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Journal Of Vacuum Science & Technology B雜志

Gold OA文章占比:16.37%

OA被引用占比:0.1270...

開源占比:0.2239

研究類文章占比:96.45%

Journal Of Vacuum Science & Technology B

國際標準簡稱:J VAC SCI TECHNOL B

人氣 589

《Journal Of Vacuum Science & Technology B》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的English學術期刊,創(chuàng)刊于1991年,由A V S AMER INST PHYSICS出版商出版,出版周期Bimonthly。該刊發(fā)文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領域,旨在及時、準確、全面地報道國內(nèi)外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領域的科學研究等工作中取得的經(jīng)驗、科研成果、技術革新、學術動態(tài)等。該刊已被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄,在中科院最新升級版分區(qū)表中,該刊分區(qū)信息為大類學科工程技術4區(qū),2023年影響因子為1.5。

  • 4區(qū)

    中科院分區(qū)
  • Q3

    JCR分區(qū)
  • SCIE

    期刊收錄
  • 是否預警
ISSN:1071-1023
出版地區(qū):UNITED STATES
出版周期:Bimonthly
E-ISSN:2166-2754
創(chuàng)刊時間:1991
出版語言:English
是否OA開放訪問:未開放
研究方向:工程技術-工程:電子與電氣
影響因子:1.5
年發(fā)文量:197
出版商:A V S AMER INST PHYSICS
平均審稿速度: 約3.0個月

Journal Of Vacuum Science & Technology B期刊簡介

Journal of Vacuum Science & Technology B emphasizes processing, measurement and phenomena associated with micrometer and nanometer structures and devices. Processing may include vacuum processing, plasma processing and microlithography among others, while measurement refers to a wide range of materials and device characterization methods for understanding the physics and chemistry of submicron and nanometer structures and devices.

Journal Of Vacuum Science & Technology B中科院分區(qū)

中科院分區(qū)2023年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)2021年12月舊的升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)2021年12月基礎版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)2021年12月升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū)2020年12月舊的升級版

大類學科 分區(qū) 小類學科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)

中科院分區(qū):中科院分區(qū)是SCI期刊分區(qū)的一種,是由中國科學院國家科學圖書館制定出來的分區(qū)。主要有兩個版本,即基礎版和升級版。2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區(qū)表推出了升級版,實現(xiàn)了基礎版和升級版的并存過渡;升級版是對基礎版的延續(xù)和改進,將期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。

JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

按JIF指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 252 / 352
28.6%
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 115 / 140
18.2%
學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 134 / 179
25.4%
按JCI指標學科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 354
21.61%
學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 115 / 140
18.21%
學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 145 / 179
19.27%

JCR分區(qū):JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身為湯森路透)開發(fā)。JCR沒有設置大類,只將期刊分為176個具體學科,也就是中科院分區(qū)中的小類學科。基于不同學科的當年影響因子高低進行排序,將期刊的數(shù)量均勻分為四個部分,Q1區(qū)代表學科分類中影響因子排名前25%的期刊,以此類推,Q2區(qū)為前25%-50%期刊,Q3區(qū)為前50%-75%期刊,Q4區(qū)為75%以后期刊。

其它數(shù)據(jù)分析對比

近年中科院分區(qū)趨勢圖

近年IF值(影響因子)趨勢圖

影響因子:是美國科學信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數(shù)據(jù)。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。自1975年以來,每年定期發(fā)布于“期刊引證報告”(JCR)。

發(fā)文統(tǒng)計(統(tǒng)計區(qū)間:2023年-2024年)

文章引用名稱 引用次數(shù)
Review Article: Synthesis, p... 21
Review Article: Atomic layer... 14
Tutorial on interpreting x-r... 9
Future prospects of fluoride... 7
Realizing ferroelectric Hf0.... 7
High-density energy storage ... 6
Minimal domain size necessar... 6
Direct metal etch of rutheni... 6
Reduced twinning and surface... 6
Atomic force microscope inte... 6
被引用期刊名稱 數(shù)量
JPN J APPL PHYS 267
J APPL PHYS 249
J VAC SCI TECHNOL B 201
APPL SURF SCI 152
J VAC SCI TECHNOL A 141
ACS APPL MATER INTER 126
NANOTECHNOLOGY 121
APPL PHYS LETT 112
ECS J SOLID STATE SC 105
MATER RES EXPRESS 94
引用期刊名稱 數(shù)量
APPL PHYS LETT 314
J VAC SCI TECHNOL B 201
J APPL PHYS 198
PHYS REV B 108
J VAC SCI TECHNOL A 80
NANO LETT 77
THIN SOLID FILMS 66
APPL SURF SCI 62
MICROELECTRON ENG 62
NANOTECHNOLOGY 62

投稿注意事項

文章要求:

1、建議稿件控制10頁以上,文章撰寫語言為英語;(單欄格式,單倍行距,內(nèi)容10號字體,文稿類型包含:原創(chuàng)研究(Original Research)、案例報告(Case Report)、文獻綜述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

2、稿件重復率控制10%以內(nèi),論文務必保證原創(chuàng)性、圖標、公式、引文等要素齊備,保證附屬資料的完整。已發(fā)表或引用過度的文章將不會被出版和檢索,禁止一稿多投,拒絕抄襲、機械性的稿件。

3、稿件必須有較好的英語表達水平,有圖,有表,有公式,有數(shù)據(jù)或設計,有算法(方案,模型),實驗,仿真等;參考文獻控制25條以上,參考文獻引用一半以上控制在近5年以內(nèi)。

圖片和圖表要求:

1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW壓縮。

2、文件大小最大不超過20MB,不要以單個文件的形式上傳數(shù)據(jù)。

3、彩色圖片的分辨率≥300dpi;黑白圖片的分辨率在≥500dpi;line art圖片類型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建議采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

4、線條不要細于0.25pt,也不能太粗,超過1.5pt,過細或過粗都影響美觀。

5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。

作者信息:

1、包括作者姓名、最高學位,作者單位(精確到部門),郵箱,地址,郵編,關鍵詞,內(nèi)容,總結(jié),項目基金,參考文獻,作者相片+簡介(一定要確保作者信息準確無誤,提交稿件之后這部分不能再作改動)。

更多征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站專注期刊咨詢服務十年,確保SCI檢索,稿件信息安全保密,合乎學術規(guī)范不成功不收費,詳情請咨詢客服

雜志社聯(lián)系方式

A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502

免責聲明

若用戶需要出版服務,請聯(lián)系出版商:A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502。

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