)計(jì)實(shí)踐，如果缺乏相應(yīng)的設(shè)計(jì)平臺(tái)，僅以理論知識(shí)為主，會(huì)導(dǎo)致培養(yǎng)出的學(xué)生與產(chǎn)業(yè)需求契合度不高。這也是諸多高校在集成電路設(shè)計(jì)的實(shí)驗(yàn)設(shè)置及實(shí)踐環(huán)節(jié)進(jìn)行教學(xué)改革和積極探索的原因[6-7]。我系也意識(shí)到亟須加強(qiáng)實(shí)踐環(huán)節(jié)的相關(guān)建設(shè)?；谝陨显颍覀兂浞掷?85三期實(shí)驗(yàn)室建設(shè)、教育部修購(gòu)計(jì)劃兩項(xiàng)經(jīng)費(fèi)的支持，在集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)的構(gòu)建方面進(jìn)行了積極的嘗試。
1建設(shè)方案與建設(shè)過(guò)程
1.1平臺(tái)建設(shè)的基礎(chǔ)依托985二期實(shí)驗(yàn)室建設(shè)、教育部修購(gòu)計(jì)劃兩項(xiàng)經(jīng)費(fèi)為我系的教學(xué)改革提供了非常有力的支持，根據(jù)各個(gè)學(xué)科方向的統(tǒng)籌規(guī)劃，分配約150萬(wàn)元用于集成電路及與系統(tǒng)設(shè)計(jì)相關(guān)的設(shè)備購(gòu)置。購(gòu)置的設(shè)備見(jiàn)表1、表2。除以上兩部分設(shè)備之外，本系已經(jīng)部分購(gòu)置了與集成電路設(shè)計(jì)相關(guān)的設(shè)備，如Dell服務(wù)器、SUN工作站、各類(lèi)測(cè)試與信號(hào)發(fā)生設(shè)備等。因此，我系已經(jīng)初步具備了建設(shè)一個(gè)覆蓋半導(dǎo)體器件制備與分析、集成電路設(shè)計(jì)與測(cè)試、系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)驗(yàn)證完整流程的專(zhuān)業(yè)實(shí)驗(yàn)與設(shè)計(jì)平臺(tái)的基礎(chǔ)條件。
1.2總體構(gòu)想與平臺(tái)規(guī)劃基于上述基礎(chǔ)硬件設(shè)備，我系在有限的場(chǎng)地資源中安排了專(zhuān)門(mén)的場(chǎng)地作為半導(dǎo)體器件與集成電路設(shè)計(jì)專(zhuān)業(yè)實(shí)驗(yàn)室，以支持集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)的建設(shè)。將擬建設(shè)的半導(dǎo)體與集成電路設(shè)計(jì)專(zhuān)業(yè)實(shí)驗(yàn)室劃分為4個(gè)功能區(qū)：服務(wù)器與中央控制區(qū)、集成電路設(shè)計(jì)區(qū)、集成電路分析與測(cè)試區(qū)、系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)與驗(yàn)證區(qū)?？傮w的規(guī)劃如圖1所示，功能與設(shè)備支撐概述如下。（1）服務(wù)器與中央控制區(qū)。主要空間用于放置3個(gè)機(jī)柜、承載兩個(gè)機(jī)架式服務(wù)器（HP、Dell）、存儲(chǔ)陣列（SAS15000RPM接口、初始配置7.2TB）、一個(gè)臥式服務(wù)器（超微）以及UPS電源、萬(wàn)兆交換機(jī)等供電和網(wǎng)絡(luò)配件。需注意該部分噪聲較大，故應(yīng)與實(shí)驗(yàn)室其他功能區(qū)隔離。提供VPN、遠(yuǎn)程配置以及各類(lèi)必要的服務(wù)，配置完整的EDA工具系統(tǒng)，覆蓋集成電路設(shè)計(jì)全流程。（2）集成電路設(shè)計(jì)區(qū)。20個(gè)左右的工位，主要為HP工作站。具備兩類(lèi)工作方式：作為終端登錄服務(wù)器系統(tǒng)使用；在服務(wù)器系統(tǒng)不能提供支持時(shí)獨(dú)立使用。除工作站之外，配備2～3個(gè)文件柜、工具柜。（3）集成電路分析與測(cè)試區(qū)。主要功能為集成電路（晶圓、裸片、封裝后芯片）的分析、測(cè)試。分析與測(cè)試系統(tǒng)以?xún)商资謩?dòng)探針測(cè)試臺(tái)（包括基座、卡盤(pán)、ADV顯微鏡）、超長(zhǎng)焦金相顯微鏡（超長(zhǎng)工作距離，2000倍放大）、4套微米級(jí)精確位移系統(tǒng)（包括探針、針臂、針座、線(xiàn)纜與接口）為主，并配備2臺(tái)臺(tái)式計(jì)算機(jī)以及信號(hào)發(fā)生器、穩(wěn)壓電源、邏輯分析儀1臺(tái)、示波器1臺(tái)，用作信號(hào)發(fā)生與記錄、信號(hào)與圖像采集功能。配備兩個(gè)實(shí)驗(yàn)工具柜。（4）系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)與驗(yàn)證區(qū)。6個(gè)工位，配備2～3臺(tái)計(jì)算機(jī)。考慮到面積有限，而該區(qū)功能較多，以多功能復(fù)用的方式設(shè)置工位的功能。該區(qū)的功能包括：①板級(jí)電路設(shè)計(jì)與測(cè)試。主要支撐設(shè)備為必要的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)（軟、硬件）。多臺(tái)邏輯分析儀、示波器、信號(hào)發(fā)生器、萬(wàn)用表、穩(wěn)壓電源、必要的電子元器件及焊接設(shè)備等。②基于FPGA的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。主要支撐設(shè)備為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)（軟、硬件）、4套Virtex-5FPGA系統(tǒng)。③嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)。主要支撐設(shè)備為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、3套VeriSOC-ARM9開(kāi)發(fā)平臺(tái)、多套PSoC開(kāi)發(fā)套件、多套ARM開(kāi)發(fā)套件、微控制器開(kāi)發(fā)套件等。④集成電路系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證。與板級(jí)電路與測(cè)試共用各類(lèi)設(shè)備。
1.3軟硬件系統(tǒng)與設(shè)計(jì)流程構(gòu)建基于新購(gòu)買(mǎi)的存儲(chǔ)陣列（NetApp）、服務(wù)器（DL380G7）、交換機(jī)（CISCO），并整合本系統(tǒng)原有的兩臺(tái)服務(wù)器（一臺(tái)Dell機(jī)架式、一臺(tái)超微立式），構(gòu)成一個(gè)EDA開(kāi)發(fā)服務(wù)系統(tǒng)。系統(tǒng)構(gòu)建方面，我們進(jìn)行了基于傳統(tǒng)的EDA開(kāi)發(fā)環(huán)境架構(gòu)，以及基于虛擬化系統(tǒng)進(jìn)行構(gòu)建的兩種嘗試。存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)上基于存儲(chǔ)陣列，提供足夠安全的冗余備份與保護(hù)。系統(tǒng)具備負(fù)載均衡功能。最終構(gòu)建的系統(tǒng)可直接支持同一實(shí)驗(yàn)室內(nèi)20臺(tái)以上HP工作站的同時(shí)接入，并提供遠(yuǎn)程登錄支持；以及通過(guò)同濟(jì)大學(xué)校園網(wǎng)，提供外網(wǎng)的VPN接入支持。在硬件系統(tǒng)的基礎(chǔ)上，我們安裝配置了完善的EDA工具鏈，以提供覆蓋全流程的集成電路設(shè)計(jì)支持。
2教學(xué)與科研應(yīng)用
前述所構(gòu)建的集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)僅是基礎(chǔ)的軟硬件系統(tǒng)，如果要在實(shí)際的教學(xué)和科研工作中進(jìn)行使用，尚需進(jìn)行相關(guān)的課程大綱規(guī)劃、實(shí)驗(yàn)方案設(shè)計(jì)以及實(shí)際的芯片設(shè)計(jì)檢驗(yàn)。通過(guò)同濟(jì)大學(xué)第8期實(shí)驗(yàn)教學(xué)改革項(xiàng)目的支持，我們?cè)谶@些方面開(kāi)展了一定的工作，主要包括以下兩個(gè)方面。
2.1教學(xué)應(yīng)用完成了實(shí)驗(yàn)方案內(nèi)容建設(shè)，構(gòu)建形成了一套覆蓋集成電路設(shè)計(jì)全流程的實(shí)驗(yàn)方案，并兼顧半導(dǎo)體器件、集成電路測(cè)試；設(shè)計(jì)的系列實(shí)驗(yàn)應(yīng)用于新開(kāi)設(shè)的“集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)”課程中，以豐富和擴(kuò)展該門(mén)課程的實(shí)驗(yàn)內(nèi)容，提高學(xué)生的學(xué)習(xí)積極性。該課程每周4學(xué)時(shí)，已經(jīng)完成2013、2014兩個(gè)學(xué)年的實(shí)驗(yàn)教學(xué)工作。具體的實(shí)驗(yàn)內(nèi)容包括反相器實(shí)驗(yàn)（電路原理圖輸入、電路仿真、版圖設(shè)計(jì)、版圖設(shè)計(jì)規(guī)則檢查及一致性檢查、后仿真）、一位全加器系列試驗(yàn)、基本模擬電路單元設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)、綜合定制設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)、硬件描述語(yǔ)言設(shè)計(jì)與驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)（選做）、自動(dòng)綜合與布局布線(xiàn)設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)（選做）。構(gòu)建的軟硬件平臺(tái)，除用于集成電路設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)課之外，亦用于電子系“半導(dǎo)體器件物理”“半導(dǎo)體工藝原理”等多門(mén)課程的實(shí)驗(yàn)環(huán)節(jié)，以及本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)中。與現(xiàn)有的本科生各類(lèi)創(chuàng)新活動(dòng)相結(jié)合，為該類(lèi)活動(dòng)的人員選拔與培養(yǎng)、培訓(xùn)起到了一定的輔助作用。
2.2科研應(yīng)用集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)除用于相關(guān)的實(shí)驗(yàn)教學(xué)任務(wù)之外，亦可為相關(guān)的科研工作提供良好的支撐。在該平臺(tái)所定義的開(kāi)發(fā)環(huán)境及設(shè)計(jì)流程上，我們完成了兩款65納米工藝超大規(guī)模集成電路芯片的設(shè)計(jì)工作，其中一款已經(jīng)返回，并進(jìn)行了較為完整的測(cè)試，功能及性能均符合預(yù)期，芯片如圖2、圖3所示。這些設(shè)計(jì)很好地確證了該平臺(tái)的完整性和可靠性。
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集成電路是換代節(jié)奏快、技術(shù)含量高的產(chǎn)品。從當(dāng)今國(guó)際市場(chǎng)格局來(lái)看，集成電路企業(yè)之間在知識(shí)產(chǎn)權(quán)主導(dǎo)權(quán)上斗爭(zhēng)激烈，重要集成電路產(chǎn)品全球產(chǎn)業(yè)組織呈現(xiàn)出跨國(guó)公司(準(zhǔn))寡頭壟斷的特征，集成電路跨國(guó)公司銷(xiāo)售、制造、研局朝全球化方向發(fā)展。有鑒于此，當(dāng)前集成電路是中國(guó)的“短腿”產(chǎn)業(yè)。
(一)產(chǎn)品研究開(kāi)發(fā)至關(guān)重要。
集成電路產(chǎn)品研發(fā)和換代周期較短。按照摩爾定律，集成芯片上所集成的電路數(shù)目，微處理器的性能，每隔一個(gè)周期就翻一番；可比單位貨幣所能購(gòu)買(mǎi)到的電腦性能，每隔一個(gè)周期就翻兩番。為什么集成電路產(chǎn)品研發(fā)換代周期如此之短?因?yàn)樾酒圃焐桃宰疃虝r(shí)間，盡其所能，開(kāi)發(fā)新技術(shù)，將技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)更新?lián)Q代，以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品性?xún)r(jià)比迅速優(yōu)化，并大規(guī)模鎖定消費(fèi)者群體，乃至防止自身技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)鎖定的消費(fèi)者、使用者群體流失到競(jìng)爭(zhēng)廠(chǎng)商那兒去。由此，集成電路制造商要生存和發(fā)展，必須從銷(xiāo)售收入之中，高比率地支出研發(fā)預(yù)算，建設(shè)研發(fā)隊(duì)伍，開(kāi)展研發(fā)行動(dòng)。研發(fā)主要目標(biāo)在于，形成具有性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)品規(guī)格。以全球優(yōu)勢(shì)芯片制造商英特爾為例，近幾年其研發(fā)支出占銷(xiāo)售收入的比重一直高達(dá)13-15％，而同期相對(duì)比，即使是研發(fā)強(qiáng)度較高的汽車(chē)和航空器產(chǎn)業(yè)，其優(yōu)勢(shì)跨國(guó)公司的研發(fā)支出占銷(xiāo)售收入的比重也都在5％上下。
(二)知識(shí)產(chǎn)權(quán)主導(dǎo)權(quán)上斗爭(zhēng)激烈。
研發(fā)投入和行動(dòng)是為了獲取創(chuàng)新成果。集成電路廠(chǎng)商之間，在研發(fā)成果的認(rèn)定、建設(shè)、保護(hù)方面，常年都是劍張弩拔，斗爭(zhēng)異常劇烈。首先，研發(fā)成果要及時(shí)在產(chǎn)品市場(chǎng)銷(xiāo)售地申請(qǐng)登記為專(zhuān)利、商標(biāo)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)；這種登記行動(dòng)在步調(diào)上要早于國(guó)際市場(chǎng)開(kāi)拓。再以英特爾公司為例，美國(guó)專(zhuān)利和商標(biāo)局的數(shù)據(jù)顯示，近幾年來(lái)英特爾所獲該局授權(quán)專(zhuān)利數(shù)目一直排在前十位，2007年獲得授權(quán)數(shù)1865項(xiàng)，在授權(quán)巨頭中排第五。其次是技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)定和推廣。一項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的權(quán)益的表現(xiàn)就是一個(gè)技術(shù)專(zhuān)利群體。從全球個(gè)人和辦公用計(jì)算機(jī)市場(chǎng)整體格局看，英特爾和微軟擁有所謂w英特爾事實(shí)標(biāo)準(zhǔn)；為鞏固這一標(biāo)準(zhǔn)的壟斷地位和保持周邊技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的優(yōu)勢(shì)地位，英特爾可謂不遺余力。英特爾每隔一個(gè)季度，要在美國(guó)、中國(guó)、歐洲等世界主要大市場(chǎng)區(qū)，選擇商務(wù)中心城市，舉辦所謂英特爾信息技術(shù)峰會(huì)；峰會(huì)的一項(xiàng)重要工作就是推介英特爾的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。近年推出的計(jì)算機(jī)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)涵蓋到系統(tǒng)總線(xiàn)、PC架構(gòu)、多媒體網(wǎng)絡(luò)、無(wú)線(xiàn)通訊、數(shù)字家電等方面。三是知識(shí)產(chǎn)權(quán)的訴訟與反訴訟。作為PC機(jī)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)主導(dǎo)者，英特爾和微軟兩家公司幾乎每年都發(fā)生訴訟與反訴訟事件，訴訟涉及的核心問(wèn)題是知識(shí)產(chǎn)權(quán)侵權(quán)和市場(chǎng)壟斷。近年來(lái)，就法院正式立案案件而言，英特爾的訴訟或反訴伙伴涉及美國(guó)Broadcom、超微、美國(guó)消費(fèi)者群體、Transmeta、Intergraph、中國(guó)臺(tái)灣威盛、中國(guó)深圳東進(jìn)等；至于從2005年開(kāi)始，美國(guó)AMD公司訴訟英特爾更是表明，AMD公司要正面挑戰(zhàn)英特爾在PC機(jī)CPU芯片供應(yīng)上占據(jù)多年的絕對(duì)壟斷地位。
(三)重要集成電路產(chǎn)品全球產(chǎn)業(yè)組織呈現(xiàn)出跨國(guó)公司(準(zhǔn))寡頭壟斷的特征。
集成電路廠(chǎng)商要做到大規(guī)模鎖定消費(fèi)者群體，除在研發(fā)投入和節(jié)奏上要占優(yōu)勢(shì)和先機(jī)之外，還需要盡可能地將產(chǎn)品市場(chǎng)國(guó)際化。因?yàn)橹挥幸愿叨葒?guó)際化的市場(chǎng)為基礎(chǔ)，企業(yè)才能在產(chǎn)品生產(chǎn)和銷(xiāo)售上取得規(guī)模經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)，才能攤薄昂貴的研發(fā)成本。全球產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)張和研發(fā)強(qiáng)度的加大又是相輔相成的。于是，對(duì)集成電路等產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，若以全球市場(chǎng)為背景，我們會(huì)看到這樣一幅圖景：一旦某個(gè)企業(yè)在市場(chǎng)份額上初占優(yōu)勢(shì)，它在研究開(kāi)發(fā)經(jīng)費(fèi)的投入，在技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的推出和擁有，在鎖定消費(fèi)者步伐等方面，都會(huì)較長(zhǎng)時(shí)間處于優(yōu)勢(shì)或領(lǐng)先的地位。全球市場(chǎng)份額也會(huì)朝向寡頭集中，直至另一個(gè)后起之秀再憑借某些條件，逐步突破原有優(yōu)勢(shì)企業(yè)的寡頭地位，并推動(dòng)市場(chǎng)份額重組，乃至再次形成新的銷(xiāo)售市場(chǎng)朝向單寡頭或少數(shù)寡頭集中的格局特征。當(dāng)前集成電路產(chǎn)品全球的銷(xiāo)售市場(chǎng)和產(chǎn)業(yè)組織格局充分說(shuō)明這一點(diǎn)。據(jù)Gartner公司調(diào)查，2007年全球前十大公司占全球商業(yè)芯片銷(xiāo)售收入的53.1％。需注意，這僅是關(guān)于全部各類(lèi)銷(xiāo)售收入的集中度數(shù)據(jù)。集成電路(芯片)是中間產(chǎn)品；對(duì)某一具體最終產(chǎn)品所使用某種具體芯片而言，往往由單個(gè)或?yàn)閿?shù)不多的若干芯片制造商處于市場(chǎng)壟斷地位。例如，對(duì)個(gè)人和辦公用微型計(jì)算機(jī)最終產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，因所謂WINTEL事實(shí)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)既定消費(fèi)者群體的鎖定，至少在PC機(jī)的CPU芯片供應(yīng)上，很多年來(lái)，英特爾公司實(shí)際上一直處于單寡頭壟斷地位。當(dāng)然，近幾年這種單寡頭絕對(duì)壟斷地位也一定程度受到AMD公司的沖擊。至于其他具體種類(lèi)芯片，也以單寡頭或少數(shù)寡頭壟斷供應(yīng)居多。
(四)跨國(guó)公司銷(xiāo)售、制造、研局朝全球化方向發(fā)展。
2007年全球集成電路銷(xiāo)售收入最多的十家公司分別是英特爾，三星電子、東芝、德州儀器、意法半導(dǎo)體、英飛凌、現(xiàn)代半導(dǎo)體、瑞薩、恩智浦和日本電氣。十大巨頭均為跨國(guó)公司，均以全球市場(chǎng)為背景，進(jìn)行制造、銷(xiāo)售、研發(fā)基地配置，以盡可能地取得行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。以英特爾公司為例。英特爾在50個(gè)國(guó)家開(kāi)設(shè)約300個(gè)分支機(jī)構(gòu)，總公司對(duì)分支構(gòu)架的控制主要采取控股、內(nèi)部化方式，全球化布局戰(zhàn)略在銷(xiāo)售、制造、研發(fā)等方面都得到充分體現(xiàn)。
從銷(xiāo)售收入地域格局來(lái)看，銷(xiāo)售地域格局的多元化和新銷(xiāo)售地域增長(zhǎng)點(diǎn)的形成是支撐英特爾銷(xiāo)售收入迅猛上升的主要因素。1997至2007年間，英特爾公司美洲銷(xiāo)售份額從44％0持續(xù)下降至20％；歐洲份額從27％持續(xù)下降至19％；亞洲份額從19％持續(xù)上升至51％。
從制造過(guò)程來(lái)看，英特爾在全球范圍整合生產(chǎn)體系，將高附加值部分(硅片生產(chǎn)與加工)留在美國(guó)，將制造設(shè)施放在以色列，將勞動(dòng)密集型業(yè)務(wù)放在馬來(lái)西亞、愛(ài)爾蘭、菲律賓、巴巴多斯、中國(guó)和哥斯達(dá)黎加等地。隨著中國(guó)市場(chǎng)重要性上升，英特爾在建設(shè)原上海測(cè)試和封裝工廠(chǎng)的基礎(chǔ)上，先后于2004年、2007年再在中國(guó)成都、大連建設(shè)封裝測(cè)試和生產(chǎn)制造工廠(chǎng)。
從研局來(lái)看，在芯片設(shè)計(jì)和測(cè)試方面，美國(guó)、印度、以色列、中國(guó)等重要區(qū)域市場(chǎng)支點(diǎn)和人力資源豐富區(qū)是公司布局重點(diǎn)，其三大模塊化通信平臺(tái)、解決方案中心、研發(fā)中心分別布設(shè)在美國(guó)、中國(guó)和比利時(shí)。20世紀(jì)90年代以來(lái)，英特爾的全球架構(gòu)整合行動(dòng)一定程度影響和引領(lǐng)著其他芯片商。其中，一些公司對(duì)海外機(jī)構(gòu)進(jìn)行了重組。
(五)集成電路是中國(guó)的“短腿”產(chǎn)業(yè)。
我國(guó)集成電路的設(shè)計(jì)和制造還處在起步發(fā)展階段，遠(yuǎn)不具備強(qiáng)勢(shì)國(guó)際分工地位。這在多方面都有所體現(xiàn)。首先，集成電路是中國(guó)大額逆差產(chǎn)業(yè)。盡管近年我國(guó)貨物貿(mào)易實(shí)現(xiàn)巨額貿(mào)易順差，但順差、逆差產(chǎn)業(yè)的分化明顯。順差主要集中在紡織、家電等產(chǎn)業(yè)上，而集成電路、礦產(chǎn)、塑料等發(fā)生大額逆差。2005年和2006年集成電路是我國(guó)頭號(hào)逆差產(chǎn)品，其貿(mào)易逆差總額分別高達(dá)856億美元和676億美元，相當(dāng)于當(dāng)年全部貨物貿(mào)易順差的48.2％和66.4％。其次，我國(guó)各種專(zhuān)有權(quán)連年發(fā)生大額貿(mào)易逆差。2006年和2007年，通過(guò)國(guó)際收支反映出來(lái)的中國(guó)“專(zhuān)有權(quán)利使用費(fèi)和特許費(fèi)”貿(mào)易項(xiàng)逆差分別為64.3億美元和78.5億美元，分別相當(dāng)于當(dāng)年服務(wù)貿(mào)易國(guó)際收支逆差總額的72.8％和99.4％。如前闡述，集成電路產(chǎn)業(yè)要發(fā)展，需要以企業(yè)擁有強(qiáng)勢(shì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)所有權(quán)為基礎(chǔ)，而專(zhuān)有權(quán)貿(mào)易項(xiàng)大額逆差實(shí)際上和集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)處在幼稚期密切相關(guān)。還有，目前我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)和制造企業(yè)的實(shí)際情況也說(shuō)明了這一點(diǎn)。2007年中國(guó)內(nèi)地銷(xiāo)售收入排名第一的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)——華大集成電路設(shè)計(jì)集團(tuán)有限公司銷(xiāo)售收入總額大致相當(dāng)于同年英特爾銷(xiāo)售額的5％。在排名前幾位的芯片設(shè)計(jì)制造商中，業(yè)務(wù)種類(lèi)主要集中在身份管理、消費(fèi)結(jié)算、通信、MPi、多媒體等低端芯片上面。
二、中國(guó)本土企業(yè)的借鑒經(jīng)驗(yàn)
目前，在智能卡，固定和無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)電子、家電所用芯片，以及PC機(jī)芯片等產(chǎn)品領(lǐng)域，我國(guó)已經(jīng)有若干集成電路設(shè)計(jì)制造企業(yè)，自主品牌業(yè)務(wù)迅速增長(zhǎng)。境內(nèi)自主品牌企業(yè)的成長(zhǎng)經(jīng)歷初步表明，國(guó)內(nèi)大市場(chǎng)能夠?yàn)槠髽I(yè)成長(zhǎng)提供比較優(yōu)勢(shì)，知識(shí)產(chǎn)權(quán)建設(shè)是企業(yè)可持續(xù)成長(zhǎng)的推動(dòng)力，企業(yè)應(yīng)該高度重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)貿(mào)易糾紛應(yīng)對(duì)，目前中國(guó)集成電路企業(yè)“走出去”尚不普遍。
(一)若干中低端集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)迅速成長(zhǎng)。
根據(jù)來(lái)自中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的數(shù)據(jù)，中國(guó)內(nèi)地集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售收入從2002年的21.6億元增長(zhǎng)到2006年的186億元，年均增長(zhǎng)71.3％。位居2007年銷(xiāo)售額前五位的企業(yè)分別是中國(guó)華大集成電路、深圳海思半導(dǎo)體、上海展訊通信、大唐微電子、珠海炬力集成電路。我國(guó)集成電路的本土“巨頭”的業(yè)務(wù)范圍主要集中在智能卡、多媒體、通信卡等低端業(yè)務(wù)上。同時(shí)，這些企業(yè)在成長(zhǎng)早期的某個(gè)三至五年時(shí)間段，都發(fā)生過(guò)業(yè)務(wù)量迅猛增長(zhǎng)。其中，珠海炬力2002-2005年間銷(xiāo)售收入年均增長(zhǎng)高達(dá)950％；上海展訊通信2007年銷(xiāo)售收入相比上年增長(zhǎng)了233.1％，中國(guó)華大集成電路2004-2006年銷(xiāo)售收入年均增長(zhǎng)62.6％。
(二)境內(nèi)大市場(chǎng)能夠?yàn)槠髽I(yè)成長(zhǎng)提供比較優(yōu)勢(shì)。
境內(nèi)大市場(chǎng)對(duì)企業(yè)成長(zhǎng)的重要作用的典型表現(xiàn)是：“第二代身份證項(xiàng)目”為中國(guó)華大、大唐微電子、上海華虹、清華同方微電子等企業(yè)成長(zhǎng)提供了較大市場(chǎng)機(jī)遇。這里再以珠海炬力對(duì)市場(chǎng)的主動(dòng)開(kāi)發(fā)為例。從2001年開(kāi)始，珠海炬力推出所謂“保姆式服務(wù)”。炬力在銷(xiāo)售芯片的同時(shí)，免費(fèi)附送一套完整的MP3制造“操作手冊(cè)”，對(duì)芯片手工、規(guī)范、標(biāo)準(zhǔn)、制作和質(zhì)量等做詳細(xì)說(shuō)明。同時(shí)，只要買(mǎi)了炬力芯片，炬力服務(wù)支持人員會(huì)告訴你到哪里買(mǎi)合適的PBC板，到哪里買(mǎi)電容、電阻，成本是多少?？蛻?hù)即便是外行，只要找?guī)讉€(gè)會(huì)焊接技術(shù)、能看懂圖紙的技術(shù)人員。然后再買(mǎi)模具回來(lái)，往上一扣就可以出貨?！氨Ｄ肥椒?wù)”吸引了大量中小廠(chǎng)商進(jìn)入MP3市場(chǎng)，僅2005年，境內(nèi)出現(xiàn)的MP3品牌就達(dá)600多個(gè)。由此，珠海炬力在中國(guó)本土成功巨量引爆MP3生產(chǎn)和消費(fèi)能力。這種操作給矩力銷(xiāo)售收入帶來(lái)了井噴式增長(zhǎng)。還有，珠海炬力后來(lái)深陷與美國(guó)芯片商SigmaTel公司的訴訟糾紛，對(duì)向美國(guó)出口受到限制，這時(shí)，正是面向境內(nèi)和其他國(guó)家的銷(xiāo)售為珠海炬力提供了市場(chǎng)緩沖和財(cái)務(wù)支持。在后來(lái)與SigmaTel公司的較量中，珠海炬力要求國(guó)內(nèi)司法機(jī)關(guān)執(zhí)行“訴前禁令”，而正是因?yàn)榭紤]到可能失去中國(guó)境內(nèi)大市場(chǎng)，成為外方企業(yè)考慮和解的重要權(quán)衡因素，中國(guó)境內(nèi)大市場(chǎng)成為斗爭(zhēng)籌碼之一。實(shí)際上，我們?cè)購(gòu)膰?guó)際經(jīng)貿(mào)理論提供的論證來(lái)看，不論是波特的國(guó)家比較優(yōu)勢(shì)論，還是戰(zhàn)略性貿(mào)易理論，或者是楊小凱等人新興古典貿(mào)易理論，境內(nèi)大市場(chǎng)都是構(gòu)建國(guó)際分工比較優(yōu)勢(shì)的重要支持因素之一。
(三)知識(shí)產(chǎn)權(quán)建設(shè)是企業(yè)可持續(xù)成長(zhǎng)的推動(dòng)力。
具備研究開(kāi)發(fā)實(shí)力是啟動(dòng)、占領(lǐng)和拓展市場(chǎng)的基礎(chǔ)，也是企業(yè)可持續(xù)成長(zhǎng)的動(dòng)力。所有快速成長(zhǎng)的中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)都表現(xiàn)出了這個(gè)特點(diǎn)，有的企業(yè)在技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)上也取得了很大成績(jī)。
1中國(guó)華大。2006年華大實(shí)現(xiàn)了新增知識(shí)產(chǎn)權(quán)45項(xiàng)，其中申報(bào)發(fā)明專(zhuān)利29項(xiàng)，軟件著作權(quán)登記8項(xiàng)，集成電路版圖登記8項(xiàng)。該公司自2003年開(kāi)始進(jìn)行WLAN芯片研發(fā)工作，成為無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)領(lǐng)域的“寬帶無(wú)線(xiàn)IP標(biāo)準(zhǔn)工作組”正式成員。此外，作為“WAPI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟”發(fā)起人單位之一，華大還積極參與到國(guó)家WLAN標(biāo)準(zhǔn)的制定。
2深圳海思。海思掌握具有一定地位的IC設(shè)計(jì)與驗(yàn)證技術(shù)，擁有先進(jìn)的EDA設(shè)計(jì)平臺(tái)、開(kāi)發(fā)流程和規(guī)范，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出100多款自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的芯片，共申請(qǐng)專(zhuān)利500多項(xiàng)。
3上海展訊通信。展訊近百項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利獲得國(guó)內(nèi)外正式授權(quán)，目前已形成一套核心技術(shù)的專(zhuān)利群。
4大唐微電子。公司連續(xù)開(kāi)發(fā)出一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的技術(shù)與產(chǎn)品，目前，公司共向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申報(bào)專(zhuān)利90項(xiàng)。
5珠海炬力。2003年以來(lái)，珠海炬力不斷加大自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)的研發(fā)投入力度，并積極申請(qǐng)專(zhuān)利、布圖設(shè)計(jì)、軟件著作權(quán)、商標(biāo)權(quán)等多種形態(tài)知識(shí)產(chǎn)權(quán)，專(zhuān)利申請(qǐng)量和獲得授權(quán)的數(shù)量實(shí)現(xiàn)了迅速增長(zhǎng)。
(四)知識(shí)產(chǎn)權(quán)貿(mào)易糾紛提供的教訓(xùn)非常深刻。
在深圳海思尚未從華為拆分出來(lái)的時(shí)候，華為就在集成系統(tǒng)的軟硬件方面和國(guó)外廠(chǎng)商有過(guò)知識(shí)產(chǎn)權(quán)摩擦。至于從2005年年初至2007年6月，珠海炬力與美國(guó)老牌芯片商SigmaTel的知識(shí)產(chǎn)權(quán)糾紛所引發(fā)的摩擦影響之大、企業(yè)投入之巨、持續(xù)時(shí)間之長(zhǎng)、社會(huì)關(guān)注之廣，在我國(guó)貿(mào)易糾紛歷史上極為罕見(jiàn)。這一知識(shí)產(chǎn)權(quán)貿(mào)易糾紛提供的教訓(xùn)值得我國(guó)集成電路和高新技術(shù)企業(yè)長(zhǎng)期引以為鑒。
1集成電路企業(yè)全球市場(chǎng)份額大幅攀升必然引發(fā)知識(shí)產(chǎn)權(quán)貿(mào)易摩擦。2003年以前，SigmaTel曾經(jīng)在全球MP3芯片市場(chǎng)中占據(jù)70％以上的份額。但是，正是由于集成電路產(chǎn)品的快速換代性和消費(fèi)者群體鎖定性，隨著珠海炬力的崛起，SigmaTel的市場(chǎng)份額不斷遭到炬力蠶食。2006年4月，SigrnaTel第一季度收入較上年同期下降67％，正是出于“生死存亡”的考慮，SigmaTel才選擇在珠海炬力成長(zhǎng)的關(guān)鍵期，不遺余力地通過(guò)訴訟和其他途徑，試圖“阻擊”炬力市場(chǎng)領(lǐng)地的蔓延。
2知識(shí)產(chǎn)權(quán)訴訟過(guò)程本身就會(huì)給競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手造成重大傷害。在訴訟其間，珠海炬力曾經(jīng)遭遇對(duì)美國(guó)出口受到禁止、公司股價(jià)大跌、前后訴訟支出超過(guò)1000萬(wàn)美元等考驗(yàn)，如若公司沒(méi)能挺住，可能就倒在訴訟途中。
3與訴訟對(duì)手和解，是雙方博弈的理性選擇。在整個(gè)訴訟和反訴過(guò)程中，珠海炬力經(jīng)歷“遭訴應(yīng)訴反訴拒絕和解在對(duì)方調(diào)整條件后和解”的互動(dòng)角色變化。而對(duì)手Sigma7el則經(jīng)歷“一定程度得手遭反訴提出和解遭到拒絕調(diào)整條件后和解”的角色變化。雙方的和解與英特爾、微軟、IBM、華為等公司與糾紛對(duì)手和解有類(lèi)似之處，是實(shí)力較量之后的理性博弈和解。
4企業(yè)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理必須同步于產(chǎn)品國(guó)際市場(chǎng)開(kāi)拓。2005年以前，珠海炬力的知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理是滯后于國(guó)際市場(chǎng)開(kāi)拓的，當(dāng)然也談不上事前對(duì)可能陷入的訴訟做前瞻性準(zhǔn)備。而正是回應(yīng)訴訟強(qiáng)烈地推動(dòng)了企業(yè)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)管理。
(五)企業(yè)主動(dòng)“走出去”尚不普遍。
目前就企業(yè)國(guó)際化而言，境內(nèi)快速成長(zhǎng)的企業(yè)均在自身設(shè)計(jì)產(chǎn)品出口方面取得了較大進(jìn)展。其中，深圳海思、上海展訊、大唐微電子、珠海炬力等企業(yè)的海外銷(xiāo)售收入都在公司銷(xiāo)售總額中占有一定的比例。其中，2006年，深圳海思出口收入占銷(xiāo)售收入的69％，上海展訊占32.6％，大唐微電子占1.4％，珠海炬力占89％。不過(guò)，在海外分支機(jī)構(gòu)建設(shè)方面，僅深圳海思、上海展迅通信初步取得進(jìn)展。
三、中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)突圍發(fā)展的基本要領(lǐng)
集成電路之所以成為中國(guó)的短腿產(chǎn)業(yè)，有其內(nèi)在原因。集成電路企業(yè)的啟動(dòng)需要有較先進(jìn)的技術(shù)和較強(qiáng)勁的資本實(shí)力作為基礎(chǔ)；也需要國(guó)內(nèi)居民普遍的收入達(dá)到一定水平，以支撐電腦、手機(jī)、消費(fèi)電子、高端家電等購(gòu)買(mǎi)閥值相對(duì)較高的產(chǎn)品形成市場(chǎng)規(guī)模。至于某些中高端芯片產(chǎn)品發(fā)展，國(guó)內(nèi)企業(yè)還處于成長(zhǎng)初期，會(huì)面臨外方強(qiáng)勢(shì)跨國(guó)公司全面壟斷市場(chǎng)的壓力。全面考慮這些情況，作為“短腿”的中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程必定是一個(gè)不斷在技術(shù)和市場(chǎng)上構(gòu)建優(yōu)勢(shì)，并突出外方強(qiáng)勢(shì)企業(yè)重圍的過(guò)程。
(一)積極拓展產(chǎn)品種類(lèi)，提升產(chǎn)品檔次。
我國(guó)現(xiàn)有集成電路企業(yè)，現(xiàn)有的集成電路關(guān)聯(lián)企業(yè)，如計(jì)算機(jī)、家電、消費(fèi)電子、工程服務(wù)等產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域廠(chǎng)商，應(yīng)該在企業(yè)原有的技術(shù)和財(cái)務(wù)實(shí)力的基礎(chǔ)上，通過(guò)開(kāi)發(fā)創(chuàng)新技術(shù)、建設(shè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和拓展產(chǎn)品市場(chǎng)，逐步拓寬和提升我國(guó)能夠設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造的集成電路產(chǎn)品種類(lèi)，乃至實(shí)現(xiàn)我國(guó)設(shè)計(jì)的自主品牌集成電路產(chǎn)品，逐漸延伸到手機(jī)、計(jì)算機(jī)用CPU等高端芯片產(chǎn)品領(lǐng)域，并逐漸結(jié)束我國(guó)在高端集成電路領(lǐng)域的空白狀態(tài)。
(二)企業(yè)主動(dòng)開(kāi)發(fā)境內(nèi)大市場(chǎng)。
隨著我國(guó)居民收入水平不斷增長(zhǎng)，我國(guó)消費(fèi)購(gòu)買(mǎi)閥值增大，對(duì)像集成電路這種高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的突圍成長(zhǎng)而言，境內(nèi)大市場(chǎng)的孵化、支持、緩沖等作用將表現(xiàn)得越來(lái)越明顯。不過(guò)，境內(nèi)大市場(chǎng)的這種作用需要企業(yè)主動(dòng)去發(fā)現(xiàn)、開(kāi)發(fā)和利用。因此，在中國(guó)內(nèi)地企業(yè)提升集成電路產(chǎn)品檔次、培育民族品牌產(chǎn)品、建設(shè)自主技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)體系的過(guò)程中，應(yīng)該借鑒珠海炬力、中國(guó)華大等企業(yè)的經(jīng)驗(yàn)，創(chuàng)造性地拿出市場(chǎng)開(kāi)發(fā)方案，通過(guò)生產(chǎn)和消費(fèi)兩方面的促進(jìn)，激發(fā)我國(guó)的集成電路市場(chǎng)容量潛力，并實(shí)現(xiàn)企業(yè)快速成長(zhǎng)。
(三)加強(qiáng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)，占領(lǐng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)制高點(diǎn)。
境內(nèi)集成電路企業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)聯(lián)企業(yè)，應(yīng)以某些技術(shù)單點(diǎn)的創(chuàng)新成就為基礎(chǔ)，加強(qiáng)產(chǎn)品價(jià)值鏈上下游環(huán)節(jié)技術(shù)創(chuàng)新和專(zhuān)利開(kāi)發(fā)，以點(diǎn)帶面，逐步形成本國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)集群。企業(yè)和政府共同努力，將謀求事實(shí)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)與國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)定結(jié)合起來(lái)，大力推進(jìn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際化。企業(yè)應(yīng)積極建設(shè)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，集中同行技術(shù)實(shí)力，削弱國(guó)際同行競(jìng)爭(zhēng)性標(biāo)準(zhǔn)影響力，促進(jìn)自主產(chǎn)權(quán)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)。政府則應(yīng)完善技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)國(guó)內(nèi)管理。同時(shí)，積極參加技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際組織和論壇，推動(dòng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際合作機(jī)制改革。
(四)企業(yè)盡快“走出去”，培育形成民族自主品牌跨國(guó)公司。
隨著我國(guó)自主品牌集成電路產(chǎn)品國(guó)際市場(chǎng)份額的增大，隨著產(chǎn)品品種逐漸延伸到電子產(chǎn)品CPU等核心環(huán)節(jié)或高端領(lǐng)域，我國(guó)企業(yè)與外國(guó)跨國(guó)公司的直面競(jìng)爭(zhēng)將在所難免。因此，從指導(dǎo)思想上，在集成電路企業(yè)的成長(zhǎng)過(guò)程中，一定要盡快“走出去”，要以本行業(yè)世界一流跨國(guó)公司為標(biāo)桿，構(gòu)建全球性與區(qū)域性恰當(dāng)結(jié)合的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售網(wǎng)絡(luò)。另外，與集成電路關(guān)聯(lián)的計(jì)算機(jī)制造、電信服務(wù)、工程服務(wù)企業(yè)，也都應(yīng)該盡快成長(zhǎng)為自主品牌跨國(guó)公司，并和集成電路跨國(guó)公司成長(zhǎng)形成呼應(yīng)、配合和相互促進(jìn)的關(guān)系。
(五)政府和社會(huì)將集成電路產(chǎn)業(yè)作為戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)予以扶持和資助。
集成電路產(chǎn)業(yè)具有以下特征：研發(fā)和資本需求強(qiáng)度較高，廠(chǎng)商靜態(tài)動(dòng)態(tài)規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)明顯，本國(guó)廠(chǎng)商和產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)面臨外方強(qiáng)勢(shì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，這些特征非常符合戰(zhàn)略性貿(mào)易理論所闡述的戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)的特征。因此，政府應(yīng)將該產(chǎn)業(yè)作為戰(zhàn)略扶持產(chǎn)業(yè)。具體地說(shuō)，政府應(yīng)該選擇集成電路(潛在)優(yōu)勢(shì)企業(yè)，運(yùn)用研發(fā)資助、財(cái)稅優(yōu)惠、優(yōu)惠性融資、出口補(bǔ)貼、“走出去”資助，外方優(yōu)惠政策爭(zhēng)取等措施，積極推動(dòng)本國(guó)戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)廠(chǎng)商提高國(guó)際市場(chǎng)份額。此外，政府還應(yīng)和科研機(jī)構(gòu)、其他社會(huì)各界一道，面向集成電路產(chǎn)業(yè)，加大基礎(chǔ)科學(xué)研究力度，加強(qiáng)與科技項(xiàng)目、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、人才培養(yǎng)相關(guān)的配套公共管理和服務(wù)。
(六)政府統(tǒng)籌建設(shè)境內(nèi)外大市場(chǎng)，加強(qiáng)國(guó)際經(jīng)貿(mào)合作關(guān)系。
首先要加強(qiáng)境內(nèi)外關(guān)聯(lián)產(chǎn)品消費(fèi)設(shè)施和流通市場(chǎng)的建設(shè)。在國(guó)內(nèi)，特別是在廣大農(nóng)村地區(qū)宜采取財(cái)政支出、優(yōu)惠信貸等方式；在境外，主要面向發(fā)展中經(jīng)濟(jì)貿(mào)易伙伴，以政府發(fā)展援助、企業(yè)公益行動(dòng)、貿(mào)易能力援助等方式，支持或幫助有線(xiàn)無(wú)線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)、電力等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，改善PC、手機(jī)、家電等關(guān)聯(lián)產(chǎn)品流通市場(chǎng)，提升貿(mào)易伙伴的貿(mào)易能力。其次要策略地開(kāi)展國(guó)際經(jīng)貿(mào)關(guān)系合作。積極面向在集成電路產(chǎn)業(yè)上和我國(guó)不存在競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系的經(jīng)濟(jì)體，通過(guò)FTA/RTA和其他經(jīng)貿(mào)協(xié)議，形成(準(zhǔn))共同產(chǎn)品市場(chǎng)關(guān)系。第三要優(yōu)化企業(yè)對(duì)外投資環(huán)境。加強(qiáng)國(guó)際投資協(xié)定合作和雙邊協(xié)商，破除中國(guó)企業(yè)境外投資進(jìn)入障礙。
關(guān)鍵詞：故障診斷；掃描診斷；全速診斷；IDDQ；IDDT
中圖分類(lèi)號(hào)：TM13 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：B
文章編號(hào)：1004-373X(2009)01-164-03
Scan-based Fault Diagnosis Technique for IC Testing
TAO Lifang1,MA Qi1,ZHU Hongwei2
(1.Microelectronic CAD Research Center,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou,310018,China;
2.Institute of VLSI Design,Zhejiang University,Hangzhou,310027,China)
Abstract：Along with fast development of IC technology,higher and higher request for the IC products reliability is needed,which set a higher request for IC test specially the fault diagnosis.Scan-based fault diagnosis technique for IC testing,which is one of fault diagnosis methods wildly used,a kind of advanced scan diagnosis and at-speed diagnosis are presented detailedly in this paper.
Keywords：fault diagnosis;scan diagnosis;at-speed diagnosis;IDDQ;IDDT
0 引 言
通常意義的的集成電路測(cè)試,只是施加測(cè)試以判斷被測(cè)電路是否存在故障,并不對(duì)故障進(jìn)行定位、確定故障類(lèi)型、明確故障發(fā)生的根本原因。隨著集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展,對(duì)集成電路測(cè)試提出了更高的要求,必須進(jìn)一步分析測(cè)試的結(jié)果,確定故障的性質(zhì),即所謂的故障診斷 \(Fault Diagnosis),以便對(duì)集成電路設(shè)計(jì)或工藝環(huán)節(jié)進(jìn)行改進(jìn)。
集成電路故障診斷分為故障檢測(cè)(測(cè)試)和故障定位,目的是找出引起集成電路失效(Failure)或者性能問(wèn)題的物理缺陷(Defect),從而為提高集成電路芯片的成品率或改善性能提供參考。既然診斷是一個(gè)對(duì)存在于給定電路的制造復(fù)制板中的故障進(jìn)行定位的過(guò)程,可以在測(cè)試結(jié)果的基礎(chǔ)上,分析故障產(chǎn)生的原因和位置,更加有利于提高測(cè)試的效率。
1 常見(jiàn)的故障診斷方法
目前的集成電路故障診斷技術(shù)都是基于電壓的集成電路測(cè)試(故障檢測(cè))方法,即在電路的測(cè)試端輸入測(cè)試向量,然后用電路的輸出結(jié)果與設(shè)計(jì)的期望值做比較以判斷電路是否有故障。例如,直接測(cè)量的方法,基于數(shù)學(xué)模型的方法,故障字典法,故障樹(shù)分析法 \等。
直接測(cè)量的方法是人工或者工具直接觀察測(cè)量被診斷對(duì)象有關(guān)的輸出量,如果超出正常變化范圍,則認(rèn)為對(duì)象已經(jīng)或?qū)⒁l(fā)生故障。這種方法雖然簡(jiǎn)單,但容易出現(xiàn)故障的誤判和漏判。
基于數(shù)學(xué)模型的方法是在故障模型的基礎(chǔ)上,通過(guò)電路狀態(tài)并參考適當(dāng)模型進(jìn)行診斷,或者根據(jù)過(guò)程參數(shù)的變化特性參考適當(dāng)模型進(jìn)行診斷。這種方法需要模型的支持,對(duì)缺乏診斷經(jīng)驗(yàn)(規(guī)則)的故障能起到預(yù)見(jiàn)作用。該方法的缺點(diǎn)是模型的建立比較困難,如果模型精確復(fù)雜,則診斷系統(tǒng)計(jì)算量龐大。
故障字典法［3］首先提取電路在各種故障狀態(tài)下的電路特征,以構(gòu)建一個(gè)字典。該字典中包含有故障狀態(tài)和電路特征的一一對(duì)應(yīng)關(guān)系。在診斷時(shí),根據(jù)電路表現(xiàn)出的特征,就可查出此時(shí)對(duì)應(yīng)的故障,如同查閱字典一樣。由于故障字典的建立需要精確數(shù)據(jù)以及字典的容量有限,該方法有一定的局限性。
故障樹(shù)分析法則像查找樹(shù)一樣,把許多電路的故障診斷歸納為幾個(gè)大的頂級(jí)故障事件,然后針對(duì)每個(gè)頂級(jí)故障事件搜索故障位置。這種診斷方法類(lèi)似于人類(lèi)的思維方式,易于被接受和理解。
以上的基于電壓的測(cè)試方法比較成熟,但是隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,其不足之處也越來(lái)越明顯。針對(duì)基于電壓的故障診斷方法的不足,出現(xiàn)了基于電流的診斷方法?；陔娏餍畔⒌募呻娐吩\斷可分為靜態(tài)電流(IDDQ)診斷和動(dòng)態(tài)電流(IDDT)診斷。IDDQ診斷方法檢測(cè)CMOS電路靜態(tài)時(shí)的漏電流以進(jìn)行診斷。IDDQ診斷方法測(cè)試成本低,可以以較小的IDDQ測(cè)試集獲得較大的故障覆蓋率,能夠檢測(cè)邏輯冗余故障,簡(jiǎn)化橋接故障測(cè)試,不需要考慮邏輯扇出點(diǎn) \。IDDT診斷方法是通過(guò)檢查電路在其內(nèi)部狀態(tài)發(fā)生翻轉(zhuǎn)時(shí)的動(dòng)態(tài)電流來(lái)發(fā)現(xiàn)其故障的方法。IDDT作為基于電壓的診斷和基于電流的IDDQ診斷的補(bǔ)充,成為集成電路診斷的另一方法。IDDT測(cè)試的速度非?？?而且可以對(duì)電路中的開(kāi)路故障、弱晶體管故障進(jìn)行檢測(cè),而這正是
IDDQ診斷方法的不足 \。
2 基于掃描的集成電路故障診斷方法
掃描測(cè)試 \或者稱(chēng)“掃描鏈插入”是集成電路最常見(jiàn)的可測(cè)試性設(shè)計(jì)技術(shù),可使測(cè)試數(shù)據(jù)從系統(tǒng)一端經(jīng)由移位寄存器等組成的數(shù)據(jù)通路(掃描鏈)串行移入或移出,并在數(shù)據(jù)輸出端對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,以此提高電路內(nèi)部節(jié)點(diǎn)的可控性和可觀察性,達(dá)到測(cè)試芯片內(nèi)部的目的。
基于掃描的故障檢測(cè)(測(cè)試)只需完成確定是否存在故障的任務(wù),但基于掃描的故障診斷需要定位故障,因此存在一個(gè)問(wèn)題：一旦確定一個(gè)掃描錯(cuò)誤,那么一系列節(jié)點(diǎn)都要成為測(cè)試的對(duì)象,這樣就要花大量的時(shí)間通過(guò)電路圖和物理版圖,比較一系列節(jié)點(diǎn),以隔離那些有可能有故障和缺陷的位置。所以,這種分析方法必須能對(duì)可能出現(xiàn)的故障類(lèi)型以及其物理缺陷做出有經(jīng)驗(yàn)的判斷和猜測(cè)。另外,掃描測(cè)試是基于stuck at類(lèi)型故障的,所以很難確定故障是開(kāi)路型還是橋接型故障。
3 一種改進(jìn)的掃描診斷技術(shù)
針對(duì)傳統(tǒng)的基于掃描的故障診斷存在的問(wèn)題,Mentor開(kāi)發(fā)出了YieldAssist診斷工具。該工具把故障嫌疑(suspect)分為stuck-at,open/dom橋,B-OR-A,B-AND-A,3-WAY橋,根據(jù)現(xiàn)有信息不能確定的,EQ#等類(lèi)型。除了采用基于定位的方法去驗(yàn)證故障嫌疑,確定故障嫌疑的類(lèi)型,該工具還通過(guò)計(jì)算仿真值和測(cè)試機(jī)上觀察值的比分值,來(lái)表明故障嫌疑與在測(cè)試機(jī)上觀察的結(jié)果的相似度(相似度的分值是在 1~100分之間,分值越高二者越接近)。因?yàn)榧词故窃谕粋€(gè)邏輯位置,不同的故障模型也有不同的仿真值。
YieldAssist的故障診斷流程如下：
(1) 仿真單個(gè)門(mén)有故障的管腳,看看故障向量是否把在測(cè)試機(jī)觀測(cè)到的錯(cuò)誤行為傳播到所有觀測(cè)點(diǎn),如果YieldAssist找到了關(guān)聯(lián),故障向量就可以在這個(gè)點(diǎn)被解釋?zhuān)?/p>
(2) 找到能包含所有錯(cuò)誤向量的最小故障集；
(3) 把所有的數(shù)據(jù)歸類(lèi)到幾個(gè)獨(dú)立的“癥狀”區(qū),每個(gè)癥狀中列出可以解釋該故障向量的嫌疑類(lèi)型。YieldAssist將嫌疑類(lèi)型進(jìn)行分級(jí),給出每個(gè)癥狀中每個(gè)嫌疑的分值,這樣對(duì)故障嫌疑進(jìn)行分級(jí)。分值表明了故障嫌疑與在測(cè)試機(jī)上觀察的結(jié)果的相似度。
4 一種基于掃描的全速診斷技術(shù)
全速測(cè)試 \是當(dāng)今電子設(shè)計(jì)的要求,芯片時(shí)鐘速度的不斷提升和幾何面積的不斷減小,不可避免地導(dǎo)致芯片與時(shí)鐘速度相關(guān)缺陷的增加。目前主要的ATPG工具都支持基于掃描的全速測(cè)試。最常見(jiàn)的針對(duì)制造缺陷和處理過(guò)程不穩(wěn)定的檢查的全速測(cè)試,包括了針對(duì)跳變延時(shí)故障和路徑延時(shí)故障模型的測(cè)試向量生成。但是,在出現(xiàn)故障現(xiàn)象的全速測(cè)試向量中挑揀出故障路徑是很消耗時(shí)間的,所以業(yè)界越來(lái)越期待運(yùn)用自動(dòng)診斷技術(shù)來(lái)確定故障路徑并找出問(wèn)題的根本原因。
通常情況下,運(yùn)行一段給定電壓給定溫度下的測(cè)試向量,就能找出最大的通過(guò)速度T max。在早期階段,T max小于指定電路速度F max的現(xiàn)象是很普遍的。當(dāng)T max遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于F max時(shí),需要找出是哪條路徑發(fā)生故障以及故障的原因。假設(shè)測(cè)試向量在芯片上以t max運(yùn)行,此處T max＜t maxF max,根據(jù)T max的定義可知,在t max的時(shí)鐘下,將會(huì)有一個(gè)或者多個(gè)故障路徑。
根據(jù)上述理論,為了確定在t max下的故障路徑,只需載入所有的測(cè)試向量,掃描鎖存器觀察故障值,就可以得到一個(gè)完整的路徑集合。因?yàn)檫@些路徑的有效運(yùn)行時(shí)鐘比設(shè)定的速度低,所以設(shè)計(jì)者可以觀察這些路徑是否是功能性(即是否完成某邏輯功能)：如果不是功能性的路徑,可以修改測(cè)試向量使得該路徑就不被測(cè)試；也可以更新時(shí)序例外通路(Timing Exception Paths),引導(dǎo)ATPG來(lái)避免敏化這條通路。如果是功能性的路徑,那么在設(shè)計(jì)或者制造環(huán)節(jié)進(jìn)行修正,直至測(cè)試向量通過(guò)全速測(cè)試。T max越接近F max,測(cè)試的覆蓋率越高。
基于掃描的全速診斷［10］大致可以分為兩部分：由ATE上觀察到故障的鎖存器找出故障路徑；自動(dòng)化全速診斷。
由ATE上觀察到故障的鎖存器中找出故障路徑,需要注意以下兩點(diǎn)：當(dāng)時(shí)鐘速度從T max提升到t max,多時(shí)鐘故障通路有可能被激活,此時(shí)的搜索就不能只假定在一個(gè)單故障路徑；全速測(cè)試的故障有可能是由毛刺引起的,并不是故障路徑的每個(gè)節(jié)點(diǎn)都有跳變,所以搜索不能局限在有跳變的范圍內(nèi) \。
自動(dòng)化全速診斷可以分為3步：
(1) 對(duì)每一個(gè)出現(xiàn)故障現(xiàn)象的測(cè)試向量(故障向量),在觀測(cè)到故障的鎖存器中找到所有故障值的所有單跳變錯(cuò)誤。
(2) 從所有故障向量中得到候選項(xiàng)之后,找到一個(gè)覆蓋所有錯(cuò)誤向量的最小跳變錯(cuò)誤的最小集合。
(3) 為了觀察故障路徑,對(duì)于已經(jīng)確定的每個(gè)跳變錯(cuò)誤,圖形化展示所有能被故障向量解釋的故障路徑。這些通路用循跡跟蹤法來(lái)找到,從錯(cuò)誤點(diǎn)反向至在錯(cuò)誤點(diǎn)產(chǎn)生跳變的鎖存器,然后再前向至結(jié)束點(diǎn)［12］。
5 結(jié) 語(yǔ)
介紹了故障診斷的常見(jiàn)方法,重點(diǎn)介紹了基于掃描的故障診斷方法。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,對(duì)芯片故障診斷的要求也越來(lái)越高,基于掃描的集成電路故障診斷算法將是研究和應(yīng)用的熱點(diǎn)。
參考文獻(xiàn)
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【關(guān)鍵詞】集成電路；失效分析；電性分析；物理分析
失效分析就是判斷失效的模式，查找失效原因，弄清失效機(jī)理，并且預(yù)防類(lèi)似失效情況再次發(fā)生。集成電路失效分析在提高集成電路的可靠性方面有著至關(guān)重要的作用，對(duì)集成電路進(jìn)行失效分析可以促進(jìn)企業(yè)糾正設(shè)計(jì)、實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)過(guò)程中的問(wèn)題，實(shí)施控制和改進(jìn)措施，防止和減少同樣的失效模式和失效機(jī)理重復(fù)出現(xiàn)，預(yù)防同類(lèi)失效現(xiàn)象再次發(fā)生。本文主要講述集成電路失效分析的技術(shù)和方法。
1.集成電路失效分析步驟
集成電路的失效分析分為四個(gè)步驟。在確認(rèn)失效現(xiàn)象后，第一步是開(kāi)封前檢查。在開(kāi)封前要進(jìn)行的檢查都是無(wú)損失效分析。開(kāi)封前會(huì)進(jìn)行外觀檢查、X光檢查以及掃描聲學(xué)顯微鏡檢查。第二步是打開(kāi)封裝并進(jìn)行鏡檢。第三步是電性分析。電性分析包括缺陷定位技術(shù)、電路分析以及微探針檢測(cè)分析。第四步是物理分析。物理分析包括剝層、聚焦離子束（FIB）、掃描電子顯微鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）以及VC定位技術(shù)。通過(guò)上述分析得出分析結(jié)論，完成分析報(bào)告，將分析報(bào)告交給相關(guān)技術(shù)人員。相關(guān)技術(shù)人員根據(jù)相應(yīng)的缺陷進(jìn)行改進(jìn)，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)集成電路失效分析的意義。
2.無(wú)損失效分析技術(shù)
所謂無(wú)損失效分析，就是在不損害分析樣品，不去掉芯片封裝的情況下，對(duì)該樣品進(jìn)行失效分析。無(wú)損失效分析技術(shù)包括外觀檢查、X射線(xiàn)檢查和掃描聲學(xué)顯微鏡檢查。在外觀檢查中，主要是憑借肉眼檢查是否有明顯的缺陷，如塑脂封裝是否開(kāi)裂，芯片的管腳是否接觸良好等等。X射線(xiàn)檢查則是利用X射線(xiàn)的透視性能對(duì)被測(cè)樣品進(jìn)行X射線(xiàn)照射，樣品的缺陷部分會(huì)吸收X射線(xiàn)，導(dǎo)致X射線(xiàn)照射成像出現(xiàn)異常情況。X射線(xiàn)檢測(cè)主要是檢測(cè)集成電路中引線(xiàn)損壞的問(wèn)題，根據(jù)電子器件的大小及電子器件構(gòu)造情況選擇合適的波長(zhǎng)，這樣就會(huì)得到合適的分辨率。而掃描聲學(xué)顯微鏡檢測(cè)是利用超聲波探測(cè)樣品內(nèi)部的缺陷，主要原理是發(fā)射超聲波到樣品內(nèi)部，然后由樣品內(nèi)部返回。根據(jù)反射時(shí)間以及反射距離可以得到檢測(cè)波形，然后對(duì)比正常樣品的波形找出存在缺陷的位置。這種檢測(cè)方法主要檢測(cè)的是由于集成電路塑封時(shí)水氣或者高溫對(duì)器件的損壞，這種損壞常為裂縫或者是脫層。相對(duì)于有損失效分析方法的容易損壞樣品、遺失樣品信息的缺點(diǎn)，無(wú)損失效分析技術(shù)有其特有的優(yōu)勢(shì)，是集成電路失效分析的重要技術(shù)。[1]
3.有損失效分析技術(shù)
無(wú)損失效分析技術(shù)只能對(duì)集成電路的明顯缺陷做出判斷，而對(duì)于存在于芯片內(nèi)部電路上的缺陷則無(wú)能為力。所以就要進(jìn)行有損失效分析，有損失效分析技術(shù)包括打開(kāi)封裝、電性分析以及物理分析。
3.1 打開(kāi)封裝
有損失效分析首先是對(duì)集成電路進(jìn)行開(kāi)封處理，開(kāi)封處理要做到不損壞芯片內(nèi)部電路。根據(jù)對(duì)集成電路的封裝方式或分析目的不同，采取相應(yīng)的開(kāi)封措施。方法一是全剝離法，此法是將集成電路完全損壞，只留下完整的芯片內(nèi)部電路。缺陷是由于內(nèi)部電路和引線(xiàn)全部被破壞，將無(wú)法進(jìn)行通電動(dòng)態(tài)分析。方法二是局部去除法，此法是利用研磨機(jī)研磨集成電路表面的樹(shù)脂直到芯片。優(yōu)點(diǎn)是開(kāi)封過(guò)程中不損壞內(nèi)部電路和引線(xiàn)，開(kāi)封后可以進(jìn)行通電動(dòng)態(tài)分析。方法三是全自動(dòng)法，此法是利用硫酸噴射來(lái)達(dá)到局部去除法的效果。[2]
3.2 電性分析
電性分析技術(shù)包括缺陷定位、電路分析以及微探針檢測(cè)分析。
3.2.1 缺陷定位
定位具體失效位置在集成電路失效分析中是一個(gè)重要而困難的項(xiàng)目，只有在對(duì)缺陷的位置有了明確定位后，才能繼而發(fā)現(xiàn)失效機(jī)理以及缺陷的特性。缺陷定位技術(shù)的應(yīng)用是缺陷定位的關(guān)鍵。Emission顯微鏡技術(shù)、OBIRCH（Optical Beam Induce Resistance Change）技術(shù)以及液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)為集成電路失效分析提供了快捷準(zhǔn)確的定位方法。
Emission顯微鏡具有非破壞性和快速精準(zhǔn)定位的特性。它使用光子探測(cè)器來(lái)檢測(cè)產(chǎn)生光電效應(yīng)的區(qū)域。由于在硅片上發(fā)生損壞的部位，通常會(huì)發(fā)生不斷增長(zhǎng)的電子-空穴再結(jié)合而產(chǎn)生強(qiáng)烈的光子輻射。因而這些區(qū)域可以通過(guò)Emission顯微鏡技術(shù)檢測(cè)到。OBIRCH技術(shù)是利用激光束感應(yīng)材料電阻率變化的測(cè)試技術(shù)。對(duì)不同材料經(jīng)激光束掃描可測(cè)得不同的材料阻值的變化；對(duì)于同一種材料若材料由于某種因素導(dǎo)致變性后，同樣也可測(cè)得這一種材質(zhì)電阻率的變化。我們就是借助于這一方法來(lái)探測(cè)金屬布線(xiàn)內(nèi)部的那些可靠患。液晶熱點(diǎn)檢測(cè)是一種非常有效的分析手段，主要是利用液晶的特性來(lái)進(jìn)行檢測(cè)。但液晶熱點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)的要求較高，尤其是對(duì)于液晶的選擇，只有恰當(dāng)?shù)囊壕Р拍苁箼z測(cè)工作順利進(jìn)行。液晶熱點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備一般由偏振顯微鏡、可以調(diào)節(jié)溫度的樣品臺(tái)以及控制電路構(gòu)成。在由晶體各向異性轉(zhuǎn)變?yōu)榫w各向同性時(shí)所需要的臨界溫度的能量要很小，以此來(lái)提高靈敏度。同時(shí)相變溫度應(yīng)控制在30-90攝氏度的可操作范圍內(nèi)，偏振顯微鏡要在正交偏振光下使用，這樣可以提高液晶相變反應(yīng)的靈敏度。[3]
3.2.2 電路分析
電路分析就是根據(jù)芯片電路的版圖和原理圖，結(jié)合芯片失效現(xiàn)象，逐步縮小缺陷部位的電路范圍，最后是利用微探針檢測(cè)技術(shù)來(lái)定位缺陷器件，從而達(dá)到對(duì)于缺陷器件定位的要求。
3.2.3 微探針檢測(cè)技術(shù)
微探針的作用是測(cè)量?jī)?nèi)部器件上的電參數(shù)值，如工作點(diǎn)電壓、電流、伏安特性曲線(xiàn)等。微探針檢測(cè)技術(shù)一般是伴隨電路分析配合使用的，兩者的結(jié)合可以較快的搜尋失效器件。
3.3 物理分析
物理分析技術(shù)包括聚焦離子束、掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡以及VC定位技術(shù)。
3.3.1 聚焦離子束（FIB）
聚焦離子束就是利用電透鏡將離子束聚焦成為微小尺寸的顯微切割器，聚焦離子束系統(tǒng)由離子源、離子束聚焦和樣品臺(tái)組成。聚焦離子束的主要應(yīng)用是對(duì)集成電路進(jìn)行剖面，傳統(tǒng)的方法是手工研磨或者是采用硫酸噴劑，這兩種方法雖然可以得到剖面，但是在日益精細(xì)的集成電路中，手工操作速度慢而且失誤率高，所以這兩種方法顯然不適用。聚焦離子束的微細(xì)精準(zhǔn)切割結(jié)合掃描電子顯微鏡高分辨率成像就可以很好的解決剖面問(wèn)題。聚焦離子束對(duì)被剖面的集成電路沒(méi)有限制，定位精度可以達(dá)到0.1um以下，同時(shí)剖面過(guò)程中集成電路受到的應(yīng)力很小，完整地保存了集成電路，使得檢測(cè)結(jié)果更加準(zhǔn)確。
3.3.2 掃描電子顯微鏡（SEM）
掃描電子顯微鏡作為一種高分辨率的微觀儀器，在集成電路的失效分析中有著很好的運(yùn)用。掃描電子顯微鏡是由掃描系統(tǒng)和信號(hào)檢測(cè)放大系統(tǒng)組成，原理是利用聚焦的電子束轟擊器件表面從而產(chǎn)生許多電子信號(hào)，將這些電子信號(hào)放大作為調(diào)制信號(hào)，連接熒光屏便可得到器件表面的圖像。對(duì)于不同層次的信號(hào)采集可以選用不同的電子信號(hào)，那樣所得到的圖像也將不同。
3.3.3 透射電子顯微鏡（TEM）
透射電子顯微鏡的分辨率可以達(dá)到0.1nm，其大大優(yōu)于掃描電子顯微鏡。集成電路的器件尺寸在時(shí)代的發(fā)展中變得越來(lái)越小，運(yùn)用透射電子顯微鏡可以更好的研究產(chǎn)品性能，在集成電路失效分析中，透射電子顯微鏡可以清晰地分析器件缺陷。透射電子顯微鏡將更好地滿(mǎn)足集成電路失效分析對(duì)檢測(cè)工具的解析度要求。
3.3.4 VC定位技術(shù)
前文講述的利用Emission/OBIRCH/液晶技術(shù)來(lái)定位集成電路中的失效器件，在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中熱點(diǎn)的位置往往面積偏大，甚至?xí)x失效點(diǎn)幾十個(gè)微米，這就需要一種更精確的定位技術(shù)，可以把失效范圍進(jìn)一步縮小。VC（Voltage Contrast）定位技術(shù)基于SEM或FIB，可以把失效范圍進(jìn)一步縮小，很好地解決了這一難題。VC定位技術(shù)是利用SEM或者FIB的一次電子束或離子束在樣品表面進(jìn)行掃描。硅片表面不同部位具有不同電勢(shì)，表現(xiàn)出來(lái)不同的明亮對(duì)比度。VC定位技術(shù)可以通過(guò)檢測(cè)不同的明亮對(duì)比度，找出異常亮度的點(diǎn)，從而定位失效點(diǎn)的位置。
4.總結(jié)
我們認(rèn)識(shí)了常用的集成電路失效分析技術(shù)和方法，而更深刻地了解各種技術(shù)的應(yīng)用還需要在實(shí)際的分析工作當(dāng)中積累經(jīng)驗(yàn)，再認(rèn)識(shí)再提高。
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第二條為使企業(yè)享受?chē)?guó)務(wù)院《鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》(國(guó)發(fā)[*]18號(hào)，簡(jiǎn)稱(chēng)《若干政策》)及其配套的優(yōu)惠政策，加速我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)《若干政策》第四十九條和有關(guān)規(guī)定，制定本辦法。
第三條國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)、信息產(chǎn)業(yè)部、國(guó)家稅務(wù)總局和海關(guān)總署為集成電路企業(yè)認(rèn)定主管部門(mén)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)主管部門(mén))，負(fù)責(zé)全國(guó)集成電路企業(yè)的認(rèn)定管理工作，其職責(zé)是：
(一)組織集成電路企業(yè)認(rèn)定機(jī)構(gòu)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)認(rèn)定機(jī)構(gòu))開(kāi)展認(rèn)定工作；
(二)監(jiān)督檢查全國(guó)集成電路企業(yè)的認(rèn)定工作，審核批準(zhǔn)認(rèn)定結(jié)果；
(三)受理對(duì)認(rèn)定結(jié)果、年審結(jié)果以及有關(guān)認(rèn)定決定的異議申訴。
第四條主管部門(mén)共同委托中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)為集成電路企業(yè)認(rèn)定機(jī)構(gòu)，負(fù)責(zé)集成電路企業(yè)認(rèn)定和年審工作。其職責(zé)是：
(一)受理集成電路企業(yè)認(rèn)定申請(qǐng)；
(二)具體組織集成電路企業(yè)認(rèn)定工作，提出認(rèn)定意見(jiàn)；
(三)負(fù)責(zé)集成電路企業(yè)年度審查，并將結(jié)果報(bào)主管部門(mén)備案。
第五條申請(qǐng)認(rèn)定的集成電路企業(yè)須滿(mǎn)足下列條件：
(一)是依法成立的從事集成電路芯片制造、封裝、測(cè)試以及6英寸(含)以上硅單晶材料生產(chǎn)的法人單位；
(二)具有與集成電路產(chǎn)品生產(chǎn)相適應(yīng)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)場(chǎng)所、軟硬件設(shè)施和人員等基本條件，其生產(chǎn)過(guò)程符合集成電路產(chǎn)品生產(chǎn)的基本流程、管理規(guī)范，具有保證產(chǎn)品生產(chǎn)的手段與能力；
(三)自產(chǎn)(含代工)集成電路產(chǎn)品銷(xiāo)售收入占企業(yè)當(dāng)年總收入的60％以上(新建企業(yè)除外)；
(四)企業(yè)主管稅務(wù)機(jī)關(guān)認(rèn)定企業(yè)無(wú)惡意欠稅或偷稅騙稅等違法行為。
第六條企業(yè)在申請(qǐng)集成電路企業(yè)認(rèn)定時(shí)，須按認(rèn)定實(shí)施細(xì)則要求提供相關(guān)資料，提交的資料及其內(nèi)容必須真實(shí)有效。
第七條集成電路企業(yè)的認(rèn)定，由企業(yè)向認(rèn)定機(jī)構(gòu)提出申請(qǐng)。認(rèn)定機(jī)構(gòu)應(yīng)依照相關(guān)實(shí)施細(xì)則進(jìn)行審理，并于15個(gè)工作日內(nèi)向主管部門(mén)提出認(rèn)定意見(jiàn)及相關(guān)資料。國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)會(huì)同信息產(chǎn)業(yè)部、國(guó)家稅務(wù)總局、海關(guān)總署，于45個(gè)工作日內(nèi)聯(lián)合發(fā)文確定或?qū)⒎穸ㄒ庖?jiàn)告認(rèn)定機(jī)構(gòu)。
第八條認(rèn)定結(jié)果在認(rèn)定機(jī)構(gòu)的網(wǎng)站及有關(guān)媒體上，接受社會(huì)監(jiān)督。
第九條國(guó)家對(duì)認(rèn)定的集成電路企業(yè)實(shí)行年度審查制度。企業(yè)向認(rèn)定機(jī)構(gòu)提交年度審查報(bào)告，認(rèn)定機(jī)構(gòu)出具年審意見(jiàn)報(bào)主管部門(mén)備案。
第十條企業(yè)應(yīng)按規(guī)定的時(shí)限向認(rèn)定機(jī)構(gòu)提交年度審查報(bào)告，逾期未報(bào)的企業(yè)視為自動(dòng)放棄認(rèn)定資格；年審不合格的集成電路企業(yè)，其認(rèn)定資格自下一年度起取消。
第十一條經(jīng)認(rèn)定的集成電路企業(yè)發(fā)生調(diào)整、分立、合并、重組等變更情況時(shí)，須在作出變更決定之日起30日內(nèi)，向原認(rèn)定機(jī)構(gòu)辦理變更認(rèn)定或重新申報(bào)手續(xù)。未經(jīng)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)與有關(guān)部門(mén)批準(zhǔn)同意變更認(rèn)定的，取消企業(yè)的認(rèn)定資格，停止享受有關(guān)優(yōu)惠政策。
第十二條集成電路企業(yè)一經(jīng)發(fā)現(xiàn)有偷稅等違法行為的，經(jīng)核實(shí)后取消該企業(yè)認(rèn)定資格，停止享受有關(guān)優(yōu)惠政策。
第十三條經(jīng)查明企業(yè)在申請(qǐng)集成電路企業(yè)認(rèn)定時(shí)提供虛假材料及內(nèi)容的，中止其認(rèn)定申請(qǐng)；已認(rèn)定的，撤銷(xiāo)其集成電路企業(yè)的認(rèn)定資格，并予以通報(bào)，同時(shí)追回已減免稅收款項(xiàng)；認(rèn)定機(jī)構(gòu)3年內(nèi)不再受理其認(rèn)定申請(qǐng)。
第十四條經(jīng)認(rèn)定的集成電路企業(yè)，憑主管部門(mén)共同簽發(fā)的認(rèn)定文件，到有關(guān)部門(mén)辦理享受有關(guān)優(yōu)惠政策的手續(xù)。
為幫助開(kāi)發(fā)人員降低系統(tǒng)成本、設(shè)計(jì)復(fù)雜度和減少元器件數(shù)量，Precision32系列產(chǎn)品提供極高的外設(shè)集成度，節(jié)省物料（BOM）成本高達(dá)1.34美元。Precision32系列產(chǎn)品可完全自定義I/O系統(tǒng)和引腳位置分配，為開(kāi)發(fā)人員提供更靈活的替代方案。
利用SiliconLabs專(zhuān)有的雙crossbar技術(shù)和拖拽式GUI，開(kāi)發(fā)人員能夠容易的選擇所需模擬和數(shù)字外設(shè)，并為外設(shè)分配引腳。而其他MCU通常預(yù)定義外設(shè)位置和引腳，導(dǎo)致潛在引腳沖突，迫使開(kāi)發(fā)人員改變?cè)O(shè)計(jì)或使用更大、更昂貴的封裝。Precision32系列產(chǎn)品的模擬外設(shè)具有全溫度和電壓（低至1.8V）范圍內(nèi)的額定特性，并通過(guò)嚴(yán)格測(cè)試。
SiliconLaboratories
省略
面向汽車(chē)電子應(yīng)用的微控制器
RH850系列32位微控制器采用40nmMONOS（金屬氧化氮氧化硅）嵌入式閃存技術(shù)，是面向汽車(chē)電子應(yīng)用的首款此類(lèi)產(chǎn)品。RH850系列MCU采用全新的RH85032位內(nèi)核，具有卓越的運(yùn)算能力和超低功耗性能。
RH850可以滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)中各個(gè)部分不斷變化的主要市場(chǎng)趨勢(shì)，其中包括從ASILA到ASILD等級(jí)的功能性安全要求、集成了信息安全功能以及為實(shí)現(xiàn)綠色環(huán)保（如減少二氧化碳排放量）而設(shè)計(jì)的超低功耗。RH850系列能夠以單核提供64MHz到320MHz的性能等級(jí)，并且多核系統(tǒng)將取得更高的整體性能。其嵌入式閃存的存儲(chǔ)范圍從256KB到8MB，更包含了模擬EEPROM功能的附加模塊，并可提供12.5萬(wàn)次的擦寫(xiě)操作，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)至少達(dá)到20年。新產(chǎn)品系列將包含面向多種用途量身設(shè)計(jì)的產(chǎn)品陣容，并全面配備了RH850的32位內(nèi)核架構(gòu)。為了保證客戶(hù)軟件的兼容性，所有的產(chǎn)品系列都采用相同的平臺(tái)開(kāi)發(fā)理念，在整個(gè)RH850一代產(chǎn)品中重復(fù)應(yīng)用相同的IP。集成型開(kāi)發(fā)環(huán)境（IDE）將能夠支持RH850全系列產(chǎn)品，使客戶(hù)能從目前使用的產(chǎn)品更順利移植到新平臺(tái)，并進(jìn)一步降低了整體的開(kāi)發(fā)成本。
RenesasTechnology
電話(huà)：021-6472-1001
省略
多模式多頻段功率放大器
ALT6181多模式、多頻段功率放大器經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，可以在LTE、WCDMA和CDMA信號(hào)調(diào)制模式下實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的性能，支持1、5、6、18、19和26頻段。該功率放大器針對(duì)所有調(diào)制模式，增強(qiáng)了效率、電流消耗和線(xiàn)性度三大指標(biāo)，同時(shí)確保關(guān)鍵的諧波、噪聲和交調(diào)性能等指標(biāo)能帶來(lái)優(yōu)異的電話(huà)級(jí)性能。該MMPA解決方案采用了公司專(zhuān)有的InGaP-Plus技術(shù)和HELP架構(gòu)，可在中低輸出功率水平實(shí)現(xiàn)最優(yōu)效率，且無(wú)須使用DC/DC轉(zhuǎn)換器。如與DC/DC轉(zhuǎn)換器配合使用，MMPA則可提供更強(qiáng)的性能。
MMPA外形緊湊，面積僅為5mm×7.5mm，內(nèi)置一個(gè)穩(wěn)壓器和獨(dú)立的單端射頻鏈。同時(shí)內(nèi)置高定向性耦合器，為獲得最優(yōu)系統(tǒng)性能提供了保障。在GSM模式下，MMPA可以在所有功率水平下實(shí)現(xiàn)高效率，而在EDGE模式 下，則能在所有條件下達(dá)到各種苛刻的調(diào)制譜模板要求。
ANADIGICS
省略
移動(dòng)用高清晰度音頻編解碼器
CX20752和CX20754遵從英特爾高清音頻規(guī)范1.1，其音頻保真性能超出了MicrosoftWLP4.0臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的premiumlogo要求。兩款編解碼器內(nèi)置2個(gè)取樣頻率高達(dá)192kHz的24位立體聲數(shù)模轉(zhuǎn)換器和2個(gè)取樣頻率高達(dá)96kHz的24位立體聲模數(shù)轉(zhuǎn)換器，兩者均支持多數(shù)據(jù)流和實(shí)時(shí)通信應(yīng)用。
CX20752和CX20754集成了立體聲無(wú)濾波器D類(lèi)擴(kuò)音器和專(zhuān)有的共模擾碼技術(shù)，可驅(qū)動(dòng)每通道功效2W-rms、1%THD+N達(dá)到4Ω負(fù)荷。器件和揚(yáng)聲器可受到直流電檢測(cè)負(fù)荷、高通濾波器、短路、限電流、溫度和其他更多保護(hù)。
內(nèi)置的5帶寬硬件均衡器（EQ）和動(dòng)態(tài)范圍控制（DRC）使揚(yáng)聲器音效最佳而不失真，可從移動(dòng)PC內(nèi)部獨(dú)立于驅(qū)動(dòng)和操作系統(tǒng)的揚(yáng)聲器實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)音頻體驗(yàn)。鎖定保護(hù)可使揚(yáng)聲器和麥克風(fēng)免受黑客干擾。
Conexant
電話(huà)：0755-2583-6380
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高性能P溝道MOSFET器件
FDMA905P和FDME905PT是具有低導(dǎo)通阻抗的MOSFET，這些器件具有優(yōu)異的散熱性能和小占位尺寸，也非常適合線(xiàn)性模式應(yīng)用。FDMA905P采用
多模多頻單芯片收發(fā)IC
MB86L11A2G/3G/4G多模多頻收發(fā)器具有支持電流損耗和RF參數(shù)的基準(zhǔn)性能。采用小封裝的新品具有許多創(chuàng)新特性，包括強(qiáng)化功率控制、包絡(luò)跟蹤（ET）和天線(xiàn)諧調(diào)（AT）功能。包絡(luò)跟蹤技術(shù)極大地降低了無(wú)線(xiàn)電系統(tǒng)的功耗，同時(shí)還能改善發(fā)射機(jī)效率。天線(xiàn)諧調(diào)則優(yōu)化了天線(xiàn)的整體輻射功率輸出。這兩個(gè)特性將優(yōu)化移動(dòng)設(shè)備的電池壽命。
高級(jí)編程接口（API）不僅縮短了工廠(chǎng)量產(chǎn)校準(zhǔn)時(shí)間，還提供靈活變通的端口映射并增加了定制關(guān)鍵績(jī)效指標(biāo)（KPI）。除此以外，MB86L11A還采用了富士通首創(chuàng)的SAW-less體系結(jié)構(gòu)，可節(jié)省外部低噪聲放大器（LNAs）。
MB86L11A還具有其他特性，包括發(fā)射器上的8個(gè)RF輸出、IC上的9個(gè)直接RF輸入和6個(gè)分級(jí)RF輸入，可更為靈活地為不同市場(chǎng)提供所需要的映射端口和頻段。該收發(fā)器使用公開(kāi)標(biāo)準(zhǔn)MIPIDigRFSM基帶接口，具有DigRF4G和DigRF3G接口，可連接既存的2G/3G基帶平臺(tái)和最新的多模式4G基帶。
富士通微電子(上海)有限公司
電話(huà)：021-6335-1560省略
用于汽車(chē)的全新可調(diào)輸出低壓降穩(wěn)壓器
NCV47700和NCV47701LDO穩(wěn)壓器產(chǎn)品具有一個(gè)CSO輸出診斷引腳，可用于檢測(cè)空載和短時(shí)負(fù)荷。將電阻器與CSO相連提供了介于10mA和350mA之間的可調(diào)輸出電流等級(jí)，精度為±10%。ADJ接地引腳將NCV47700和 NCV47701配置為限流高端開(kāi)關(guān)。器件集成高峰值輸入電壓容差、反向輸入電流保護(hù)以及過(guò)流和過(guò)溫保護(hù)功能，可以保護(hù)汽車(chē)應(yīng)用免遭常見(jiàn)的惡劣操作環(huán)境之影響。此外，集成電流感應(yīng)功能無(wú)須應(yīng)用分立方案，而分立方案往往需要更多板空間和增加元件總數(shù)。
此兩器件還提供可調(diào)輸出電壓版本，包括電壓范圍為5～20V，精度為±6%的NCV47700以及精度為±3%的NCV47701。這兩款全新的LDO穩(wěn)壓器IC的工作結(jié)溫都在-40～+150℃的范圍，符合甚或超越汽車(chē)行業(yè)的規(guī)范要求。
ONSemiconductor
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低抖動(dòng)SiGeVCSO產(chǎn)品
M675S02系列是針對(duì)低抖動(dòng)和低相位噪聲時(shí)鐘生成的單頻、單輸出VCSO，可支持從500MHz～1GHz的基頻。與前幾代產(chǎn)品相比，新器件可提供更高的頻率。低抖動(dòng)和相位噪聲可幫助減少整體誤碼率（BER），使器件十分適用于鎖相環(huán)應(yīng)用、時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)電路，以及其他電信和光纖網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中的計(jì)時(shí)應(yīng)用。
新型超低功耗MSP430微控制器平臺(tái)
與業(yè)界任何微控制器相比，“金剛狼”平臺(tái)在任意場(chǎng)合中均可提供最低的功耗-最低的運(yùn)行功耗、待機(jī)功耗、存儲(chǔ)器功耗和外設(shè)功耗。例如：典型的電池供電型應(yīng)用其99.9%的時(shí)間都處于待機(jī)模式，而基于“金剛狼”的微控制器在待機(jī)模式中的流耗僅為360nA，可使電池壽命延長(zhǎng)一倍以上。
TI開(kāi)發(fā)的ULL技術(shù)可提供10倍以上的漏電指標(biāo)改善幅度及優(yōu)化的混合信號(hào)性能。基于“金剛狼”的微控制器充分利用了世界上功耗最低的存儲(chǔ)器FRAM，運(yùn)行模式中的工作電流可低于100μA/MHz，而且與基于閃存和EEPROM的微控制器相比，其每位能耗下降了250倍。除了這些功耗方面的優(yōu)勢(shì)之外，F(xiàn)RAM還是100%非易失性的，這就使開(kāi)發(fā)人員既能獲得SRAM的低功耗、高速度和靈活性，同時(shí)又可以享受到Flash重要的無(wú)供電存儲(chǔ)能力。此外，新型超低功耗架構(gòu)大幅降低了電源消耗，具有6.5μs的快速喚醒時(shí)間和高精度外設(shè)。
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面向小型蜂窩基站及宏基站的多標(biāo)準(zhǔn)SoC
TCI6636是業(yè)界首款采用LTEAdvanced(LTE-A)技術(shù)的SoC，支持40MHz的LTE信號(hào)帶寬。同時(shí)，其獨(dú)特之處在于它還可作為WCDMA/LTE宏基站控制器器件，能支持多領(lǐng)域宏基站。它可優(yōu)化容量增強(qiáng)特性的實(shí)現(xiàn)，如更高的帶寬、MIMO天線(xiàn)配置和高級(jí)接收器以及LTE用戶(hù)調(diào)度算法。TCI6636還支持同步雙模式，不僅可幫助運(yùn)營(yíng)商簡(jiǎn)化從2G到3G甚至4G的升級(jí)工作，而且無(wú)須對(duì)每種標(biāo)準(zhǔn)采用專(zhuān)用設(shè)備，也無(wú)須進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)物理升級(jí)，從而可降低資本支出與運(yùn)營(yíng)成本。
TCI6636基于TI最新可擴(kuò)展型KeyStoneII多內(nèi)核架構(gòu)，并采用四核ARMCortex-A15RISC處理器，為開(kāi)發(fā)人員帶來(lái)超過(guò)兩倍的容量及超高性能的同時(shí)，功耗僅為傳統(tǒng)RISC內(nèi)核的一半。此外，該產(chǎn)品還采用28nm芯片工藝技術(shù)，集成8個(gè)TMS320C66x定點(diǎn)及浮點(diǎn)DSP內(nèi)核，以及增強(qiáng)型數(shù)據(jù)包、安全與無(wú)線(xiàn)AccelerationPacs等一系列處理元件。上述這些處理組件與現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證的層一、層二、層三和傳輸處理功能以及運(yùn)維與控制處理功能完美結(jié)合在一起，可顯著降低系統(tǒng)成本與功耗。
TexasInstruments
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電源PowerSources
全橋式PWM電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器
該IC專(zhuān)為電感負(fù)載的雙向脈寬調(diào)制(PWM)電流控制設(shè)計(jì)，能夠連續(xù)輸出高達(dá)±1.5A的電流，操作電壓達(dá)到50V。A4973內(nèi)部固定停機(jī)時(shí)間PWM電流控制電路可用于將最大載荷電流調(diào)節(jié)為需要的數(shù)值。用戶(hù)可通過(guò)選擇輸入?yún)⒖茧妷汉屯獠扛袘?yīng)電阻設(shè)置峰值載荷電流限制。用戶(hù)可通過(guò)選擇外部RC計(jì)時(shí)網(wǎng)絡(luò)設(shè)置固定停機(jī)時(shí)間脈沖持續(xù)時(shí)間。內(nèi)部電路保護(hù)包括因滯后引起的過(guò)熱關(guān)機(jī)、瞬態(tài)抑制二極管及交叉電流保護(hù)。
在“啟用”輸入持低的情況下，“相位”輸入通過(guò)選擇適當(dāng)?shù)脑礃O與灌電流驅(qū)動(dòng)器配對(duì)來(lái)控制負(fù)載電流的極性。“模式”輸入決定PWM電流控制電路是在慢電流衰減模式下（僅指選定的源極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)）還是在較快的電流衰減模式下（選定的源極與灌電流開(kāi)關(guān)）操作。用戶(hù)可選擇空白窗口防止對(duì)PWM電流控制電路的錯(cuò)誤觸發(fā)。在“啟用”輸入保持在高位時(shí)，所有的輸出驅(qū)動(dòng)器禁用。睡眠模式可降低功率消耗。當(dāng)在“制動(dòng)”輸入中應(yīng)用邏輯低時(shí)，制動(dòng)功能啟用。這樣，兩個(gè)源極驅(qū)動(dòng)器的“啟用”與“相位”變成“關(guān)”，且兩個(gè)灌電流驅(qū)動(dòng)器變成“開(kāi)”。該制動(dòng)功能可用于動(dòng)態(tài)制動(dòng)電刷直流電動(dòng)機(jī)。
Allegro
http:省略
智能手機(jī)LCD背光燈LED驅(qū)動(dòng)器
AS3674背光燈驅(qū)動(dòng)芯片家族補(bǔ)充了奧地利微電子照明管理單元的產(chǎn)品組合，單個(gè)的芯片就綜合了背光燈、智能燈光、環(huán)境光傳感器（ALS）等應(yīng)用處理性能。AS3674是一款高效的2MHzDC/DC開(kāi)關(guān)式升壓轉(zhuǎn)換器，可控制5組電流源，每組各驅(qū)動(dòng)2個(gè)串聯(lián)的LED。其新增的靈活性體現(xiàn)在控制LED的電流時(shí)可由外部電阻器設(shè)定，單通道最高可達(dá)25mA。AS3490與AS3674具有同樣功能，但僅包含三組LED通道。
軟啟動(dòng)的特點(diǎn)使AS3674更容易集成到對(duì)噪聲敏感的無(wú)線(xiàn)射頻系統(tǒng)中。AS3674由兩組輸入電路控制，也可用介于100～800Hz的PWM電路控制，實(shí)現(xiàn)1:2000的調(diào)光比。單通道兩個(gè)LED的配置結(jié)合2MHz的轉(zhuǎn)換器操作頻率，實(shí)現(xiàn)使用諸如4.7μH電感的微小外部組件。
AS3674工作電壓為2.5～5.5V，并且包括諸如低電壓封鎖、過(guò)流和過(guò)熱保護(hù)以及LED測(cè)試等一系列安全特性。AS3674和AS3490均采用節(jié)省空間的12-ballWL-CSP封裝（1.7mm×1.4mm×0.5mm，高0.4mm）
austriamicrosystems
電話(huà)：0512-6762-2590
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集成了ATCA電源輸入模塊的最新版DC/DC總線(xiàn)轉(zhuǎn)換器
ATCR250-48D12-03J轉(zhuǎn)換器是極少數(shù)集成了12V中間總線(xiàn)主通道輸出與3.3V管理總線(xiàn)次通道輸出的電源產(chǎn)品，其特點(diǎn)是可以執(zhí)行ATCA控制和相關(guān)的監(jiān)控功能。只要采用這款轉(zhuǎn)換器，便可大幅簡(jiǎn)化-48V直流雙通道熱插拔冗余電源分配系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，讓ATCA或其他電信系統(tǒng)的電路板兼具抗電磁干擾的濾波功能。
這款電源模塊不但性能穩(wěn)定可靠，而且采用的小巧封裝及集成了許多創(chuàng)新功能，讓電信系統(tǒng)可以充分利用其電路板的空間，因此比其他傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)更具成本效益。此外，這款電源模塊還可支持許多電源接口功能，其中包括OR-ing控制、濾波和浪涌電流控制，而電源管理功能還配備了I2C串行總線(xiàn)通信接口。
艾默生網(wǎng)絡(luò)能源
電話(huà)：0755-8601-0808
省略
4通道數(shù)字電源管理器
LTC2974以4個(gè)或更多電源軌實(shí)現(xiàn)完整的數(shù)字電源系統(tǒng)管理。其運(yùn)用一個(gè)I2C接口和PMBus命令集來(lái)監(jiān)視并控制正或負(fù)電源，可在電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和故障分析時(shí)，提供快速故障查找和調(diào)試功能。任何具“運(yùn)行”引腳的電源都可利用跟蹤或基于時(shí)間的事件進(jìn)行排序和控制。LTC2974的4個(gè)通道同時(shí)地監(jiān)視電壓和電流以及外部溫度，因此用戶(hù)可以補(bǔ)償移位MOSFET的RDS(ON)或電感器DCR。每個(gè)電源都可以隨溫度變化進(jìn)行裕度調(diào)節(jié)和微調(diào)， 利用一個(gè)數(shù)字伺服環(huán)路測(cè)量軌電壓并連續(xù)地調(diào)節(jié)，以保持準(zhǔn)確度不變。LTC2974的所有電源功能都以不打任何折扣的準(zhǔn)確度執(zhí)行，總體未調(diào)節(jié)誤差好于±0.省略
省略
高速4A與5A雙通道輸出MOSFET驅(qū)動(dòng)器
UCC27210與UCC27211是業(yè)界首批120V啟動(dòng)高低側(cè)雙通道輸出 MOSFET驅(qū)動(dòng)器，可在解決驅(qū)動(dòng)器輸入-10V直流電(VDC)抗擾度問(wèn)題的同時(shí)，提供高達(dá)4A的輸出電流。這兩款驅(qū)動(dòng)器提供18ns傳播延遲，支持多種高頻率半橋及全橋電源拓?fù)洹?/p>
主要技術(shù)特性：0.9Ω上拉及下拉電阻可最大限度降低MOSFET轉(zhuǎn)換通過(guò)米勒效應(yīng)平臺(tái)時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗；增強(qiáng)的系統(tǒng)可靠性：輸入支持～10V直流，無(wú)須整流二極管便可實(shí)現(xiàn)到柵極驅(qū)動(dòng)變壓器的直接接口連接。
TexasInstruments
電話(huà)：800-820-8682
省略
完全可編程的集成型數(shù)字控制
數(shù)字控制功能可幫助設(shè)計(jì)人員進(jìn)一步發(fā)揮電源系統(tǒng)作用，包括在多個(gè)平臺(tái)上重復(fù)使用硬件設(shè)計(jì)，針對(duì)每項(xiàng)應(yīng)用調(diào)整性能并控制參數(shù)以實(shí)現(xiàn)多功能等，進(jìn)而加速產(chǎn)品上市進(jìn)程。為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，UCD3138在小型6mm×6mm封裝中整合了強(qiáng)大的32位微處理器、高速高精度數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、多個(gè)可編程硬件控制環(huán)路以及不同的通信引擎。
UCD3138的主要特性與優(yōu)勢(shì)：具有數(shù)項(xiàng)可提高效率的控制功能，包括同步FET軟開(kāi)關(guān)控制、動(dòng)態(tài)相位切換、動(dòng)態(tài)頻率調(diào)整以及動(dòng)態(tài)模式開(kāi)關(guān)等；支持單相位、雙相位交錯(cuò)式或無(wú)橋功率因數(shù)校正、硬開(kāi)關(guān)全橋、相移全橋、共振LLC以及其他拓?fù)?；可?shí)施峰值電流模式控制、逐周期峰值電流限制、高速輸入電壓前反饋以及過(guò)壓、過(guò)流及過(guò)溫保護(hù)等。
測(cè)試和測(cè)量
支持10Gb/s和40Gb/s以太網(wǎng)協(xié)議分析的測(cè)試驗(yàn)證平臺(tái)
SierraNetM408協(xié)議測(cè)試系統(tǒng)是一套先進(jìn)、高性?xún)r(jià)比的10Gb/s和40Gb/s以太網(wǎng)協(xié)議分析平臺(tái)。它包括FibreChanneloverEthernet(FCoE)和iSCSI等應(yīng)用?；诹迫碌母呒?jí)分析平臺(tái)，SierraNet能夠分析以太網(wǎng)總線(xiàn)活動(dòng)，為用戶(hù)識(shí)別協(xié)議沖突、錯(cuò)誤恢復(fù)、性能和其他鏈接條件。SierraNet是一個(gè)基于硬件的10Gb/s和40Gb/s以太網(wǎng)協(xié)議分析儀，可以幫助設(shè)計(jì)者加快以太網(wǎng)技術(shù)的開(kāi)發(fā)和測(cè)試，以確保正確的功能、性能和互操作性。SierraNet也是一個(gè)面向未來(lái)的測(cè)試工具，能夠支持當(dāng)前正在開(kāi)發(fā)10GE，并計(jì)劃未來(lái)開(kāi)發(fā)40GE產(chǎn)品的用戶(hù)。
SierraNet提供了一些創(chuàng)新性的功能，為用戶(hù)提供極佳體驗(yàn)。它硬件上配備了SFP+和QSFP端口用以支持10GE和40GE。這套系統(tǒng)支持網(wǎng)速測(cè)量，并提供比其他分析儀多兩倍的捕獲緩存。每一個(gè)端口提供非重定時(shí)、全雙工直通通道，確保測(cè)試平臺(tái)對(duì)被測(cè)系統(tǒng)盡量是透明的。SierraNet也包含一個(gè)1GE接口可以用于控制分析儀，也包含一個(gè)5Gb/s的USB3.0接口用于即插即用的控制。SierraNet有易于理解的控制面板，以及指示各端口連接情況的LED燈。另外，SierraNet能夠?qū)ack-toback事件、使用計(jì)數(shù)等進(jìn)行多級(jí)觸發(fā)和過(guò)濾，幫助以太網(wǎng)協(xié)議測(cè)試工程師快速捕獲、查找和分析問(wèn)題。
LeCroy
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帶數(shù)字電壓表(DVM)功能的示波器
安捷倫為其InfiniiVision3000X系列示波器添加了1GHz帶寬的4款產(chǎn)品，該系列1GHz示波器的起步價(jià)和業(yè)內(nèi)其他制造商提供的500MHz帶寬示波器的價(jià)格相近。
增加4款1GHz帶寬3000X系列示波器，使得InfiniiVision2000X和3000X成員增加到30款，能夠滿(mǎn)足眾多客戶(hù)對(duì)該主流示波器的迫切需求。尤其是多合一的綜合性能、較低的價(jià)位和創(chuàng)新特性（例如內(nèi)置信號(hào)源）不斷贏得工程師的贊譽(yù)，其中，3000X系列示波器的內(nèi)置任意波形發(fā)生器和示波器構(gòu)成激勵(lì)響應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)，簡(jiǎn)單易用的同時(shí)也拓展了一些新的應(yīng)用和測(cè)量領(lǐng)域。
隨同這4款1GHz帶寬示波器的，同時(shí)推出1GHz有源探頭N2795A，專(zhuān)為匹配3000X系列示波器的性能需求而設(shè)計(jì)，因設(shè)計(jì)指標(biāo)留有裕量，再加上3000X系列1GHz帶寬示波器的頻響是最大平坦度頻響，可保證3000X1GHz示波器配上N2795A后的系統(tǒng)帶寬是1GHz，而且N2795A作為有源探頭，其負(fù)載效應(yīng)小，性能遠(yuǎn)優(yōu)于無(wú)源探頭，同 時(shí)其價(jià)位與同等無(wú)源探頭相當(dāng)。
此外，2000X和3000X系列現(xiàn)在都提供電壓表和計(jì)數(shù)器選件，其中電壓表（DVM）是3位的，計(jì)數(shù)器是5位的，工作時(shí)可與示波器共享探頭。電壓表和計(jì)數(shù)器的測(cè)量與示波器的觸發(fā)系統(tǒng)無(wú)關(guān)，他們是獨(dú)立的硬件，允許工程師通過(guò)相同的連接執(zhí)行DVM和觸發(fā)示波器測(cè)量。
AgilentTechnologies
電話(huà)：800-810-0189
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用于測(cè)試40/100Gb/s技術(shù)的完全集成的光調(diào)制分析儀
AgilentN4392A是一款便攜式、完全集成的光調(diào)制分析儀配有大尺寸顯示屏，可加快深入分析復(fù)雜調(diào)制光信號(hào)的速度。緊湊的設(shè)計(jì)和適中的價(jià)格使該光調(diào)制分析儀更適合所有工程師使用，以便在40/100Gb/s相干發(fā)射機(jī)和接收機(jī)開(kāi)發(fā)和制造過(guò)程中對(duì)復(fù)雜的調(diào)制光信號(hào)進(jìn)行分析。
N4392A使得工程師可以很輕松地根據(jù)業(yè)界100Gb/s相干傳輸標(biāo)準(zhǔn)表征元器件，例如同相正交調(diào)制器和集成的相干接收機(jī)。集成的設(shè)計(jì)顯著加快了設(shè)置速度，并且使用戶(hù)無(wú)須再為配置耗費(fèi)精力，可以集中應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。內(nèi)置性能驗(yàn)證和重校準(zhǔn)功能可使用戶(hù)對(duì)測(cè)試結(jié)果充滿(mǎn)信心，并延長(zhǎng)建議的重校準(zhǔn)周期，以提高運(yùn)行時(shí)間和降低擁有成本。
除了其他光調(diào)制分析儀當(dāng)前提供的特性，N4392A還可提供4個(gè)差分射頻輸入通道，幫助工程師表征集成的相干光 接收機(jī)。工程師能夠在需要時(shí)正確地分析信號(hào)，更深入地分析復(fù)雜調(diào)制光信號(hào)的特性，避免設(shè)計(jì)中可能出現(xiàn)的陷阱。
AgilentTechnologies
電話(huà)：800-810-0189
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超絕緣計(jì)SM8710
超絕緣計(jì)SM8710適用于測(cè)量手機(jī)等電子設(shè)備上裝配的多層陶瓷電容（MLCC）。SM7810針對(duì)MLCC的產(chǎn)線(xiàn)，檢查泄漏電流的時(shí)間比原先縮短了30%，達(dá)到6.8ms的超快速度，檢測(cè)速度提高的同時(shí)，大幅縮短了檢查時(shí)間，提高了工作效率。相比以往產(chǎn)品配備4個(gè)測(cè)量通道，SM7810配備了8個(gè)測(cè)量通道，因此，每次檢測(cè)的MLCC的數(shù)量都成倍增長(zhǎng)，提高了檢查效率。另外，SM7810使用1mA的大電流量程時(shí)，能夠迅速判斷大容量的MLCC是否良好。利用SM7810在進(jìn)行高速測(cè)量時(shí)，也能進(jìn)行接觸檢查，這能夠防止測(cè)量探頭接觸不良的誤判斷，因此，提高了檢查的可靠性。
HIOKI
電話(huà):021-6391-0096
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經(jīng)濟(jì)型數(shù)字示波器
DS2000系列經(jīng)濟(jì)型數(shù)字示波器立足于RIGOL研發(fā)的新一代設(shè)計(jì)平臺(tái)，繼承了RIGOLDS6000、DS4000主流示波器的眾多優(yōu)點(diǎn)，各項(xiàng)指標(biāo)在同類(lèi)產(chǎn)品中均力拔頭籌，在價(jià)格方面性?xún)r(jià)比也十分突出。
DS2000系列示波器采用了RIGOL獨(dú)創(chuàng)的UltraVision技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)深存儲(chǔ)，高波形捕獲率，實(shí)時(shí)波形錄制及回放，多級(jí)灰度顯示等功能。DS2000系列配置200MHz/100MHz/70MHz三個(gè)級(jí)別帶寬，實(shí)時(shí)采樣率高達(dá)2GSa/s，存儲(chǔ)深度最大可達(dá)56Mpts，波形捕獲率達(dá)50000個(gè)波形每秒，硬件實(shí)時(shí)波形不間斷錄制和波形分析功能支持錄制高達(dá)65000個(gè)波形，多達(dá)256級(jí)的灰度顯示等。DS2000系列示波器還擁有豐富的觸發(fā)功能，標(biāo)配10種觸發(fā)，除常見(jiàn)的脈寬觸發(fā)、視頻觸發(fā)、欠幅觸發(fā)等，還標(biāo)配三種總線(xiàn)觸發(fā)RS232/UART觸發(fā)、I2C觸發(fā)、SPI觸發(fā)，對(duì)于高級(jí)應(yīng)用客戶(hù)，可選配更多的觸發(fā)功能，如超幅觸發(fā)、第N邊沿觸發(fā)、USB觸發(fā)等。也可選配RS232、I2C、SPI常用總線(xiàn)解碼功能。在接口方面，DS2000系列示波器的接口也很豐富，有USBHost、USBDevice、LAN(LXI)、AUX接口等。
在產(chǎn)品外型上，DS2000采用不對(duì)稱(chēng)設(shè)計(jì)理念，造型新穎，外觀時(shí)尚，它還擁有8英寸高清的TFT（800×480顯示分辨率）顯示屏，顯示效果清晰明亮，觀察波形得心應(yīng)手。
RIGOL
電話(huà)：010-8070-6688省略
軟件/開(kāi)發(fā)工具
面向EZ-USBFX3USB3.0控制器的圖形化軟件設(shè)計(jì)工具
賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出面向EZUSBFX3控制器的GPIFIIDesigner軟件，用以支持SuperSpeedUSB3.0功能。GPIF（通用可編程接口）IIDesigner可為設(shè)計(jì)人員提供功能強(qiáng)大且易于使用的圖形界面，用于配置EZUSBFX3的可編程GPIFII接口，可以與任何需要USB連接功能的微控制器、ASIC、FPGA、圖像傳感器或類(lèi)似器件進(jìn)行通信。EZ-USBFX3是一款通過(guò)認(rèn)證的可編程USB3.0器件控制器，可向幾乎任何系統(tǒng)添加USBSuperSpeed連接功能。
該工具界面直觀，只包含三個(gè)簡(jiǎn)單易用的窗口。一是配置窗口（ConfigurationWindow），可定義I/O和控制線(xiàn)；二是狀態(tài)機(jī)窗口（StateMachineCanvas），可定義接口狀態(tài)機(jī)；三是時(shí)序仿真窗口（TimingSimulationWindow），可驗(yàn)證接口的時(shí)序。此外，該工具還可提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的項(xiàng)目管理功能，可幫助FX3客戶(hù)保存GPIFII接口設(shè)計(jì)并重復(fù)使用。該工具生成的C語(yǔ)言頭文件可與采用FX3API庫(kù)的FX3應(yīng)用進(jìn)行集成，并與標(biāo)準(zhǔn)ARM工具配合使用。
CypressSemiconductor
