來源：學(xué)術(shù)之家整理 2025-03-18 15:36:49
《Ieee Transactions On Electron Devices》中文名稱：《IEEE Transactions On Electron Devices》，創(chuàng)刊于1954年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，出版周期Monthly。
《IEEE 電子器件學(xué)報》發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)和重要貢獻(xiàn)，涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空器件和新興材料，應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計算、通信、顯示器、微機(jī)電、成像、微致動器、納米電子學(xué)、光電子學(xué)、光伏、電源 IC 和微傳感器。還發(fā)表了關(guān)于這些主題的教程和評論論文，偶爾還會出版專刊，介紹一系列更深入、更廣泛地討論特定領(lǐng)域的論文。
旨在及時、準(zhǔn)確、全面地報道國內(nèi)外PHYSICS, APPLIED工作者在該領(lǐng)域的科學(xué)研究等工作中取得的經(jīng)驗、科研成果、技術(shù)革新、學(xué)術(shù)動態(tài)等。
| 國家/地區(qū) | 發(fā)文量 |
| CHINA MAINLAND | 741 |
| USA | 455 |
| India | 399 |
| Taiwan | 232 |
| South Korea | 181 |
| GERMANY (FED REP GER) | 149 |
| Japan | 123 |
| Italy | 111 |
| France | 110 |
| England | 100 |
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| Fully Inkjet-Printed Photode... | 42 |
| Effects of Postannealing on ... | 37 |
| Critical Role of Interlayer ... | 28 |
| Demonstration of Constant 8 ... | 27 |
| Ferroelectric FETs With 20-n... | 22 |
| 2-D Layered Materials for Ne... | 20 |
| High Endurance Ferroelectric... | 20 |
| BTI Analysis Tool-Modeling o... | 20 |
| Improved Switching Stability... | 18 |
| Design and Investigation of ... | 17 |
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 865 |
| JPN J APPL PHYS | 565 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 499 |
| SOLID STATE ELECTRON | 431 |
| IEEE ACCESS | 422 |
| SEMICOND SCI TECH | 412 |
| J APPL PHYS | 400 |
| APPL PHYS LETT | 388 |
| J COMPUT ELECTRON | 284 |
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 3214 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1587 |
| APPL PHYS LETT | 1366 |
| J APPL PHYS | 866 |
| SOLID STATE ELECTRON | 384 |
| PHYS REV B | 305 |
| ADV MATER | 238 |
| MICROELECTRON RELIAB | 235 |
| NANO LETT | 209 |
| ACS APPL MATER INTER | 195 |
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